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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111103317B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910994618.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明一些实施例提供一种用于扫描晶片的方法及系统。所述系统捕捉晶片的缺陷图像，且基于参考图像产生模型产生对应于第一缺陷图像的参考图像。所述系统基于所述缺陷图像及所述参考图像产生缺陷标记图像。
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公开(公告)号：CN114724971A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110727771.0
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的一部分涉及一种半导体结构检查方法，所述半导体结构检查方法将高原子序数材料施加到晶片的半导体结构的一个或多个表面。一个或多个表面在与晶片的表面的深度不同的深度处。使电子束扫描遍及半导体结构，以使得在集电极处收集反向散射电子信号。基于集电极处的由高原子序数材料产生的反向散射电子信号的强度来产生半导体结构的轮廓扫描。高原子序数材料增加半导体结构的一个或多个表面的反向散射电子信号的强度，使得轮廓扫描中的对比度增加。轮廓扫描的增加的对比度实现半导体结构的准确临界尺寸测量。
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公开(公告)号：CN110389153B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201811433395.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。
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公开(公告)号：CN111103317A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910994618.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明一些实施例提供一种用于扫描晶片的方法及系统。所述系统捕捉晶片的缺陷图像，且基于参考图像产生模型产生对应于第一缺陷图像的参考图像。所述系统基于所述缺陷图像及所述参考图像产生缺陷标记图像。
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公开(公告)号：CN110389153A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811433395.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。
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