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公开(公告)号:CN103943518B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201410026183.4
申请日:2014-01-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: L.伯维
CPC classification number: B22F7/08 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32238 , H01L2224/48091 , H01L2224/48229 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83002 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/83986 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/83205
Abstract: 用于制造牢固接合的连接和电气连接的方法。为了在第一接合伙伴(1)和第二接合伙伴(2)之间制造牢固接合的连接,首先提供第一接合伙伴(1)和第二接合伙伴(2)。第一接合伙伴(1)具有第一连接面(11)以及与第一连接面(11)不同的、待保护的表面片段(12)。第二接合伙伴(2)具有第二连接面(21)。在待保护的表面片段(12)上施加保护层(3),使得待保护的表面片段(12)完全被所述保护层(3)覆盖。在将保护层(3)施加在待保护的表面片段(12)上的状态下,在第一连接面(11)与第二连接面(21)之间制造出牢固接合的连接。在制造了牢固接合的连接之后,又将保护层(3)从所述待保护的表面片段(12)至少部分地去除。
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公开(公告)号:CN103370784B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201180067909.3
申请日:2011-04-01
Applicant: 德塞拉股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200),第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元,每个都包括芯片。
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公开(公告)号:CN103545286B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201310484756.3
申请日:2013-10-16
Applicant: 威盛电子股份有限公司
Inventor: 宫振越
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/02
CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32059 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种线路基板、半导体封装结构及线路基板制作工艺。线路基板包括一线路叠构、一图案化导体层、一介电层及多个增厚导体层。线路叠构具有一表面。图案化导体层配置在表面上并具有多个走线。各走线具有一接合区段。介电层配置在表面上且覆盖图案化导体层。介电层具有多个接合开口。各接合开口暴露出对应的接合区段。各增厚导体层配置在对应的接合区段上。一种采用上述线路基板的半导体封装结构及一种线路基板制作工艺也提供于此。
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公开(公告)号:CN104885207A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201380067852.6
申请日:2013-12-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K7/02 , B23K35/0222 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , H01L21/52 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/488 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29005 , H01L2224/29111 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/206 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的功率模块中,在电路层(12)中的与半导体元件(3)的接合面设置有由铜或铜合金构成的铜层,且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的与电路层(12)之间的界面形成有合金层(21),该合金层(21)作为主成分含有Sn,并且含有0.5质量%以上10质量%以下的Ni和30质量%以上40质量%以下的Cu,该合金层(21)的厚度设定在2μm以上20μm以下的范围内,在功率循环试验中,在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时的热阻上升率低于10%。
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公开(公告)号:CN104205301A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201280071499.4
申请日:2012-08-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L29/78
CPC classification number: H01L24/33 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/27332 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205 , H01L2924/00
Abstract: 本发明中,在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面,经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5),该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此,能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。
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公开(公告)号:CN103681552A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310398050.5
申请日:2013-09-04
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/32238 , H01L2224/8384 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法。功率半导体模块(1、1’’)具有金属板材设施(4),该金属板材设施(4)具有导电的金属成型体(2)和结构化的、导电的金属板材元件(5),该金属板材设施(4)通过不导电的绝缘层(3)与金属成型体(2)连接,其中,金属板材元件(5)具有向绝缘层(3)方向垂直于绝缘层(3)延伸的侧棱边(14),其中,功率半导体模块(1、1’’)具有封装的功率半导体开关(10a、10b),该封装的功率半导体开关(10a、10b)通过布置在封装的功率半导体开关(10a、10b)与金属板材设施(4)之间的烧结层(9)与金属板材设施(4)连接。本发明创造一种可靠的功率半导体模块(1、1’’)。
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公开(公告)号:CN103180944A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180051390.X
申请日:2011-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H05K1/0213 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2223/6605 , H01L2224/02311 , H01L2224/0235 , H01L2224/0237 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/131 , H01L2224/16104 , H01L2224/16105 , H01L2224/16112 , H01L2224/16113 , H01L2224/16147 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32104 , H01L2224/32105 , H01L2224/32147 , H01L2224/32148 , H01L2224/32227 , H01L2224/32237 , H01L2224/32238 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/10157 , H01L2924/12042 , H01L2924/30111 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K1/112 , H05K1/114 , H05K3/323 , H05K3/368 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H05K2201/09045 , H05K2201/09227 , H05K2201/09245 , H05K2201/09263 , H05K2201/09381 , H05K2201/09427 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在使电子元件之间电连接时,降低在连接部的阻抗失配。在使电子元件(1、2)之间电连接的电子元件的接合方式中,使形成于第一电子元件(1)的表面(1a)的布线(11)与形成于第二电子元件(2)的表面(2a)的布线(12)相向,并在其中间夹持导电体(13)而进行接合,由此第一电子元件(1)与第二电子元件(2)电连接。导电体(13)为含焊料或者导电性填料的树脂组合物。
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公开(公告)号:CN106910719A
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:CN201710192289.5
申请日:2015-06-02
Applicant: 三星半导体(中国)研究开发有限公司 , 三星电子株式会社
Inventor: 徐健
IPC: H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/73265 , H01L24/32 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/3142 , H01L23/49855 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48229 , H01L2224/92227 , H01L2924/00012 , H01L2924/15162
Abstract: 提供了一种封装件和制造封装件的方法。所述封装件包括:基底,具有第一表面和背对第一表面的第二表面,基底中设置有多个焊盘;第一结合件和第二结合件,设置在基底上,第二结合件位于第一结合件的周围;芯片,设置在第一结合件上并通过引线电连接到所述多个焊盘;阻挡件,设置在第二结合件上;包封构件,设置在阻挡件的内侧以包封芯片第一结合件和引线。
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公开(公告)号:CN104716121A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201410754725.X
申请日:2014-12-11
Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/3121 , H01L23/3157 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/3012 , H01L2224/32238 , H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2924/00014 , H01L2924/12 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H05K1/185 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2224/43
Abstract: 本发明涉及包含多个半导体芯片和层压板的半导体器件。一种半导体器件包含层压板、至少部分嵌入在层压板中的第一半导体芯片、安装在层压板的第一主表面上的第二半导体芯片以及布置在层压板的第一主表面上的第一电接触。该第二半导体芯片被电耦合到该第一电接触。
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公开(公告)号:CN104471706A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201380037367.4
申请日:2013-07-18
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 京瓷株式公司
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/467 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/32238 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 在第一~第五陶瓷片(21、22、23、24、25)的层叠方向上,第一狭缝(22c)以及第二狭缝(22d)相对于第一连通孔(23c)、第二连通孔(23d)、第三连通孔(23e)以及第四连通孔(23f)位于靠近第一搭载部(121)以及第二搭载部(131)的位置。而且,从第一~第五陶瓷片(21、22、23、24、25)的层叠方向观察,各第一狭缝(22c)与第一连通孔(23c)的重叠部(35)、以及各第二狭缝(22d)与第三连通孔(23e)的重叠部(36)位于设有第一搭载部(121)以及第二搭载部(131)的区域的附近。
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