Invention Grant
- Patent Title: 半导体元件，半导体封装结构及其制造方法
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Application No.: CN201610317373.0Application Date: 2013-09-05
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Publication No.: CN105932004BPublication Date: 2019-03-15
- Inventor: 萧友享 , 杨秉丰 , 李长祺
- Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
- Assignee: 日月光半导体制造股份有限公司
- Current Assignee: 日月光半导体制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 陆勍
- Priority: 102121652 2013.06.19 TW
- Main IPC: H01L23/488
- IPC: H01L23/488 ; H01L23/373 ; H01L21/60
Abstract:
本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。
Public/Granted literature
- CN105932004A 半导体元件，半导体封装结构及其制造方法 Public/Granted day:2016-09-07
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IPC分类:
