公开(公告)号：CN109637997B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201811167799.8

申请日：2018-10-08

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 方绪南 ,  庄淳钧 ,  叶勇谊 ,  李明锦

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 半导体装置封装包括第一重布层(RDL)、第一裸片、第二裸片、第二RDL和封装体。第一裸片设置在第一RDL上并且电连接到第一RDL。第一裸片具有第一电性触点。第二裸片设置在第一RDL上并且电连接到第一RDL。第二裸片具有第一电性触点。第二RDL被第一RDL包围。第二RDL具有电连接到第一裸片的第一电性触点的第一电性触点和电连接到第二裸片的第一电性触点的第二电性触点。第二RDL的第一电性触点的尺寸大于第二RDL的第二电性触点的尺寸。

公开(公告)号：CN104009023A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410069420.5

申请日：2014-02-27

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 戴晨音 ,  叶勇谊 ,  杨金凤 ,  钟启生 ,  廖国宪

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3675 ,  H01L24/17 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

摘要： 本发明涉及一种具有热增强型共形屏蔽的半导体封装及相关方法，半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。

公开(公告)号：CN102324409B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201110320435.0

申请日：2011-10-11

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 皮敦庆 ,  叶勇谊 ,  陈建成 ,  高仁傑 ,  洪正辉 ,  黄敏龙

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/26152 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明关于一种具有散热结构的半导体封装及其制造方法，该半导体封装包括一第一基板、一第一晶粒、一金属导热件以及一散热件，该第一基板具有一上表面，该第一晶粒设置于该第一基板的上表面，该第一晶粒具有一顶面及一第一接合层，该第一接合层形成于该顶面，该金属导热件设置于该第一晶粒的第一接合层上，该散热件设置于该金属导热件上，该散热件具有一内表面、一第二接合层及一拦坝，该第二接合层及该拦坝形成于该内表面，该第二接合层抵接该金属导热件，该拦坝围绕该该金属导热件，且该拦坝可限位该金属导热件。藉此，可确保该金属导热件在经过后高温工艺时能被限位在该拦坝内，进而可防止该金属导热件因高温而熔融的流动。

公开(公告)号：CN103311213A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310160656.5

申请日：2013-05-03

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 颜瀚琦 ,  锺启生 ,  廖国宪 ,  叶勇谊

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49805 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 半导体封装件包括基板、半导体芯片、封装体、电磁干扰屏蔽元件、介电结构、天线元件、馈入元件及天线接地元件。半导体芯片设于基板上。封装体包覆半导体芯片。电磁干扰屏蔽元件形成于封装体上。介电结构包覆电磁干扰屏蔽元件。天线元件形成于介电结构上。馈入元件连接天线元件与基板的一馈入接点。天线接地元件连接天线元件与电磁干扰屏蔽元件。

公开(公告)号：CN102915984A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210349326.6

申请日：2012-09-20

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 唐和明 ,  叶勇谊 ,  翁肇甫 ,  陈国华 ,  谢慧英

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法。所述半导体封装构造包含一薄型线路转接层、一第一芯片、数个电性连接单元、一封装胶体及一基板，所述薄型线路转接层具有一第一表面，所述第一表面具有数个导电端子，通过所述薄型线路转接层的设计，可以克服数个堆叠芯片受到彼此尺寸大小限制的问题，再者，利用导电端子彼此间的间距相对较小，不仅可提高接脚的数量，更可以大幅减少半导体封装构造的整体厚度，同时提高散热效能。

公开(公告)号：CN112838060A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011296027.1

申请日：2020-11-18

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 方绪南 ,  叶勇谊

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/065 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56

摘要： 本公开涉及一种封装结构和制造方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子设备、第二电子设备、保护材料和增强结构。所述第一电子设备和所述第二电子设备电连接到所述布线结构。所述保护材料安置在所述第一电子设备与所述布线结构之间和所述第二电子设备与所述布线结构之间。所述增强结构安置在所述第一电子设备和所述第二电子设备上并且接触所述第一电子设备和所述第二电子设备。所述增强结构接触所述保护材料。

公开(公告)号：CN107275241B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710616109.1

申请日：2014-02-27

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 戴晨音 ,  叶勇谊 ,  杨金凤 ,  钟启生 ,  廖国宪

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/60

摘要： 半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。

公开(公告)号：CN104347533A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310331676.4

申请日：2013-08-01

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 王琇如 ,  叶勇谊 ,  方绪南

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、数个芯片、封装体、贯穿部、导电元件及屏蔽层。基板包括接地部。芯片设于基板。封装体包覆芯片且具有上表面。贯穿部从封装体贯的上表面延伸至接地部，贯穿部隔离此些芯片。导电元件填入贯穿部内以电性电接接地部。屏蔽层形成于封装体的外侧面及上表面，且通过导电元件电性连接接地部。其中，导电元件具有数个孔洞，此些孔洞占导电元件的比例小于50%。

公开(公告)号：CN102832182A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210331419.6

申请日：2012-09-10

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 锺启生 ,  叶勇谊 ,  陈建成

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体封装件，包括一承载板、一第一芯片、一第一半导体封装结构及一第一封胶体。承载板，具有一第一表面及与第一表面相对而设的一第二表面。第一芯片设于第一表面上，且电性连接于承载板。第一半导体封装结构，设于第一表面上且邻近第一芯片。第一封胶体邻接于第一表面，且覆盖第一芯片及第一半导体封装结构。第一封胶体具有一阶梯状结构，阶梯状结构位于第一芯片及第一半导体封装结构之间。

公开(公告)号：CN102324409A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110320435.0

申请日：2011-10-11

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 皮敦庆 ,  叶勇谊 ,  陈建成 ,  高仁傑 ,  洪正辉 ,  黄敏龙

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/26152 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明关于一种具有散热结构的半导体封装及其制造方法，该半导体封装包括一第一基板、一第一晶粒、一金属导热件以及一散热件，该第一基板具有一上表面，该第一晶粒设置于该第一基板的上表面，该第一晶粒具有一顶面及一第一接合层，该第一接合层形成于该顶面，该金属导热件设置于该第一晶粒的第一接合层上，该散热件设置于该金属导热件上，该散热件具有一内表面、一第二接合层及一拦坝，该第二接合层及该拦坝形成于该内表面，该第二接合层抵接该金属导热件，该拦坝围绕该该金属导热件，且该拦坝可限位该金属导热件。藉此，可确保该金属导热件在经过后高温工艺时能被限位在该拦坝内，进而可防止该金属导热件因高温而熔融的流动。