公开(公告)号：CN114975366A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210485871.1

申请日：2022-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张硕文 ,  李宥贤 ,  刘明达 ,  张元耀

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/48

Abstract: 本说明书的一个方面涉及一种测试设备，包含：进阶程序控制监视器(APCM)，位于第一晶片中；多个衬垫，设置于进阶程序控制监视器上方且耦合到进阶程序控制监视器。多个衬垫位于第二晶片中。测试设备包含设置于第一晶片与第二晶片之间的测试单元。测试单元耦合到进阶程序控制监视器。测试单元包含介电质内的金属结构。测试设备包含在第一方向上从第一晶片穿过测试单元的介电质延伸到第二晶片的多个硅穿孔(TSV)。

公开(公告)号：CN115117019A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210331398.1

申请日：2022-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宥贤 ,  江彦廷 ,  丁世汎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开涉及集成电路芯片及其形成方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，其中键合焊盘结构延伸到具有高过孔密度的柱状结构。例如，互连结构位于衬底的正面，并且包括形成柱状结构的第一键合导线、第二键合导线和一个或多个键合过孔。键合过孔从第一键合导线延伸到第二键合导线。键合焊盘结构被插入衬底的与正面相反的背面，并且延伸至第一键合导线。第一键合导线或第二键合导线在平行于衬底的顶表面的平面上的第一投影具有第一面积，并且键合过孔在该平面上的第二投影具有第二面积，第二面积为第一面积的10％或更多，使得过孔密度较高。