公开(公告)号：CN108281410A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711462241.8

申请日：2013-06-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林育蔚 ,  吴胜郁 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了凸块导线直连(BOT)结构的一个实施例，包括：由集成电路支撑的接触元件、与接触元件电连接的凸块下金属(UBM)部件、设置在凸块下金属部件和集成电路之间的绝缘层和钝化层；安装在凸块下金属部件上的金属梯状凸块和安装在衬底上的衬底导线，其中，金属梯状凸块具有第一楔形轮廓，并具有最接近集成电路的安装端和离集成电路最远的末端，末端的宽度介于10μm至80μm之间，安装端的宽度介于20μm至90μm之间，该衬底导线具有第二楔形轮廓并且通过直接金属与金属接合连接至金属梯状凸块。可以以类似的方式制造芯片与芯片结构的实施例。本发明还提供了互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104037143B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201310364727.3

申请日：2013-08-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  李明机 ,  陈承先 ,  曾裕仁

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种封装件以及制造封装件的方法。实施例封装件包括支撑导电柱的集成电路，具有在每个嵌入式金属迹线上的接触焊盘的衬底，接触焊盘宽度大于相应的嵌入式金属迹线宽度，以及将导电柱电连接至接触焊盘的导电材料。在实施例中，接触焊盘与金属迹线在一个方向上相重叠。本发明还公开了具有与接触焊盘重叠的嵌入式金属迹线的衬底的封装件。

公开(公告)号：CN104508809B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201280074905.2

申请日：2012-07-26

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： M.温普林格

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种将第一至少大致透明衬底(1)的第一接触面(3)接合至第二至少大致透明衬底(2)的第二接触面(4)的方法，在所述接触面的至少一者上使用氧化物来进行接合，在第一及第二接触面(3、4)上由该氧化物形成至少大致透明的连接层(14)，其具有：至少10e1S/cm2的电导率(测量：四点法，相对于300K的温度)及大于0.8的光透射率(针对400 nm至1500 nm的波长范围)。

公开(公告)号：CN104051288B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201310485415.8

申请日：2013-10-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  刘人诚 ,  陈晓萌 ,  黄信华 ,  林宏桦 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。

公开(公告)号：CN102473683B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201080031811.8

申请日：2010-07-14

申请人： 斯兰纳半导体美国股份有限公司

发明人： P.A.尼加德 ,  S.B.莫林 ,  M.A.斯图伯

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/78 ,  H01L21/84 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明实施例实现了对绝缘体上半导体(SOI)结构的散热。在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。在第一步骤中，在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成有源电路。在第二步骤中，从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料。在第三步骤中，从所述绝缘体上半导体绝缘的所述背侧去除绝缘材料以形成挖掉的绝缘区域。在第四步骤中，在所述挖掉的绝缘区域中沉积散热层。所述散热层是导热的并且是电绝缘的。

公开(公告)号：CN102969336B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210055411.1

申请日：2012-03-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 远藤光芳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L23/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/76256 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/05042

摘要： 本发明提供半导体晶片及具备该半导体晶片的叠层构造体。根据一个实施方式，半导体晶片具备半导体基板和形成在半导体基板上的布线层。在该半导体晶片中，半导体基板具备位于半导体基板的外周部、且未被布线层覆盖的第1区域，布线层具备布线层的上表面大致平坦的第2区域，在第1区域形成了第1绝缘膜，第2区域的布线层的上表面和第1绝缘膜的上表面大致为同一面。

公开(公告)号：CN102867847A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210233277.X

申请日：2012-07-05

申请人： 索尼公司

发明人： 香川恵永 ,  青柳健一 ,  萩本贤哉 ,  藤井宣年

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80091 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。

公开(公告)号：CN101996953A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010250512.5

申请日：2010-08-10

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 刘建宏 ,  周正德

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05688 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开一种芯片封装体及其制造方法。实施例的芯片封装体包括：一半导体基板，具有相反的第一表面与第二表面，以及至少一接垫区与至少一元件区；多个导电垫结构，位于半导体基板的第一表面，且位于半导体基板的接垫区上；多个相互隔离的重掺杂区，设于导电垫结下方且与该些导电垫结构电连接；以及，多个导电凸块，设于重掺杂区下方，且经由重掺杂区与导电垫结构形成电连接。

公开(公告)号：CN1076998C

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN97122740.3

申请日：1997-10-17

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  田中电子工业株式会社

发明人： 小柏俊典 ,  有川孝俊 ,  横沢真覩 ,  青井和廣 ,  泽田良治

IPC分类号： B23K35/26

CPC分类号： H01L24/48 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/42 ,  C22C13/00 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/045 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754

摘要： 无铅高温软钎焊材料，并且液相线温度是200-350℃。将以Sn为基体金属，配入规定量的Pd，真空熔炼后锻造成合金锭，轧制成带材，经冲压加工制成软钎料小圆片。优选的成分是含95.0%(重量)以上的Sn和0.005-3.0%(重量)的Pd，再添加0.1-5.0%(重量)平均粒径40μm左右的Ni、Cu等金属或合金粒子。通过IC芯片下面的镀Ni层和管芯表面的镀Ni层，用软钎料将基板与芯片状的电子元件半导体IC芯片大致平行地连接(芯片焊接)。

公开(公告)号：CN108028229A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053250.9

申请日：2016-08-03

申请人： 美光科技公司

发明人： G·马里奥蒂尼 ,  S·瓦德哈维卡 ,  W·黄 ,  A·查杜鲁 ,  M·博斯勒

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02135 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03906 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/053

摘要： 本发明涉及用于裸片间及/或封装间互连件的凸块下金属UBM结构环的制造及相关联的系统。一种半导体裸片包含：半导体材料，其具有固态组件；及互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料。凸块下金属UBM结构形成于所述半导体材料上方且电耦合到对应互连件。套环包围所述UBM结构的侧表面的至少一部分，且焊接材料安置于所述UBM结构的顶面上方。