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公开(公告)号：CN110389153A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811433395.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。
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公开(公告)号：CN109813717A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810564614.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种缺陷检查方法。在此方法中，从通过在至少一个晶片上执行热扫描的至少一个光学检查工具获得的检查图像中获取多个候选缺陷图像，且从检查图像提取多个属性。创建包含用于对候选缺陷图像进行分类的多个决策树的随机森林分类器，其中决策树是以属性和候选缺陷图像的不同子集来建构。在运行期间从光学检查工具获取多个候选缺陷图像并将其应用于决策树，且根据其中过滤出扰乱图像的决策树的投票来将候选缺陷图像分类成扰乱图像和实际缺陷图像。对具有超过置信度值的投票的实际缺陷图像进行取样以用于微观审查。藉此，可改进扰乱过滤的效率。
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公开(公告)号：CN104347349B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310471415.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/02041 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/02334 , H01L21/187 , H01L21/67017 , H01L21/67196 , H01L21/68707 , H01L33/0079 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属‑氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。
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公开(公告)号：CN103794584A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310046609.8
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。
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公开(公告)号：CN114724971A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110727771.0
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的一部分涉及一种半导体结构检查方法，所述半导体结构检查方法将高原子序数材料施加到晶片的半导体结构的一个或多个表面。一个或多个表面在与晶片的表面的深度不同的深度处。使电子束扫描遍及半导体结构，以使得在集电极处收集反向散射电子信号。基于集电极处的由高原子序数材料产生的反向散射电子信号的强度来产生半导体结构的轮廓扫描。高原子序数材料增加半导体结构的一个或多个表面的反向散射电子信号的强度，使得轮廓扫描中的对比度增加。轮廓扫描的增加的对比度实现半导体结构的准确临界尺寸测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110389153B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201811433395.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。
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公开(公告)号：CN112447542A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010875511.3
申请日：2020-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例涉及半导体晶片检验方法及其系统。本发明实施例提供一种半导体晶片检验方法。所述方法包含以下操作。扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化。根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。本发明实施例也提供半导体晶片检验系统。
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公开(公告)号：CN104518025B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201310689575.4
申请日：2013-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/3083 , H01L21/76224 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/161 , H01L29/66537 , H01L29/66795 , H01L29/7853
Abstract: 本发明公开的一种半导体器件包括具有第一线性表面和第一非线性表面的沟道。第一非线性表面限定在约80度至约100度的第一外角和在约80度至约100度的第二外角。所述半导体器件包括覆盖位于源极区和漏极区之间的沟道的介电区。所述半导体器件包括覆盖位于源极区和漏极区之间的介电区的栅电极。本发明还公开了具有非线性表面（non‑linear surface）的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104347758B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410314942.7
申请日：2014-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035254 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种形成背照式光敏器件的方法，包括：在牺牲衬底上形成渐变牺牲缓冲层；在渐变牺牲缓冲层上形成均匀层；在均匀层上形成第二渐变缓冲层；在第二渐变缓冲层上形成硅层；将器件层接合至硅层；以及去除渐变牺牲缓冲层和牺牲衬底。本发明还提供了一种光敏器件。
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公开(公告)号：CN104576598B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201410012112.9
申请日：2014-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开的一种半导体布置包括有源区，该有源区包括半导体器件。该半导体布置包括电容器，该电容器具有第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的绝缘层。至少三个介电层位于电容器的底面和有源区之间。本发明还公开了具有与有源区分隔开的电容器的半导体布置。
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