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公开(公告)号：CN104347533A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310331676.4
申请日：2013-08-01
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L21/60
摘要： 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、数个芯片、封装体、贯穿部、导电元件及屏蔽层。基板包括接地部。芯片设于基板。封装体包覆芯片且具有上表面。贯穿部从封装体贯的上表面延伸至接地部，贯穿部隔离此些芯片。导电元件填入贯穿部内以电性电接接地部。屏蔽层形成于封装体的外侧面及上表面，且通过导电元件电性连接接地部。其中，导电元件具有数个孔洞，此些孔洞占导电元件的比例小于50%。
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公开(公告)号：CN111463192A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010331503.2
申请日：2013-08-01
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
摘要： 一种半导体封装件，包括：一接地部；一封装体，包覆接地部且具有一上表面；一贯穿部，从封装体的上表面延伸至接地部；一导电元件，填满贯穿部且电性连接接地部；以及一屏蔽层，形成于封装体的上表面，且通过导电元件电性连接接地部；其中，导电元件由数个导电颗粒经过熔融过程而产生导电层。
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公开(公告)号：CN103137611A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310021658.6
申请日：2013-01-22
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/563 , H01L24/81 , H01L2224/10165 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/1319 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81203 , H01L2224/8123 , H01L2224/81234 , H01L2224/81815 , H01L2224/81868 , H01L2224/81885 , H01L2224/8192 , H01L2224/83104 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06568 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/014
摘要： 本发明公开一种晶片堆迭构造及其制造方法，所述晶片堆迭构造包含一基板、一下晶片、一下底部填充胶、一上晶片、一上底部填充胶及数个第一接合胶块。所述第一接合胶块设置在所述下晶片与上晶片之间及所述上晶片的数个角隅处且分别接合所述下晶片与所述上晶片。通过将所述第一接合胶块分别贴附在所述上晶片底面的角隅处，并通过加热使所述第一接合胶块固定接合于所述上晶片的角隅及下晶片之间，进而在填充上底部填充胶的过程中，避免所述上晶片的角隅或边缘处发生翘曲而造成接触不良的情形。
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公开(公告)号：CN104347533B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201310331676.4
申请日：2013-08-01
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L21/60
摘要： 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、数个芯片、封装体、贯穿部、导电元件及屏蔽层。基板包括接地部。芯片设于基板。封装体包覆芯片且具有上表面。贯穿部从封装体的上表面延伸至接地部，贯穿部隔离此些芯片。导电元件填入贯穿部内以电性连接接地部。屏蔽层形成于封装体的外侧面及上表面，且通过导电元件电性连接接地部。其中，导电元件具有数个孔洞，此些孔洞占导电元件的比例小于50％。
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