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公开(公告)号：CN112447542B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010875511.3
申请日：2020-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例涉及半导体晶片检验方法及其系统。本发明实施例提供一种半导体晶片检验方法。所述方法包含以下操作。扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化。根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。本发明实施例也提供半导体晶片检验系统。
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公开(公告)号：CN109725499B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810415053.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建辉
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开内容提供一种缺陷检测方法及一种缺陷检测系统。所述缺陷检测方法包括：对由晶片检验工具扫描的参考晶片的连续的管芯的多个扫描图像应用排序滤波器，以获得多个参考管芯图像；收集由所述晶片检验工具扫描的目标晶片的目标管芯的多个目标管芯图像；将所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像进行比较，以根据所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像中的对应像素的像素值的差异来检测多个缺陷；以及从所检测到的所述缺陷中排除多个共有缺陷，以检测印刷在所述目标晶片上的至少一个掩模缺陷，其中所述共有缺陷是通过所述晶片检验工具对所述目标晶片实行晶片检验而获得。据此，能够即时地检测出掩模上的缺陷并且节省成本。
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公开(公告)号：CN110389153A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811433395.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109813717A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810564614.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种缺陷检查方法。在此方法中，从通过在至少一个晶片上执行热扫描的至少一个光学检查工具获得的检查图像中获取多个候选缺陷图像，且从检查图像提取多个属性。创建包含用于对候选缺陷图像进行分类的多个决策树的随机森林分类器，其中决策树是以属性和候选缺陷图像的不同子集来建构。在运行期间从光学检查工具获取多个候选缺陷图像并将其应用于决策树，且根据其中过滤出扰乱图像的决策树的投票来将候选缺陷图像分类成扰乱图像和实际缺陷图像。对具有超过置信度值的投票的实际缺陷图像进行取样以用于微观审查。藉此，可改进扰乱过滤的效率。
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公开(公告)号：CN110389153B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201811433395.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。
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公开(公告)号：CN112447542A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010875511.3
申请日：2020-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例涉及半导体晶片检验方法及其系统。本发明实施例提供一种半导体晶片检验方法。所述方法包含以下操作。扫描半导体晶片以获取扫描图，其中所述半导体晶片是根据具有经编程缺陷的设计图进行图案化。根据所述设计图上的所述经编程缺陷的位置及所述扫描图上的所述经编程缺陷的位置将所述设计图及所述扫描图变换为经变换检验图。本发明实施例也提供半导体晶片检验系统。
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公开(公告)号：CN109725499A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810415053.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建辉
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开内容提供一种缺陷检测方法及一种缺陷检测系统。所述缺陷检测方法包括：对由晶片检验工具扫描的参考晶片的连续的管芯的多个扫描图像应用排序滤波器，以获得多个参考管芯图像；收集由所述晶片检验工具扫描的目标晶片的目标管芯的多个目标管芯图像；将所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像进行比较，以根据所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像中的对应像素的像素值的差异来检测多个缺陷；以及从所检测到的所述缺陷中排除多个共有缺陷，以检测印刷在所述目标晶片上的至少一个掩模缺陷，其中所述共有缺陷是通过所述晶片检验工具对所述目标晶片实行晶片检验而获得。据此，能够即时地检测出掩模上的缺陷并且节省成本。
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公开(公告)号：CN220120734U
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202321019884.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本实用新型提供一种用于使半导体芯片处理合格的光学检查设备，包括：照明模块、收集模块及图像处理器。照明模块产生具有处于第一波段及第二波段中的波长的光源光对半导体芯片进行照明。收集模块包括第一图像传感器及第二图像传感器，第一图像传感器接收自半导体芯片反射的处于第一波段中的光，而第二图像传感器接收自半导体芯片反射的处于第二波段中的光。图像处理器处理半导体芯片的第一图像且处理半导体芯片的第二图像，以基于缺陷计数的预定值来使半导体芯片合格。本实用新型可帮助改善半导体芯片的缺陷侦测。
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