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公开(公告)号：CN105051891B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201480017220.3
申请日：2014-03-25
申请人： 美光科技公司
发明人： 杰斯皮德·S·甘德席 , 卢克·G·英格兰德 , 欧文·R·费伊
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/367 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/08225 , H01L2224/11822 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2224/14134 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/16505 , H01L2224/1701 , H01L2224/17181 , H01L2224/175 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29499 , H01L2224/3201 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/3301 , H01L2224/33505 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81125 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/81901 , H01L2224/81948 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/07811 , H01L2924/1461 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要： 半导体装置及装置封装包含通过多个导电结构而电耦合到衬底的至少一个半导体裸片。所述至少一个半导体裸片可以是多个存储器裸片，且所述衬底可以是逻辑裸片。安置于所述至少一个半导体裸片与所述衬底之间的底部填充材料可包含导热材料。电绝缘材料安置于所述多个导电结构与所述底部填充材料之间。例如用于形成半导体装置封装的将半导体裸片附接到衬底的方法包含使用电绝缘材料来覆盖或涂布将所述半导体裸片电耦合到所述衬底的导电结构的至少外侧表面，及在所述半导体裸片与所述衬底之间安置导热材料。
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公开(公告)号：CN106887510A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510942490.1
申请日：2015-12-16
申请人： 南京澳特利光电科技有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L33/62 , H01L24/17 , H01L2224/175
摘要： 本发明公开的高可靠无引线发光二级管，包括芯片、硅胶、各向异性导电胶、电极和基板，其特征在于：所述的电极在基板上、所述的各向异性导电胶在电极和芯片之间，所述的芯片在各向异性导电胶上，并被硅胶包裹，所述的硅胶在电极上，所述的各向异性导电胶中含有导电的金球。本发明公开的高可靠无引线发光二极管，通过在电极和芯片之间加入各向异性导电胶，取代了原先的绑定引线，利用各向异性导电胶中的金球连通电极和芯片电极，实现导电功能，使用此结构能够提高led本身的可靠性。
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公开(公告)号：CN105051891A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480017220.3
申请日：2014-03-25
申请人： 美光科技公司
发明人： 杰斯皮德·S·甘德席 , 卢克·G·英格兰德 , 欧文·R·费伊
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/367 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/08225 , H01L2224/11822 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2224/14134 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/16505 , H01L2224/1701 , H01L2224/17181 , H01L2224/175 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29499 , H01L2224/3201 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/3301 , H01L2224/33505 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81125 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/81901 , H01L2224/81948 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/07811 , H01L2924/1461 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要： 半导体装置及装置封装包含通过多个导电结构而电耦合到衬底的至少一个半导体裸片。所述至少一个半导体裸片可以是多个存储器裸片，且所述衬底可以是逻辑裸片。安置于所述至少一个半导体裸片与所述衬底之间的底部填充材料可包含导热材料。电绝缘材料安置于所述多个导电结构与所述底部填充材料之间。例如用于形成半导体装置封装的将半导体裸片附接到衬底的方法包含使用电绝缘材料来覆盖或涂布将所述半导体裸片电耦合到所述衬底的导电结构的至少外侧表面，及在所述半导体裸片与所述衬底之间安置导热材料。
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公开(公告)号：CN103779297B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310055099.0
申请日：2013-02-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 林俊成
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/023 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/116 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13655 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/175 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
摘要： 一种结构包括具有第一金属凸块的第一半导体芯片和具有第二金属凸块的第二半导体芯片。该结构还包括电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的焊料接合结构，其中焊料接合结构包括位于第一金属凸块和第二金属凸块之间的金属间化合物区域，其中金属间化合物区域具有第一高度尺寸；和沿着第一金属凸块和第二金属凸块的外壁形成的围绕部分，其中围绕部分具有第二高度尺寸，并且第二高度尺寸大于第一高度尺寸。本发明提供了金属凸块接合结构。
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公开(公告)号：CN103779297A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310055099.0
申请日：2013-02-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 林俊成
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/023 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/116 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13655 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/175 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
摘要： 一种结构包括具有第一金属凸块的第一半导体芯片和具有第二金属凸块的第二半导体芯片。该结构还包括电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的焊料接合结构，其中焊料接合结构包括位于第一金属凸块和第二金属凸块之间的金属间化合物区域，其中金属间化合物区域具有第一高度尺寸；和沿着第一金属凸块和第二金属凸块的外壁形成的围绕部分，其中围绕部分具有第二高度尺寸，并且第二高度尺寸大于第一高度尺寸。本发明提供了金属凸块接合结构。
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