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公开(公告)号：CN111103317A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910994618.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明一些实施例提供一种用于扫描晶片的方法及系统。所述系统捕捉晶片的缺陷图像，且基于参考图像产生模型产生对应于第一缺陷图像的参考图像。所述系统基于所述缺陷图像及所述参考图像产生缺陷标记图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111103317B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910994618.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明一些实施例提供一种用于扫描晶片的方法及系统。所述系统捕捉晶片的缺陷图像，且基于参考图像产生模型产生对应于第一缺陷图像的参考图像。所述系统基于所述缺陷图像及所述参考图像产生缺陷标记图像。
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公开(公告)号：CN109979839A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810940702.6
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开部分实施例提供一种当道工艺检查方法。上述检查方法包括沿着两个相反方向，形成多个测试结构在一半导体晶圆上。每一测试结构包括一目标特征以及形成在目标特征上方的一样本特征。沿着上述两个相反方向，测试结构内的目标特征与样本特征间的偏移距离逐渐增加。上述检查方法也包括通过施加一电子束在测试结构上，以产生测试结构的一影像。上述检查方法还包括对影像执行一影像分析，以识别一现在中央位置，现在中央位置呈现有一最小的灰阶值或具有一最大的灰阶值。并且，上述检查方法包括根据现在中央位置计算一重叠误差。
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公开(公告)号：CN110783214A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910588010.4
申请日：2019-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例涉及晶片级测试方法及其测试结构，其中所述方法包含：将第一导电迹线的第一端耦合到自由电子源；用电子束扫描所述第一导电迹线及第二导电迹线的暴露表面；所述第一导电迹线及第二导电迹线是交替布置且间隔开的；在执行所述扫描的同时获得所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的图像；及基于所述图像确定所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的布线特性。
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公开(公告)号：CN110783214B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910588010.4
申请日：2019-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例涉及晶片级测试方法及其测试结构，其中所述方法包含：将第一导电迹线的第一端耦合到自由电子源；用电子束扫描所述第一导电迹线及第二导电迹线的暴露表面；所述第一导电迹线及第二导电迹线是交替布置且间隔开的；在执行所述扫描的同时获得所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的图像；及基于所述图像确定所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的布线特性。
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公开(公告)号：CN114724971A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110727771.0
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的一部分涉及一种半导体结构检查方法，所述半导体结构检查方法将高原子序数材料施加到晶片的半导体结构的一个或多个表面。一个或多个表面在与晶片的表面的深度不同的深度处。使电子束扫描遍及半导体结构，以使得在集电极处收集反向散射电子信号。基于集电极处的由高原子序数材料产生的反向散射电子信号的强度来产生半导体结构的轮廓扫描。高原子序数材料增加半导体结构的一个或多个表面的反向散射电子信号的强度，使得轮廓扫描中的对比度增加。轮廓扫描的增加的对比度实现半导体结构的准确临界尺寸测量。
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