公开(公告)号：CN109585398A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811461478.9

申请日：2018-12-02

申请人： 扬州佳奕金属材料有限公司

发明人： 陆远林

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L23/3672 ,  H01L23/3736

摘要： 本发明涉及一种散热三极管，包括三极管，三极管下部连接支脚，其特征在于在所述三极管的一侧连接设置有一个散热块。本发明的散热三极管，结构简单、散热效果好，可以防止三极管烧坏，避免电子元器件损坏。

公开(公告)号：CN109148395A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811006871.9

申请日：2018-08-31

申请人： 延锋伟世通电子科技(南京)有限公司

发明人： 郭敏

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/467

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/467

摘要： 本发明涉及一种汽车音响娱乐系统主机的高功率芯片散热结构，包括顶壳、挤铝散热片、散热片盖板、散热硅胶垫、用于安装高功率芯片的PCB板和中框，顶壳、挤铝散热片、PCB板由上往下依次固定安装在中框上，顶壳盖覆挤铝散热片的顶部，散热片盖板盖覆安装在挤铝散热片的前后两侧，散热硅胶垫设置在挤铝散热片与高功率芯片之间，散热硅胶垫粘贴于高功率芯片之上，并通过挤铝散热片的底部挤压固定。挤铝散热片包括阶梯型安装架和若干个散热梯形齿，阶梯型安装架和散热梯形齿通过挤铝工艺制作而成。本散热结构的整体结构设计巧妙，通过特殊结构的挤铝散热片结合散热片盖板及散热硅胶垫大大增加了散热面积，可实现高功率芯片的快速散热。

公开(公告)号：CN109037165A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810802373.9

申请日：2018-07-18

申请人： 上海电机学院

发明人： 李雷 ,  陈玉奇 ,  赵素 ,  苗青

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L23/29 ,  H01L23/291 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3738

摘要： 本发明公开了一种铝基电子封装材料及其加工方法；所述材料的主要成分为(重量百分比)：铝20～80％，石墨烯0.01～15％，碳纳米管0.01～15％，同时含有其它成分2～70％，所述其它成分是选自金刚石、硅、钨、钼、碳化硅、碳化钛、碳化硼、碳化锆、碳化钨、氮化铝、氮化硅、氮化硼、氮化钛、氧化铝、氧化锆、硼化钛、硼化锆的至少一种或多种。其制备方法为：首先把所述成分的粉体均匀混合，混合均匀的粉体被螺旋推料器连续推入大轧辊表面凹槽内，在大轧辊和一组行星轧辊的轧制力作用下，把铝基合金粉体轧制为条带材，条带材进一步从成型模具挤出，得到所需形状材料。本方法可连续制备低热膨胀系数、高导热的封装材料。

公开(公告)号：CN108701663A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013557.0

申请日：2017-02-23

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所

发明人： 明渡纯 ,  津田弘树

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3735 ,  F28F3/00 ,  F28F21/04 ,  F28F21/08 ,  H01L23/12 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3736

摘要： 本发明提供一种高绝缘耐电压且散热性优良的散热基板。该散热基板具有金属基材、设置在金属基材上且具有比金属基材的硬度高的硬度的金属薄层、以及设置在金属薄层上的陶瓷层。或者，该散热基板具有金属基材、设置在金属基材的表面层且具有比金属基材的硬度高的硬度的硬化层、以及设置在硬化层上的陶瓷层。金属薄层或硬化层能够作为用于增强由于施加给陶瓷层的机械冲击而使陶瓷层内部产生的压缩应力的压缩应力增强金属薄层发挥功能，或者作为防止陶瓷层内部产生的压缩应力的释放的压缩应力释放防止层发挥功能。

公开(公告)号：CN108428679A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810148937.1

申请日：2018-02-13

申请人： 格芯公司

发明人： 卢克·G·英格兰 ,  凯萨琳·C·里维拉

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181

摘要： 本揭示内容涉及具有热导柱的集成电路封装，其具体实施例是关于一种集成电路(IC)封装，包括位在一第一晶粒上且侧向邻接位在该第一晶粒上的一晶粒堆栈的一模塑料。该晶粒堆栈使该第一晶粒电气耦合至一最上面晶粒，以及一热导柱从该第一晶粒延伸穿过该模塑料到该模塑料的上表面。该热导柱与该晶粒堆栈及该最上面晶粒电气隔离。该热导柱侧向抵接且接触该模塑料。

公开(公告)号：CN108063096A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711129294.8

申请日：2017-11-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 王亮 ,  武伟 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105

摘要： 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块，所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤：S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法，在钼片上首先沉积AgSn，AgSn具有很强导热能力，可以确保整个子模组的传热能力。

公开(公告)号：CN104488078B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201380038280.9

申请日：2013-07-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 玉田美子 ,  冈诚次

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18 ,  H05K1/05

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/049 ,  H01L23/145 ,  H01L23/15 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/05 ,  H05K1/053 ,  H05K3/284 ,  H05K2203/1316 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 具备：作为金属散热体的基底板(2)；第一绝缘层(3)，设置于基底板(2)上；以及第一布线图案(4)，设置于第一绝缘层(3)上，在作为第一布线图案(4)上的一部分的规定区域仅隔着树脂制的第二绝缘层(5)层叠第二层的第二布线图案(6)，形成图案层叠区域(X1)。另外，功率用半导体元件(7)搭载于第一布线图案(4)上的图案层叠区域(X1)以外的区域。另外，基底板(2)、第一绝缘层(3)、第一布线图案(4)、第二绝缘层(5)、第二布线图案(6)、功率用半导体元件(7)通过传递模树脂(11)被一体地密封，从而构成功率用半导体模块(1)。

公开(公告)号：CN104137257B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201180076404.3

申请日：2011-12-21

申请人： 英特尔公司

发明人： C·胡

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L23/3736 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82

摘要： 描述了封装的半导体管芯和CTE工程管芯对和形成封装的半导体管芯和CTE工程管芯对的方法。例如，半导体封装包括衬底。半导体管芯嵌入衬底中且具有表面区域。CTE工程管芯嵌入衬底中并耦合到半导体管芯。CTE工程管芯具有与半导体管芯的表面区域相同且对准的表面区域。

公开(公告)号：CN106068684B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580003902.3

申请日：2015-01-07

申请人： 赛峰电子与防务公司

发明人： J-C·利欧

IPC分类号： H05K7/20 ,  H01L23/44

CPC分类号： H01L23/44 ,  B81B7/0093 ,  B81B2201/01 ,  H01L23/06 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19107 ,  H05K7/20236 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及一种电子器件，包括至少一个电子部件，该电子部件安装在支撑体上并且被包含导热且电绝缘的液体的可变形外壳围绕，所述器件包括基本平行于所述支撑体且与其隔开距离的散热板，以及用于通过所述外壳和所述板之间的传导进行热传递的装置，所述导热且电绝缘的液体被选择并且所述外壳被布置使得所述油的热膨胀产生将所述壳层压向用于通过传导进行热交换的装置的力。

公开(公告)号：CN107093585A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710436927.3

申请日：2017-06-12

申请人： 厦门帕尔帖电子科技有限公司

发明人： 朱宗虎

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/373 ,  H01L35/08 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC分类号： H01L35/325 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/562 ,  H01L35/08 ,  H01L35/34

摘要： 本发明公开了一种半导体致冷片，包括两块端板和设于两块端板之间的半导体层，端板包括金属板、导热绝缘层和多个触点，金属板设有多个镂空部，导热绝缘层覆盖在金属板上，触点设于导热绝缘层上，镂空部分布于触点周围的金属板上；两块端板设有触点的一面相对设置，半导体层与触点电连接形成导电线路。本发明还公开了一种半导体致冷片制作工艺。本发明的有益效果在于：两块端板上形成的温差可达到80摄氏度，制冷效果也更好，使其能够应用于更广的范围；同时，金属板在高低温下产生的涨缩由于镂空部的设置而能够被容纳，高温下触点所在的金属板块整体向镂空部膨胀，触点不会因金属板的内应力而被破坏，确保了产品的可靠性。