公开(公告)号：CN104513632A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410521172.3

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 申颍株 ,  姜炅求 ,  金智软 ,  朴憬修 ,  申遇汀 ,  郑光珍 ,  黄慈英

IPC: C09J7/00 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J11/04 ,  C09J9/02 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/30101 ,  H05K3/323 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01006

Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。

公开(公告)号：CN101656245B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN200910160950.X

申请日：2009-07-31

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 朴昌根 ,  宋星辉 ,  金龙珠 ,  韩成宇 ,  宋喜雄 ,  吴益秀 ,  金亨洙 ,  黄泰镇 ,  崔海郎 ,  李智王 ,  张在旻

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/09 ,  H01L27/1052 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/09515 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体存储器件，其包括具有芯片垫区域的半导体电路衬底，芯片垫区域在半导体电路衬底上以第一方向延伸。在半导体电路衬底上且在以芯片垫区域为基准的下列上形成一对数据线。该对数据线在半导体电路衬底上延伸。该对数据线彼此相邻并且接收一对差分数据信号。在半导体电路衬底上且在以芯片垫区域为基准的上列上形成电力线。电力线在半导体电路衬底上延伸并且接收电力，芯片垫区域包括：第一和第二数据垫，其电连接至该对数据线；和电力垫，其电连接至电力线，电力垫介于第一和第二数据垫之间，在电力垫与第一数据垫之间实现电连接所经距离与在电力垫与第二数据垫之间实现电连接所经距离相一致，从而使有效端接电阻被控制为相同。

公开(公告)号：CN104037145A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410082088.6

申请日：2014-03-07

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： T·周 ,  R·阿格拉瓦尔 ,  A·乔杜里

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231

Abstract: 本发明提供了一种器件和制造工艺，其采用晶片级封装工艺来制造包括由垫限定的接触的半导体器件。在各实施方式中，采用本发明工艺的晶片级封装器件包括：基板；钝化层；顶部金属触垫；薄膜，其中形成有导通孔；再分布层结构，其构造成与顶部金属触垫接触；以及位于薄膜和再分布层结构上的电介质层。在各实施方式中，采用本发明工艺的用于制造晶片级封装器件的方法包括：处理基板；形成钝化层；沉积顶部金属触垫；形成薄膜，其中形成有导通孔；在形成于薄膜中的导通孔中形成再分布层结构；以及在薄膜和再分布层结构上形成电介质层。

公开(公告)号：CN104037145B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410082088.6

申请日：2014-03-07

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： T·周 ,  R·阿格拉瓦尔 ,  A·乔杜里

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231

Abstract: 本发明提供了一种器件和制造工艺，其采用晶片级封装工艺来制造包括由垫限定的接触的半导体器件。在各实施方式中，采用本发明工艺的晶片级封装器件包括：基板；钝化层；顶部金属触垫；薄膜，其中形成有导通孔；再分布层结构，其构造成与顶部金属触垫接触；以及位于薄膜和再分布层结构上的电介质层。在各实施方式中，采用本发明工艺的用于制造晶片级封装器件的方法包括：处理基板；形成钝化层；沉积顶部金属触垫；形成薄膜，其中形成有导通孔；在形成于薄膜中的导通孔中形成再分布层结构；以及在薄膜和再分布层结构上形成电介质层。

公开(公告)号：CN103855118B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201310647631.8

申请日：2013-12-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大部功 ,  长壁伸也

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/351 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/451 ,  H03H9/0514 ,  H03H9/059 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法。该带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法用于防止半导体芯片的特性变化及半导体基板与安装基板之间的连接不良。带凸部的电子元器件包括：电路基板（1）；以及多个凸部（B1、B2），该多个凸部（B1、B2）形成于电路基板（1）的基板主面上，所述多个凸部（B1、B2）在与基板主面平行的方向上的截面积不同。另外，凸部（B1、B2）中截面积较小的凸部（B1）在垂直方向上具有高度调整层（5）。

公开(公告)号：CN104380462A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380028042.X

申请日：2013-04-09

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈山芳央

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

CPC classification number: H02M7/537 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/50 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/30107 ,  H02M1/088 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及并联驱动三个以上的功率半导体元件来进行功率转换的功率半导体装置，其目的在于降低施加于各功率半导体元件的端子间的电压的偏差，提高功率半导体元件的寿命、功率半导体装置的可靠性。为了达到该目的，本发明包括：并列搭载在金属布线(4)上的三个以上的功率半导体元件(701～704)；与金属布线(4)不同的金属布线(5)，功率半导体元件的一个端子与布线(4)相连接，另一个端子与布线(5)相连接，在该功率半导体装置中，搭载有功率半导体元件(701～704)的区域的金属布线(4)的电阻值在电流的流动方向的下游侧比上游侧大。

公开(公告)号：CN101656245A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910160950.X

申请日：2009-07-31

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 朴昌根 ,  宋星辉 ,  金龙珠 ,  韩成宇 ,  宋喜雄 ,  吴益秀 ,  金亨洙 ,  黄泰镇 ,  崔海郎 ,  李智王 ,  张在旻

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/09 ,  H01L27/1052 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/09515 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器件，其包括具有芯片垫形成区域的半导体电路衬底。在半导体电路衬底上、芯片垫区域的一侧形成一对数据线。该对数据线沿着半导体电路衬底的芯片垫区域延伸的方向延伸。该对数据线被布置成彼此相邻并且接收一对差分数据信号。在半导体电路衬底上、芯片垫区域的另一侧形成电力供应线。电力供应线沿着半导体电路衬底的芯片垫区域延伸的方向延伸，并且电力供应线接收电力。

公开(公告)号：CN107123382A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710091645.4

申请日：2017-02-21

Applicant: 硅工厂股份有限公司

Inventor： 金永福 ,  李东勋 ,  全炫奎 ,  罗俊皞

IPC: G09G3/00

CPC classification number: H01L22/34 ,  G01R27/205 ,  G01R31/046 ,  G01R31/2884 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0408 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 公开一种包括接合电阻测量电路的显示驱动装置。该显示驱动装置可以包括：第一焊盘和第二焊盘，其通过导线接合至显示面板的焊盘并且被配置成提供接合电阻；和接合电阻测量电路，其被配置成：通过比较通过所述第一焊盘施加至所述接合电阻的输入电压和一个或多个预设参比电压而测量所述接合电阻。

公开(公告)号：CN104513632B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410521172.3

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 申颍株 ,  姜炅求 ,  金智软 ,  朴憬修 ,  申遇汀 ,  郑光珍 ,  黄慈英

IPC: C09J7/00 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J11/04 ,  C09J9/02 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/30101 ,  H05K3/323 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0536 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0535 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01006

Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。

公开(公告)号：CN105794094A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201380081425.3

申请日：2013-12-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河面英夫 ,  王丸武志 ,  齐藤省二

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/32

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/00 ,  H01L23/049 ,  H01L23/053 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/30101 ,  H02M1/08 ,  H02M2001/325 ,  H03K17/0828 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种电力设备所使用的半导体装置，该半导体装置具有：基座板(16)；绝缘基板(29)，其搭载于基座板(16)之上；以及电力用开关元件(21)，其通过焊料层(31)而接合于绝缘基板之上，由基座板(16)、绝缘基板(29)以及电力用开关元件(21)构成模块，在模块之上具有控制基板(CS)，在该半导体装置中，控制基板(CS)具有可变栅极电压电路(90)，该可变栅极电压电路(90)对电力用开关元件(21)的集电极－发射极间电压进行测定，对栅极电压进行变更，以将由集电极－发射极间电压和集电极电流之积所规定的任意的目标电力供给至电力用开关元件(21)。