公开(公告)号：CN102800641B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210278913.0

申请日：2012-08-07

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  高金利 ,  邱盈达 ,  林光隆 ,  李秋雯 ,  杨秉丰 ,  李长祺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明关于一种半导体覆晶接合结构及方法。该半导体覆晶接合结构包括一第一半导体元件、一第一介金属化合物、一第二半导体元件、一第二介金属化合物及一焊料层。该第一介金属化合物邻接于该第一半导体元件的金属柱。该第二介金属化合物邻接于该第二半导体元件的电性接点。该焊料层位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。藉此，可有效提高可靠度。

公开(公告)号：CN105932004B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610317373.0

申请日：2013-09-05

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  杨秉丰 ,  李长祺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

摘要： 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。

公开(公告)号：CN103441109B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310400313.1

申请日：2013-09-05

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  杨秉丰 ,  李长祺

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/16152

摘要： 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。

公开(公告)号：CN105932004A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610317373.0

申请日：2013-09-05

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  杨秉丰 ,  李长祺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/16152 ,  H01L24/16 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83

摘要： 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。

公开(公告)号：CN103367304A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310306505.6

申请日：2013-07-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  杨秉丰 ,  邵郁琇 ,  林光隆

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种封装基板、覆晶式封装及其制造方法。封装基板，包括一基板本体、多数个金属导线与多数个薄膜。基板本体具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面。金属导线配置在基板本体的第一基板表面上。金属导线具有一上导线表面与数个侧导线表面。薄膜形成在金属导线的侧导线表面上。

公开(公告)号：CN102800641A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210278913.0

申请日：2012-08-07

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  高金利 ,  邱盈达 ,  林光隆 ,  李秋雯 ,  杨秉丰 ,  李长祺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明关于一种半导体覆晶接合结构及方法。该半导体覆晶接合结构包括一第一半导体元件、一第一介金属化合物、一第二半导体元件、一第二介金属化合物及一焊料层。该第一介金属化合物邻接于该第一半导体元件的金属柱。该第二介金属化合物邻接于该第二半导体元件的电性接点。该焊料层位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。藉此，可有效提高可靠度。

公开(公告)号：CN105938827B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201610120953.0

申请日：2016-03-03

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  李秋雯 ,  杨秉丰 ,  林光隆

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种半导体装置及一种用于制造所述半导体装置的方法。所述半导体装置包含半导体裸片、半导体元件及焊料层。所述半导体裸片包含铜柱。所述半导体元件包含表面处理层，其中所述表面处理层的材料为镍、金及钯中的至少两者的组合。所述焊料层位于所述铜柱与所述表面处理层之间。所述焊料层包含第一金属间化合物IMC及第二金属间化合物，其中所述第一金属间化合物包含铜、镍及锡中的至少两者的组合。所述第二金属间化合物为金与锡的组合、钯与锡的组合或两者。

公开(公告)号：CN103441081B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201310399828.4

申请日：2013-09-05

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  杨秉丰 ,  叶勇谊 ,  皮敦庆 ,  陈银发 ,  叶昶麟

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明是关于一种半导体组合结构及半导体工艺。该半导体组合结构包括一基板、至少一导体、一挡墙部及一第一芯片。该基板具有至少一电性连接处。该导体位于该电性连接处上。该挡墙部用以顶抵该导体。该第一芯片具有至少一凸块。该第一芯片大致垂直该基板，且该凸块接触该导体。藉此，该凸块与该导体间的接合可靠度可提高，以确保该第一芯片与该基板间的电性连接。

公开(公告)号：CN103441109A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310400313.1

申请日：2013-09-05

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  杨秉丰 ,  李长祺

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/16152

摘要： 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。

公开(公告)号：CN107086213A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201610929466.9

申请日：2013-07-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 萧友享 ,  杨秉丰 ,  邵郁琇 ,  林光隆

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 一种封装基板、覆晶式封装及其制造方法。封装基板，包括一基板本体、多数个金属导线与多数个薄膜。基板本体具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面。金属导线配置在基板本体的第一基板表面上。金属导线具有一上导线表面与数个侧导线表面。薄膜形成在金属导线的侧导线表面上。