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公开(公告)号：CN104752239B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201310753305.5
申请日：2013-12-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯集成电路(宁波)有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/488
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/50 , H01L2224/03614 , H01L2224/0382 , H01L2224/08145 , H01L2224/80355 , H01L2225/06513 , H01L2924/06 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体器件、制备方法及封装方法，所述制备方法包括提供基底，所述基底上形成有层间介电层；在所述层间介电层中形成接合焊盘；在所述层间介电层和所述接合焊盘上形成接合材料层，以覆盖所述层间介电层和所述接合焊盘；图案化所述接合材料层，以在所述接合材料层中形成开口，露出所述接合焊盘。本发明为了解决现有技术中存在的问题，在目前的工艺流程中，在图案化密度（pattern density）的影响下，增加上下两片硅片界面之间的接合力。具体地，本发明通过增加苯并环丁烯BCB材料层，在接合工艺中，不仅是Cu‑Cu接合，还包括苯并环丁烯BCB材料层之间的接合，实现混合接合，来增加上下两片硅片界面之间的接合力，使得可靠性增强。
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公开(公告)号：CN108766873A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810604777.7
申请日：2011-01-25
申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要： 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。
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公开(公告)号：CN108470679A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810608288.9
申请日：2011-01-25
申请人： EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/70 , H01L21/762 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要： 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，和在所述第一和第二接触表面(3,4)之间形成永久接合，通过使第一起始物与第二基板(2)的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化所述永久接合，其中该贮液槽(5)是由等离子体活化作用而形成的，其中等离子体处理中存在的离子的还原种类位于该贮液槽(5)中。
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公开(公告)号：CN105448862B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201410514075.1
申请日：2014-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109
摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。
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公开(公告)号：CN104513632B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410521172.3
申请日：2014-09-30
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01B5/14
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2712 , H01L2224/29005 , H01L2224/29083 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/30101 , H05K3/323 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/0532 , H01L2924/01012 , H01L2924/05342 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/053 , H01L2924/01083 , H01L2924/0536 , H01L2924/01042 , H01L2924/0535 , H01L2924/01023 , H01L2924/01041 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01006
摘要： 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN104205328B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380012403.1
申请日：2013-02-13
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 梨子田典弘
CPC分类号： H01L24/09 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L24/01 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L2224/0401 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13369 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1623 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/81048 , H01L2224/81065 , H01L2224/81091 , H01L2224/81095 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81359 , H01L2224/81385 , H01L2224/8184 , H01L2224/92242 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/1304 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/35 , H01L2924/351 , H05K3/32 , H05K3/3436 , H05K3/4015 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/01 , H01L2224/80 , H01L2924/00012
摘要： 在使用金属纳米粒子对导电柱(8)和被接合构件即半导体芯片(6)或带导电图案的绝缘基板(4)进行金属粒子接合的情况下，通过将导电柱(8)的前端的底面(12)形成为凹状，从而能获得牢固的接合层。
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公开(公告)号：CN103314651B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201180062276.7
申请日：2011-12-16
申请人： 安美特德国有限公司
IPC分类号： H05K3/24 , H01L23/498
CPC分类号： H05K13/04 , H01B1/02 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/03464 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05464 , H01L2224/05664 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/48664 , H01L2224/48864 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85205 , H01L2224/85464 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/20105 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H05K1/09 , H05K3/244 , H05K2203/049 , H05K2203/072 , H05K2203/095 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01005 , H01L2924/20752 , H01L2924/01007 , H01L2924/01001
摘要： 本发明涉及将铜线键合到基板尤其是印刷电路板和IC基板上的方法，所述基板具有包括铜键合部分和钯或钯合金层的层组合件，还涉及具有键合到上述层组合件上的铜线的基板。
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公开(公告)号：CN106158675A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510193619.3
申请日：2015-04-22
申请人： 田中电子工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/45 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/456 , H01L2224/48247 , H01L2224/78601 , H01L2224/85045 , H01L2224/85203 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/013 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/01079 , H01L2924/01204 , H01L2924/01008 , H01L2924/00015 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753 , H01L2924/00014 , H01L2924/20105 , H01L2924/00 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004
摘要： 本发明的目的在于提供一种银金合金接合线，其即使是高纯度的银金合金接合线，相较于目前为止相同组成成分的银金合金，对于在树脂密封情况下的热冲击性发挥较优异的效果。另外，本发明的目的是提供一种卷绕于滚动条上的银金合金接合线的退绕性良好的银金合金接合线。本发明的银金合金接合线，其特征为：在由银金合金所形成的接合线中，以质量百分比来说，含有10％以上30％以下的金(Au)、含有30ppm以上90ppm以下的钙(Ca)，剩余部分由上述元素以外的金属元素的纯度99.99％以上的银(Ag)所形成的合金，在该合金的表层形成氧(O)和钙(Ca)的浓化层，且在该表层的正下层形成金浓化层。
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公开(公告)号：CN106105404A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014359.7
申请日：2015-02-13
申请人： 迪睿合株式会社
发明人： 松岛隆行
CPC分类号： H05K3/3494 , G09F9/00 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2924/12044 , H01L2924/20105 , H05K1/189 , H05K3/321 , H05K3/323 , H05K2201/10128 , H05K2201/10136 , H01L2924/00012
摘要： 使采用各向异性导电膜（12）的电子部件（9）与电极（6）之间的电连接可靠。先在可挠性基板（11）的安装区域（10）的背面侧粘贴粘附膜（20），在表面侧搭载电子部件（9）。粘附膜（20）在基体材料膜（22）上形成有粘附剂层（21），在粘附剂层（21）的粘附剂（26）中，含有一次粒径小于100nm的硅石微粒子（25），在160℃中的剪切储能模量为0.15MPa以上。在安装区域（10）上配置各向异性导电膜（12）并在其上加热扩按压而搭载电子部件（9）时，粘附剂层（21）中的粘附剂（26）不会挤出很多，而夹在凸块（13）与电极（6）之间的导电粒子（19）被按压而压垮，因此电连接变得可靠。
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公开(公告)号：CN104169383B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380012784.3
申请日：2013-03-05
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： C09J7/00 , C09J161/20 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： C09J7/00 , C09J7/10 , C09J113/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2413/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/27001 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49179 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00 , H01L2224/48095 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 本发明的粘接片材由包含(A)高分子量成分、(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、和(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂的树脂组合物形成，并且以该树脂组合物100质量％为基准，含有11～22质量％的上述(A)高分子量成分、10～20质量％的上述(B1)软化点低于50℃的热固化性成分、10～20质量％的上述(B2)软化点为50℃以上且100℃以下的热固化性成分、15～30质量％的上述(C)软化点为100℃以下的酚醛树脂。
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