公开(公告)号：CN104520976A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380041827.0

申请日：2013-03-11

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 植田充彦 ,  佐名川佳治 ,  明田孝典 ,  林真太郎

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  B23K20/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种在基板上安装多个芯片的安装方法，包括在基板上临时地接合所述多个芯片中每个的临时接合过程，以及在基板上牢固地接合临时接合在基板上的所述多个芯片中每个的主要接合过程。在临时接合过程中，包括第一步骤和第二步骤的第一基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第一步骤中，基板(1)中的第一金属层和芯片中的第二金属层被定位。在第二步骤中，第二金属层和第一金属层通过固相扩散接合而临时地接合。在主要接合过程中，包括第三步骤和第四步骤的第二基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第三步骤中，识别临时接合于基板的芯片的位置。在第四步骤中，通过液相扩散接合使第二金属层和第一金属层经受主要接合。

公开(公告)号：CN103548129A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201180071145.5

申请日：2011-08-30

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： K.马丁希茨 ,  M.温普林格 ,  B.雷布汉 ,  K.欣格尔

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：-在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），-使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，-将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。

公开(公告)号：CN100573859C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710161821.3

申请日：2007-09-24

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： D·西佩 ,  R·巴耶勒

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205

摘要： 本发明涉及半导体装置和模块以及连接半导体芯片到陶瓷基板的方法。一种半导体装置具有含有第一表面和第二表面的硅本体，和设置在硅本体的至少一个表面上的厚金属层。该厚金属层的厚度至少为10微米(μm)。

公开(公告)号：CN101165884A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710161821.3

申请日：2007-09-24

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： D·西佩 ,  R·巴耶勒

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205

摘要： 本发明涉及半导体装置和模块以及连接半导体芯片到陶瓷基板的方法。一种半导体装置具有含有第一表面和第二表面的硅本体，和设置在硅本体的至少一个表面上的厚金属层。该厚金属层的厚度至少为10微米(μm)。

公开(公告)号：CN105742193A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510971451.4

申请日：2015-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  陈明发 ,  蔡文景

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/81 ,  B81C1/00238 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/279 ,  H01L2224/27912 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2761 ,  H01L21/302 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/80 ,  H01L21/561 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/071

摘要： 本发明的实施例提供了一种接合结构及其形成方法。在接合结构的第一表面上形成导电层，接合结构包括接合至第二衬底的第一衬底，接合结构的第一表面是第一衬底的暴露的表面。在导电层上形成具有第一开口和第二开口的图案化的掩模，第一开口和第二开口暴露导电层的一部分。在第一开口中形成第一接合连接件的第一部分，并且在第二开口中形成第二接合连接件的第一部分。图案化导电层以形成第一接合连接件的第二部分和第二接合连接件的第二部分。使用第一接合连接件和第二接合连接件将接合结构接合至第三衬底。

公开(公告)号：CN105405779A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510912169.9

申请日：2011-02-23

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： M.温普林格 ,  V.德拉戈伊

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03015 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0355 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8384

摘要： 本发明涉及用于永久连接两个金属表面的方法。本发明涉及用于在第一衬底的包括金属和非金属区域的第一表面和第二衬底的包括金属和非金属区域的第二表面之间制造永久的导电连接的方法，具有如下方法步骤：处理第一和/或第二表面，使得在连接表面时制造至少主要由于在表面的金属区域的金属离子和/或金属原子之间的置换扩散而产生的永久的导电连接，定向和键合第一和第二表面，其中在处理、定向和键合期间不超过最大300℃的过程温度。

公开(公告)号：CN103094138B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210433490.5

申请日：2012-11-02

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·V·源

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13649 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13676 ,  H01L2224/13681 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29564 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/2958 ,  H01L2224/29649 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29657 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29676 ,  H01L2224/29681 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。

公开(公告)号：CN102883991B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201180010791.0

申请日：2011-03-01

申请人： 森松诺尔技术有限公司

发明人： 尼尔斯·霍伊维克 ,  伯杰尔·斯塔克 ,  安德斯·艾尔芬 ,  王凯英

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/164 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： 一种金属内扩散连接方法，用于形成MEMS装置的气密密封的晶片级封装，包括下列步骤：在第一晶片和第二晶片的表面上提供第一金属堆，第一金属在空气中易氧化；在每一个第一金属堆的上表面上提供第二金属层，第二金属具有比第一金属低的熔点，所述第二金属层的厚度足以抑制所述第一金属上表面的氧化；使所述第一晶片上的第二金属层接触第二晶片上的第二金属层以形成连接界面；以及在低于所述第二金属的熔点的连接温度向第一和第二晶片施加连接压力以促使连接，所述连接压力足以使连接界面处的第二金属层变形。

公开(公告)号：CN103579156A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310327730.8

申请日：2013-07-31

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： C.谢林 ,  D.博罗夫斯基

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/564 ,  B81B7/007 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/035 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/27825 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/29562 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29669 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/1461 ,  H05K1/111 ,  H05K3/4007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81205

摘要： 本发明涉及一种用于将一载体材料（106）与另一载体材料进行热压键合（504）的键合垫（100），其中，所述键合垫（100）具有一基层（102）和一盖层（104）。由金属制成的基层（102）是可变形的并且与所述载体材料（106）连接，其中，所述金属是镍基的。所述盖层（104）是金属的并且直接与所述基层（102）连接。所述盖层（104）至少布置在所述基层（102）的背离所述载体材料（106）的侧面上。所述盖层（104）具有相对于所述基层（102）的一更小的层厚度，其中，所述盖层（104）特别是比所述基层（102）更加抗氧化。

公开(公告)号：CN102832147A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110272685.1

申请日：2011-09-15

申请人： 广化科技股份有限公司

发明人： 陈国辉 ,  詹上庆 ,  温育德 ,  庄淑珍

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907

摘要： 本发明是关于一种晶片低温接合的方法，其包括：将一第一金属层形成于一晶片的一表面；将一第二金属层形成于一基板的一侧面，该第二金属层的材质是不同于该第一金属层；对该晶片相对于该第一金属层的另一表面以及该基板相对于该第二金属层的另一侧面施予一预接合压力，以使该第一金属层与该第二金属层之间进行预接合而相接；以及于100℃至300℃的温度下，以一扩散反应时间对该经预接合的晶片及该基板进行加热，以使该第一金属层与该第二金属层在二者之间的界面处进行扩散反应，以形成一熔点高于200℃的扩散合金层。