公开(公告)号：CN114975366A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210485871.1

申请日：2022-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张硕文 ,  李宥贤 ,  刘明达 ,  张元耀

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/48

Abstract: 本说明书的一个方面涉及一种测试设备，包含：进阶程序控制监视器(APCM)，位于第一晶片中；多个衬垫，设置于进阶程序控制监视器上方且耦合到进阶程序控制监视器。多个衬垫位于第二晶片中。测试设备包含设置于第一晶片与第二晶片之间的测试单元。测试单元耦合到进阶程序控制监视器。测试单元包含介电质内的金属结构。测试设备包含在第一方向上从第一晶片穿过测试单元的介电质延伸到第二晶片的多个硅穿孔(TSV)。

公开(公告)号：CN115565900A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210217656.3

申请日：2022-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄嘉纬 ,  王威智 ,  郭政诚 ,  张元耀

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明实施例涉及测试电路及其操作方法。本公开提供一种晶片。所述晶片包含裸片、与所述裸片相邻的切割道及与所述切割道相邻的测试电路。所述测试电路包含第一开关、第二开关及第三开关。所述第一开关具有耦合到第一受测装置的第一节点及耦合到第一信号供应节点的第二节点。所述第二开关具有耦合到所述第二DUT的第一节点及耦合到所述第一信号供应节点的第二节点。所述第三开关具有直接耦合到所述第一DUT及所述第二DUT的第一节点。所述第三开关具有耦合到第二信号供应节点的第二节点。所述第三开关选择性地将所述第一DUT及所述第二DUT两者耦合到所述第二信号供应节点。

公开(公告)号：CN109979839A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201810940702.6

申请日：2018-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方上维 ,  王敬森 ,  张元耀 ,  林伟睿 ,  谢定华 ,  李沛轩 ,  黄郁琁

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开部分实施例提供一种当道工艺检查方法。上述检查方法包括沿着两个相反方向，形成多个测试结构在一半导体晶圆上。每一测试结构包括一目标特征以及形成在目标特征上方的一样本特征。沿着上述两个相反方向，测试结构内的目标特征与样本特征间的偏移距离逐渐增加。上述检查方法也包括通过施加一电子束在测试结构上，以产生测试结构的一影像。上述检查方法还包括对影像执行一影像分析，以识别一现在中央位置，现在中央位置呈现有一最小的灰阶值或具有一最大的灰阶值。并且，上述检查方法包括根据现在中央位置计算一重叠误差。

公开(公告)号：CN115565985A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943768.7

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄善瑜 ,  郑明达 ,  锺孝文 ,  萧景文 ,  洪丽钧 ,  张元耀 ,  谢孟修

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开实施例提出一种芯片结构及其形成方法。芯片结构包含基底，芯片结构包含基底上方的第一导线，芯片结构包含基底和第一导线上方的绝缘层。芯片结构包含绝缘层上方的导电柱。导电柱一体成型，导电柱具有下表面及自下表面凸出的底部凸出部，底部凸出部穿过第一导线上方的绝缘层，底部凸出部直接接触第一导线，并且第一导线在导电柱下方的第一部分的第一线宽小于导电柱的宽度。芯片结构包含导电柱上的焊料凸块。焊料凸块直接接触导电柱。