公开(公告)号：CN104465533B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410478610.2

申请日：2014-09-18

申请人： 德州仪器公司

发明人： 张荣伟

IPC分类号： H01L23/13

CPC分类号： H01L24/70 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2224/27

摘要： 本发明涉及一种自粘合裸片。一种用于有效地增强半导体封装的热性能的方法和设备。本发明的概念是在集成电路裸片(603)的背侧上提供硅纳米线以将所述裸片直接附着到衬底(606)，借此改进裸片与衬底之间的界面，且因此增强热性能并通过改进粘附性而增强可靠性。

公开(公告)号：CN105321833B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510454902.7

申请日：2015-07-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄晖闵 ,  林志伟 ,  蔡再宗 ,  郑明达 ,  刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/481 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27

摘要： 在第一管芯和第二管芯上形成第一保护层，并且在第一保护层内形成开口。密封第一管芯和第二管芯，从而使得密封剂厚于第一管芯和第二管芯，并且在开口内形成孔。也可以将重分布层形成为在密封剂上方延伸，并且第一管芯可以与第二管芯分离。本发明实施例涉及半导体封装系统和方法。

公开(公告)号：CN105324454B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480021827.9

申请日：2014-12-12

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金荣国 ,  S·R·金 ,  金熹正 ,  曺正镐 ,  李光珠 ,  金丁鹤 ,  南承希

IPC分类号： C09J11/00 ,  C09J133/04 ,  C09J7/30 ,  H01L21/301

CPC分类号： C09J11/08 ,  C09J5/00 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J2201/128 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2475/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。

公开(公告)号：CN104576314B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410524598.4

申请日：2014-10-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： S·R·耶杜拉 ,  K·H·加瑟 ,  S·韦勒特 ,  K·迈尔 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27005 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07802

摘要： 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。

公开(公告)号：CN107210237A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074691.2

申请日：2015-12-08

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： M·J·塞登 ,  F·J·卡尼

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/683 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/31 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/8581 ,  H01L2224/8681 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2224/48

摘要： 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。

公开(公告)号：CN107004616A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062636.1

申请日：2015-11-19

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： C.毕晓普 ,  V.J.S.博拉 ,  C.M.斯坎伦 ,  T.L.奥尔森

IPC分类号： H01L21/66 ,  G06K9/64

CPC分类号： H01L22/12 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

摘要： 一种针对多个独特半导体封装的自动光学检测(AOI)的方法可以包括提供形成为重构晶圆的多个半导体管芯。可以通过在所述多个半导体管芯中的每个上方形成单元特定图案来形成多个单元特定图案，其中所述单元特定图案中的每个被定制为配合其相应的半导体管芯。可以通过采集多个单元特定图案中的每个的图像来采集多个图像。可以通过生成针对多个单元特定图案中的每个的独特参考标准来生成多个独特参考标准。可以通过针对多个单元特定图案中的每个将多个独特参考标准中的一者与多个图像中的对应一者进行比较，检测多个单元特定图案中的缺陷。

公开(公告)号：CN105990291A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510790632.7

申请日：2015-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L21/568 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/14 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333

摘要： 封装件包括器件管芯，器件管芯包括位于器件管芯的顶面处的金属柱和位于金属柱的侧壁上的焊料区。模制材料环绕器件管芯，其中，模制材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层与模制材料和器件管芯重叠，其中介电层的底面与器件管芯的顶面和模制材料的顶面接触。再分布线(RDL)延伸至介电层内以电连接至金属柱。本发明的实施例还涉及用于管芯探测的结构。

公开(公告)号：CN105938827A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610120953.0

申请日：2016-03-03

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  李秋雯 ,  杨秉丰 ,  林光隆

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/52 ,  H01L23/488 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/26 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/331 ,  H01L2224/33505

摘要： 本发明涉及一种半导体装置及一种用于制造所述半导体装置的方法。所述半导体装置包含半导体裸片、半导体元件及焊料层。所述半导体裸片包含铜柱。所述半导体元件包含表面处理层，其中所述表面处理层的材料为镍、金及钯中的至少两者的组合。所述焊料层位于所述铜柱与所述表面处理层之间。所述焊料层包含第一金属间化合物IMC及第二金属间化合物，其中所述第一金属间化合物包含铜、镍及锡中的至少两者的组合。所述第二金属间化合物为金与锡的组合、钯与锡的组合或两者。

公开(公告)号：CN104263266B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201410415678.6

申请日：2011-10-09

申请人： 第一毛织株式会社

发明人： 鱼东善 ,  宋珪锡 ,  黃珉珪 ,  宋基态 ,  徐大虎

IPC分类号： C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/02 ,  C09J163/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： C09J7/0217 ,  B32B7/06 ,  B32B27/08 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2255/28 ,  B32B2307/30 ,  B32B2405/00 ,  C08G18/6254 ,  C08G59/08 ,  C08G2170/40 ,  C08L2312/08 ,  C09J7/22 ,  C09J7/385 ,  C09J163/00 ,  C09J175/04 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/061 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/068 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0705 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/31515 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种用于半导体装置的粘合剂膜，所述粘合剂膜包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的线性膨胀系数的基膜。所述粘合剂膜在低温储存较长时间后具有优异的卷绕形状稳定性，从而在以后的半导体封装工艺中不会导致倾斜现象并降低缺陷。

公开(公告)号：CN105390468A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510858831.7

申请日：2015-12-01

申请人： 上海伊诺尔信息技术有限公司

发明人： 高洪涛 ,  栾旭峰 ,  陆美华 ,  刘玉宝 ,  汤正兴

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/05553 ,  H01L2224/49171 ,  H01L23/488 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/29027 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/481 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/8534

摘要： 本发明提供一种智能卡芯片封装结构及其制造方法，所述封装结构包括一设置有芯片的基岛及围绕所述基岛设置的至少一个引脚，所述芯片上设置有至少一个金属焊垫，每一所述金属焊垫通过金属引线与一引脚电连接，还包括一加固层，所述加固层包围所述金属焊垫与所述金属引线的焊接层，以增强所述金属焊垫与所述金属引线焊接牢固性。本发明的优点在于，加固层包围所述金属焊垫与所述金属引线的焊接层，能够保护焊接界面，防止焊接界面断裂或被封装材料腐蚀，提高可靠度。