中子产生装置用的靶及其制造方法

    公开(公告)号:CN104429168B

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201380037399.4

    申请日:2013-07-11

    发明人: 土田一辉

    IPC分类号: H05H6/00 A61N5/10 G21K5/08

    摘要: 提供长寿命的中子产生装置用的靶及其制造方法。在中子产生装置用的靶中,向作为靶材的锂照射被加速器加速后的质子束,利用7Li(p、n)7Be反应产生中子,该中子产生装置用的靶具有:金属基板(52A),其保持靶材(54);以及密封金属薄膜(53),其位于保持靶材(54)的保持面侧X。在金属基板(52A)的保持面侧X具有边框部(52a)和凹凸结构,在该凹凸结构中,在被边框部(52a)围着的内侧保留有多个岛部(52b),使得边框部(52a)和多个岛部(52b)以外的其它区域成为减薄了靶材(54)的厚度的量后的凹部。密封金属薄膜(53)、边框部(52a)以及多个岛部(52b)的表面进行了热等静压(HIP)接合,靶材(54)被密封金属薄膜(53)密封在凹部中。