公开(公告)号：CN110389153A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201811433395.9

申请日：2018-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建辉 ,  苏培钊 ,  陈晓萌 ,  张展铭 ,  陈师咏 ,  钟弘毅 ,  陈广行 ,  李立柔 ,  林勇成 ,  吴维晨 ,  王世昌 ,  林建安

IPC: G01N25/72 ,  G06T7/00

Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。

公开(公告)号：CN103545176B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310044204.0

申请日：2013-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏玉珍 ,  陈煌明 ,  聂俊峰 ,  苏培钊

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/225 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834

Abstract: 实施例是一种包括通过衬底的表面扩散碳、通过衬底的表面注入碳以及在通过衬底表面扩散碳和注入碳之后对衬底进行退火的方法。衬底包括第一栅极、栅极间隔件、蚀刻停止层以及层间介电层。第一栅极位于半导体衬底上方。栅极间隔件沿着第一栅极的侧壁。蚀刻停止层位于栅极间隔件的表面上以及半导体衬底的表面上方。层间介电层位于蚀刻停止层的上方。衬底的表面包括层间介电层的表面。本发明还提供了用于将碳导入半导体结构的方法及由此形成的结构。

公开(公告)号：CN110389153B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201811433395.9

申请日：2018-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建辉 ,  苏培钊 ,  陈晓萌 ,  张展铭 ,  陈师咏 ,  钟弘毅 ,  陈广行 ,  李立柔 ,  林勇成 ,  吴维晨 ,  王世昌 ,  林建安

IPC: G01N25/72 ,  G06T7/00

Abstract: 本发明提供一种热点缺陷检测方法及热点缺陷检测系统。在所述方法中，从半导体产品的设计中提取多个热点以定义包括多个热点群组的热点图，其中将所述设计的同一上下文中生成同一图像内容的多个局部图案定义为同一热点群组。在运行时间期间，获取通过由检验工具对使用所述设计制成的晶片执行热扫描而获得的多个缺陷图像，并将所述热点图与所述缺陷图像中的每一缺陷图像对准以确定所述热点群组的位置。通过将位于所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点群组动态地映射到多个阈值区，并对对应的所述阈值区中的每一热点群组的所述热点的像素值分别执行自动阈限来检测所述缺陷图像中的每一缺陷图像中的所述热点缺陷。

公开(公告)号：CN103545176A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310044204.0

申请日：2013-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏玉珍 ,  陈煌明 ,  聂俊峰 ,  苏培钊

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/225 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238

Abstract: 实施例是一种包括通过衬底的表面扩散碳、通过衬底的表面注入碳以及在通过衬底表面扩散碳和注入碳之后对衬底进行退火的方法。衬底包括第一栅极、栅极间隔件、蚀刻停止层以及层间介电层。第一栅极位于半导体衬底上方。栅极间隔件沿着第一栅极的侧壁。蚀刻停止层位于栅极间隔件的表面上以及半导体衬底的表面上方。层间介电层位于蚀刻停止层的上方。衬底的表面包括层间介电层的表面。本发明还提供了用于将碳导入半导体结构的方法及由此形成的结构。