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1.

发明公开
检查方法无效

公开(公告)号：CN109979839A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201810940702.6

申请日：2018-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方上维 , 王敬森 , 张元耀 , 林伟睿 , 谢定华 , 李沛轩 , 黄郁琁

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开部分实施例提供一种当道工艺检查方法。上述检查方法包括沿着两个相反方向，形成多个测试结构在一半导体晶圆上。每一测试结构包括一目标特征以及形成在目标特征上方的一样本特征。沿着上述两个相反方向，测试结构内的目标特征与样本特征间的偏移距离逐渐增加。上述检查方法也包括通过施加一电子束在测试结构上，以产生测试结构的一影像。上述检查方法还包括对影像执行一影像分析，以识别一现在中央位置，现在中央位置呈现有一最小的灰阶值或具有一最大的灰阶值。并且，上述检查方法包括根据现在中央位置计算一重叠误差。

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