公开(公告)号：CN109979839A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201810940702.6

申请日：2018-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方上维 ,  王敬森 ,  张元耀 ,  林伟睿 ,  谢定华 ,  李沛轩 ,  黄郁琁

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开部分实施例提供一种当道工艺检查方法。上述检查方法包括沿着两个相反方向，形成多个测试结构在一半导体晶圆上。每一测试结构包括一目标特征以及形成在目标特征上方的一样本特征。沿着上述两个相反方向，测试结构内的目标特征与样本特征间的偏移距离逐渐增加。上述检查方法也包括通过施加一电子束在测试结构上，以产生测试结构的一影像。上述检查方法还包括对影像执行一影像分析，以识别一现在中央位置，现在中央位置呈现有一最小的灰阶值或具有一最大的灰阶值。并且，上述检查方法包括根据现在中央位置计算一重叠误差。

公开(公告)号：CN119517907A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411542030.5

申请日：2024-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖季晖 ,  陈扬哲 ,  陆湘台 ,  林伟睿 ,  廖则玮 ,  李明骏

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构包括：第一衬底，具有器件区域和围绕器件区域的环区域；第一互连结构，位于第一衬底上方，第一互连结构包括第一通孔塔和第二通孔塔；第一接合层，位于第一互连结构上方并且包括第一金属接合部件；第二接合层，位于第一接合层上方并且包括与第一金属接合部件接触的第二金属接合部件；以及第二互连结构，位于第二接合层上方，第二互连结构包括第三通孔塔，第三通孔塔延伸穿过第二互连结构并且设置在环区域正上方。第一通孔塔通过第一金属线电耦接到第二通孔塔。第一通孔塔通过第一金属接合部件和第二金属接合部件电耦接到第三通孔塔。本公开的实施例还提供了器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN220774370U

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202321799906.5

申请日：2023-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖季晖 ,  林伟睿 ,  陈扬哲 ,  陆湘台

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/544 ,  H01L23/528

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一电路区、第二电路区、内部切割道以及连接密封结构。第一电路区设置于衬底的上方且被第一密封环结构环绕。第二电路区设置于衬底的上方且被第二密封环结构环绕。内部切割道设置于第一电路区与第二电路区之间。连接密封结构连接第一密封环结构和第二密封环结构，使得第一密封环结构的部分、第二密封环结构的一部分和连接密封结构环绕内部切割道。本实用新型可以在装置开发阶段减少光掩模的数量。