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公开(公告)号：CN107210237A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074691.2
申请日：2015-12-08
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/683 , H01L23/482
CPC分类号： H01L24/32 , H01L21/4825 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/482 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/31 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/03416 , H01L2224/03418 , H01L2224/03444 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05075 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/17106 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29171 , H01L2224/29565 , H01L2224/29582 , H01L2224/29655 , H01L2224/29666 , H01L2224/3003 , H01L2224/30505 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/81439 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2224/83439 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2224/8481 , H01L2224/8581 , H01L2224/8681 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/01327 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/20642 , H01L2224/48
摘要： 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。
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公开(公告)号：CN103094138A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210433490.5
申请日：2012-11-02
申请人： 国际商业机器公司
发明人： S·V·源
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/488 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13025 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13649 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13666 , H01L2224/13676 , H01L2224/13681 , H01L2224/13684 , H01L2224/16145 , H01L2224/16501 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/2958 , H01L2224/29649 , H01L2224/29655 , H01L2224/29657 , H01L2224/29666 , H01L2224/29676 , H01L2224/29681 , H01L2224/29684 , H01L2224/32501 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/83005 , H01L2224/83193 , H01L2224/8383 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/00012 , H01L2924/053 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。
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公开(公告)号：CN104661786A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201280076109.2
申请日：2012-09-28
申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： B23K20/02 , H01L23/488
CPC分类号： B32B37/16 , B23K20/02 , B23K20/023 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/24 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/0036 , B32B2309/025 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C28/02 , C25D5/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29684 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L23/488 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/2011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 涂覆及接合衬底的方法。本发明涉及一种经由沉积第一材料而对第一衬底(1)涂覆第一扩散接合层(5)的方法，其在第一衬底(1)的第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm的与该第一表面(1o)平行的平均粒直径H的粒表面。此外，本发明涉及一种采用以下步骤，尤其是以下流程将已如此涂覆的第一衬底(1)接合至具有第二扩散接合层(4)的第二衬底(3)的方法：-使第一衬底(1)的第一扩散接合层(5)与第二衬底(3)的第二扩散接合层接触，-将该衬底(1、3)压在一起而形成该第一及第二衬底(1、3)间的永久金属扩散接合。
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公开(公告)号：CN103094138B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210433490.5
申请日：2012-11-02
申请人： 国际商业机器公司
发明人： S·V·源
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/488 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13025 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13649 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13666 , H01L2224/13676 , H01L2224/13681 , H01L2224/13684 , H01L2224/16145 , H01L2224/16501 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/2958 , H01L2224/29649 , H01L2224/29655 , H01L2224/29657 , H01L2224/29666 , H01L2224/29676 , H01L2224/29681 , H01L2224/29684 , H01L2224/32501 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/83005 , H01L2224/83193 , H01L2224/8383 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/00012 , H01L2924/053 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。
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公开(公告)号：CN1779959A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114180.7
申请日：2005-10-26
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 田中秀一
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/562 , G02F1/13458 , H01L21/563 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L24/91 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/0233 , H01L2224/0236 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/11831 , H01L2224/13016 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/13624 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13671 , H01L2224/13684 , H01L2224/16225 , H01L2224/27825 , H01L2224/27831 , H01L2224/29008 , H01L2224/29013 , H01L2224/29017 , H01L2224/29023 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/29563 , H01L2224/2957 , H01L2224/29582 , H01L2224/29624 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29655 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29671 , H01L2224/29684 , H01L2224/29695 , H01L2224/30155 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01066 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01084
摘要： 一种半导体装置，具备：半导体元件，在所述半导体元件上形成的电极焊盘，与所述电极焊盘导电连接的凸块电极；所述凸块电极，具备在所述半导体元件的有源面上形成的树脂突起，和从所述电极焊盘到所述树脂突起的表面配置的导电膜；所述导电膜和所述树脂突起，被非贴紧地配置的半导体装置。
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公开(公告)号：CN104661786B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201280076109.2
申请日：2012-09-28
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： B23K20/02 , H01L23/488
CPC分类号： B32B37/16 , B23K20/02 , B23K20/023 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/24 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/0036 , B32B2309/025 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C28/02 , C25D5/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29684 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/2011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 涂覆及接合衬底的方法。本发明涉及一种经由沉积第一材料而对第一衬底(1)涂覆第一扩散接合层(5)的方法，其在第一衬底(1)的第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm的与该第一表面(1o)平行的平均粒直径H的粒表面。此外，本发明涉及一种采用以下步骤，尤其是以下流程将已如此涂覆的第一衬底(1)接合至具有第二扩散接合层(4)的第二衬底(3)的方法：‑使第一衬底(1)的第一扩散接合层(5)与第二衬底(3)的第二扩散接合层接触，‑将该衬底(1、3)压在一起而形成该第一及第二衬底(1、3)间的永久金属扩散接合。
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公开(公告)号：CN100424862C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510114180.7
申请日：2005-10-26
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 田中秀一
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/562 , G02F1/13458 , H01L21/563 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L24/91 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/0233 , H01L2224/0236 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/11831 , H01L2224/13016 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/13624 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13671 , H01L2224/13684 , H01L2224/16225 , H01L2224/27825 , H01L2224/27831 , H01L2224/29008 , H01L2224/29013 , H01L2224/29017 , H01L2224/29023 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/29563 , H01L2224/2957 , H01L2224/29582 , H01L2224/29624 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29655 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29671 , H01L2224/29684 , H01L2224/29695 , H01L2224/30155 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01066 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01084
摘要： 一种半导体装置，具备：半导体元件，在所述半导体元件上形成的电极焊盘，与所述电极焊盘导电连接的凸块电极；所述凸块电极，具备在所述半导体元件的有源面上形成的树脂突起，和从所述电极焊盘到所述树脂突起的表面配置的导电膜；所述导电膜和所述树脂突起，被非贴紧地配置的半导体装置。
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