公开(公告)号：CN109633220A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910087344.3

申请日：2019-01-29

申请人： 江阴佳泰电子科技有限公司

发明人： 季建松

IPC分类号： G01R1/04 ,  G01R31/28 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： G01R1/04 ,  G01R31/2893 ,  G01R31/2898 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67242

摘要： 本发明涉及晶圆探针台，公开了一种预吹洗式晶圆探针台，其技术方案要点是包括检测台和设置在检测台一侧的机箱，机箱背离检测台的一侧连通有密封的吹洗仓，吹洗仓的底部设有滑移轨道，滑移轨道的一端转动连接有从动带轮，一端转动连接有主动带轮，主动带轮和从动带轮之间连接有传送皮带，主动带轮连接有驱动电机，滑移轨道上滑移连接有支撑板，支撑板连接于传送皮带，支撑板上设有推进气缸，吹洗仓远离机箱的腔室内设有喷淋环组，在地面上设有用于存储晶圆清洗气体的高压存储罐，高压存储罐与喷淋环组之间连通有输送管道，输送管道上连接有启闭阀。本发明具有在进行检测前，对晶圆进行吹洗，以此提高晶圆检测数据的准确性的优点。

公开(公告)号：CN109427613A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710778442.2

申请日：2017-09-01

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 蔡傅守 ,  许力介 ,  林永溢 ,  李昆儒 ,  黄柏诚

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67023 ,  H01L21/02041

摘要： 本发明公开一种晶片清洗设备及应用其的晶片清洗方法。晶片清洗设备包括机架、一对清洗元件及驱动模块。该对清洗元件配置在机架且包括沿一轴向相对排列的一第一清洗件与一第二清洗件，其中第一清洗件与第二清洗件用以分别清洗晶片的相对二面，轴向为晶片的转动轴向。驱动模块用以驱动该对清洗元件与晶片的至少一者，使该对清洗元件与晶片沿第一径向与第二径向至少一者进行相对运动。如此，可有效清除晶片及清洗件上的颗粒。

公开(公告)号：CN108766902A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810305709.0

申请日：2018-04-08

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 玛丽·安妮·普莱诺 ,  巴斯卡尔·索姆帕里 ,  伊恩·斯科特·拉奇福德

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L22/20 ,  B05B13/00 ,  B05B16/00 ,  H01L21/02041 ,  H01L22/12 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67242

摘要： 本发明涉及用于喷头和电极组件的颗粒和污染在线计量的系统设计。一种用于测试衬底处理室的组件的清洁度的方法包括：将所述组件装载到真空室中；将测试衬底布置在所述真空室内；在所述组件和所述测试衬底装载在所述真空室内的情况下，向所述真空室提供清扫气体；确定通过向所述真空室提供所述清扫气体而导致的在所述测试衬底上累积的颗粒的量以及在所述测试衬底上累积的金属污染物的量中的至少一个；以及基于在所述测试衬底上累积的所确定的所述颗粒的量以及在所述测试衬底上累积的所确定的所述金属污染物的量中的至少一个，估计所述组件的清洁度。

公开(公告)号：CN107978510A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710990980.8

申请日：2017-10-23

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 拉伊汉·塔拉夫达尔 ,  施卢蒂·托姆贝尔 ,  罗郑石 ,  拉什纳·胡马雍 ,  基乌金·史蒂文·莱

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02068 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明涉及通过减少和去除金属氧化物形成接触和互连的系统和方法。一种在阻挡层上沉积金属层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。衬底已暴露于空气和/或氧化化学品中的至少一种，并且包含阻挡层和一个或多个下伏层，其中所述阻挡层包含选自由氮化钽、氮化钛、钽和钛组成的群组中的材料。所述方法包括：b)将选自由肼、包含氟物质的气体、包含氯物质的气体、肼的衍生物、氨、一氧化碳、包含脒基的气体和/或包含金属有机配体的气体组成的群组中的气体提供至所述处理室持续预定时间段以从所述阻挡层去除氧化。所述方法包括：c)在b)之后在所述阻挡层上沉积金属层。所述金属层包含选自由钴、铜、钨、钌、铑、钼和镍组成的群组中的金属。

公开(公告)号：CN104867847B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510087840.0

申请日：2015-02-25

申请人： 斯克林集团公司

发明人： 冈田吉文

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/02041 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67276

摘要： 本发明提供基板处理方法及装置，在利用能并行使用的多个基板处理单元进行基板处理的情况下，不使由基板处理单元处理后的基板等待从被基板处理单元搬出的等待搬出时间变长。以不使由基板处理单元处理后的基板，等待被基板搬运部从基板处理单元搬出的时间超过允许时间的方式，从多个基板处理单元中选择并行使用的两个以上的基板处理单元。制作基板处理的基板处理管理表，该基板处理包括通过基板搬运部向两个以上的基板处理单元搬运基板的基板搬运处理、在两个以上的基板处理单元中的基板处理、通过基板搬运部从两个以上的基板处理单元搬出基板的基板搬出处理。根据该基板处理管理表来控制基板处理单元和基板搬运部，依次对多个基板进行基板处理。

公开(公告)号：CN107887253A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201610863360.3

申请日：2016-09-29

申请人： 重庆向阳仪器有限公司

发明人： 刘存福

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02041

摘要： 本发明清洗电子元件的方法发现在基底清洗中，如果同时使用超声波和还原清洗液微粒清除可达到一个很高的水平。但是这种用在裸露的硅表面剥离氧化膜的方法有一个缺点在于，当超声波的强度或清洗时间不合适时，基底表面的粗糙度增大。如用还原清洗水进行较长时间的清洗时，需要大量的超声波。特别是当使用碱性还原的清洗液时，粗糙度增大的趋势变得显著。

公开(公告)号：CN107808915A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201711364064.X

申请日：2017-12-18

申请人： 惠州市烁达德高光电科技有限公司

发明人： 戴龙岩

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L33/005 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明公开了一种用于LED衬底晶片的清洗装置，包括主箱体，所述主箱体内分隔有无水乙醇池、酸溶液池和去离子水池，所述无水乙醇池的一侧固定有挡板，所述挡板的一侧设有固定在主箱体内侧壁上的卡环，所述卡环上设有螺纹孔，所述卡环通过螺纹孔螺纹连接有螺杆，所述螺杆的一端与挡板固定连接，所述螺杆的另一端贯穿主箱体并固定有把手，所述挡板的底端设有第一滑块，所述第一滑块的一侧设有紧锁螺杆，所述紧锁螺杆贯穿主箱体套设有第一复位弹簧，所述无水乙醇池远离第一滑块的侧壁设有第一开关，所述酸溶液池内设有过滤板。本发明可以进行大量的衬底晶片的清洗，操作简单，可以很好的解决没有专门的装置清洗衬底晶片的现状。

公开(公告)号：CN105340057B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201480024558.1

申请日：2014-04-29

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： D·G·阿尼克斯 ,  中村吉弘 ,  S·文卡塔查拉姆 ,  W·J·瓦尔扎克 ,  L·王

IPC分类号： H01L21/00 ,  B08B7/00

CPC分类号： C03C23/0075 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B11/04 ,  H01L21/02041

摘要： 一种清洁薄玻璃基材的方法，该方法包含当沿着传送方向传送薄玻璃基材时，施加一系列的化学洗涤步骤。此外,可处理玻璃基材表面，来增强玻璃基材的静电放电性质。

公开(公告)号：CN104584197B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201380042968.4

申请日：2013-08-20

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 田中英明

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/67092 ,  A46B13/001 ,  A46B15/0012 ,  A46B2200/30 ,  B08B1/006 ,  B08B1/04 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67046

摘要： 本发明是涉及一种基板清洗装置，一边使辊清洗构件接触基板表面，一边旋转基板及辊清洗构件并擦刷清洗基板表面。基板清洗装置具有：辊支架(42)，对辊清洗构件(46)进行支撑并使该辊清洗构件(46)旋转；升降机构(60)，具有随着具备控制机器(62)的致动器(56)的驱动而升降的升降部(58)，并在基板清洗时，以辊清洗构件(46)对基板W施加辊载荷的方式，使连结于升降部(58)的辊支架(42)升降；测力传感器(54)，设置于升降机构(60)的升降部(58)与辊支架(42)之间，并测定辊载荷；及控制部(66)，根据测力传感器(54)的测定值，经由致动器(56)的控制机器(62)而反馈控制辊载荷。

公开(公告)号：CN107342248A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710300093.3

申请日：2017-05-02

申请人： 细美事有限公司

发明人： 朴贞英 ,  李康奭 ,  金俙焕

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

CPC分类号： B08B3/106 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B2203/007 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67023 ,  B08B3/02 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67034

摘要： 提供了一种基板处理装置，包括：支撑单元，用于支撑基板；喷射单元，用于将有机溶剂喷射到支撑在所述支撑单元上的基板上；和溶剂供应单元，用于将有机溶剂以液体状态供应至所述喷射单元，该有机溶剂的温度高于有机溶剂在大气压下的沸点。