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公开(公告)号：CN102110674A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010624748.0
申请日：2010-12-31
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体封装件。半导体封装件包括基板、导电件、半导体组件、封装体以及金属层。基板具有周边表面、上表面与下表面，周边表面具有基板侧面。导电件在基板中，导电件具有导电件侧面，导电件侧面暴露并实质上齐平于基板侧面。半导体组件在基板的上表面上并与基板电性连接。封装体覆盖基板的上表面及半导体组件。封装体有外表面，外表面具有封装体侧面，封装体侧面与基板侧面实质上齐平。金属层在基板的周边表面与封装体的外表面上，金属层与导电件电性连接。金属层包括防电磁干扰金属层以及防锈金属层。防锈金属层覆盖防电磁干扰金属层。
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公开(公告)号：CN107275241A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710616109.1
申请日：2014-02-27
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
摘要： 半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
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公开(公告)号：CN101252099B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810083032.7
申请日：2008-03-18
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/73204
摘要： 一种适于加热芯片倒装封装结构的温度循环测试装置。芯片倒装封装结构包括第一基板、芯片、第一承载基板与多个第一焊球，芯片与第一承载基板分别配置于第一基板之上表面与下表面。其中，芯片是以芯片倒装接合方式与第一基板电性连接。第一焊球配置于第一基板与第一承载基板之间，且第一基板与第一承载基板由第一焊球而电性连接。温度循环测试装置包括第二基板、热测试芯片、多个凸块、第二承载基板与多个第二焊球。第二基板具有上表面与下表面，而热测试芯片配置于第二基板的上表面上方且贴附于芯片上。凸块配置于第二基板与热测试芯片之间并电性连接第二基板与热测试芯片。第二承载基板配置于第二基板的下表面的下方，而第二焊球配置于第二基板与第二承载基板之间并电性连接第二基板与第二承载基板。
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公开(公告)号：CN101252099A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810083032.7
申请日：2008-03-18
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/73204
摘要： 一种适于加热芯片倒装封装结构的温度循环测试装置。芯片倒装封装结构包括第一基板、芯片、第一承载基板与多个第一焊球，芯片与第一承载基板分别配置于第一基板之上表面与下表面。其中，芯片是以芯片倒装接合方式与第一基板电性连接。第一焊球配置于第一基板与第一承载基板之间，且第一基板与第一承载基板由第一焊球而电性连接。温度循环测试装置包括第二基板、热测试芯片、多个凸块、第二承载基板与多个第二焊球。第二基板具有上表面与下表面，而热测试芯片配置于第二基板的上表面上方且贴附于芯片上。凸块配置于第二基板与热测试芯片之间并电性连接第二基板与热测试芯片。第二承载基板配置于第二基板的下表面的下方，而第二焊球配置于第二基板与第二承载基板之间并电性连接第二基板与第二承载基板。
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公开(公告)号：CN104009023B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410069420.5
申请日：2014-02-27
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/367 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/60 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L24/17 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/19015 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要： 本发明涉及一种具有热增强型共形屏蔽的半导体封装及相关方法，半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
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公开(公告)号：CN107275241B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710616109.1
申请日：2014-02-27
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
摘要： 半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
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公开(公告)号：CN102110674B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010624748.0
申请日：2010-12-31
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体封装件。半导体封装件包括基板、导电件、半导体组件、封装体以及金属层。基板具有周边表面、上表面与下表面，周边表面具有基板侧面。导电件在基板中，导电件具有导电件侧面，导电件侧面暴露并实质上齐平于基板侧面。半导体组件在基板的上表面上并与基板电性连接。封装体覆盖基板的上表面及半导体组件。封装体有外表面，外表面具有封装体侧面，封装体侧面与基板侧面实质上齐平。金属层在基板的周边表面与封装体的外表面上，金属层与导电件电性连接。金属层包括防电磁干扰金属层以及防锈金属层。防锈金属层覆盖防电磁干扰金属层。
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公开(公告)号：CN102244069A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110203809.0
申请日：2011-07-11
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 一种具有凹部的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板、电性组件、封装体及电磁干扰屏蔽组件。基板具有凹部、上表面、底面、下表面及一侧面且包括接地部。基板的下表面位于上表面与底面之间，基板的凹部从基板的下表面延伸至底面，基板的侧面延伸于上表面与下表面之间。电性组件邻近基板的上表面设置。封装体包覆电性组件。电磁干扰屏蔽组件覆盖封装体、接地部及基板的侧面。
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公开(公告)号：CN104009023A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410069420.5
申请日：2014-02-27
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/367 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/60 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L24/17 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/19015 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要： 本发明涉及一种具有热增强型共形屏蔽的半导体封装及相关方法，半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
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公开(公告)号：CN102244069B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110203809.0
申请日：2011-07-11
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 一种具有凹部的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板、电性组件、封装体及电磁干扰屏蔽组件。基板具有凹部、上表面、底面、下表面及一侧面且包括接地部。基板的下表面位于上表面与底面之间，基板的凹部从基板的下表面延伸至底面，基板的侧面延伸于上表面与下表面之间。电性组件邻近基板的上表面设置。封装体包覆电性组件。电磁干扰屏蔽组件覆盖封装体、接地部及基板的侧面。
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