公开(公告)号：CN104299952B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310464580.5

申请日：2013-10-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供了用于形成半导体管芯的机制的实施例。半导体管芯包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的保护层。半导体管芯还包括共形地形成在保护层上方的导电层和形成在导电层中的凹槽。凹槽环绕导电层的区域。半导体管芯还包括形成在被凹槽围绕的导电层区域上方的焊料凸块。本发明还提供了在宽金属焊盘上方形成凸块结构的机制。

公开(公告)号：CN106158781A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610769934.0

申请日：2010-11-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈文维 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈明发 ,  王荣德

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。

公开(公告)号：CN103575589B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310322275.2

申请日：2013-07-29

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： V·W·瑞安 ,  H·盖斯勒 ,  D·布罗伊尔

IPC分类号： G01N3/00 ,  H01L21/48

CPC分类号： G01N3/00 ,  G01N2203/0286 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明揭露一种侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位，其中，揭示于本文的一示范方法，除了别的以外，包括在形成于一半导体芯片的一金属化系统上方的柱状凸块上进行一横向力测试，该横向力测试包括：使该柱状凸块与一测试探针接触同时使该测试探针沿着与该金属化系统的一平面有一实质非零角度的一路径以小于约1微米/秒的实质恒定速度移动。此外，该实质非零角度经建立成使该测试探针移动实质离开该金属化系统，以及在该横向力测试期间由该测试探针施加于该柱状凸块上的一力有在该金属化系统上诱发一拉伸负荷的一向上分量。此外，该方法也包括测定该柱状凸块与该金属化系统间在该横向力测试期间的一行为相互作用。

公开(公告)号：CN105122447A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201380071665.5

申请日：2013-12-02

申请人： 伊文萨思公司

发明人： C·E·尤佐

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34 ,  H01L23/10 ,  H01L21/50

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种微电子组件(10、110、210、310、410)包括：第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)，具有第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)；以及第二衬底(14、114、214、314、414)，具有第二导电元件(26、126、226、326、426)。该组件还包括导电合金块(16、116)，接合至第一和第二导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)，包括第一、第二和第三材料。导电合金块(16、116)的第一和第二材料的熔点均低于合金的熔点。第一材料的浓度从朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)设置的位置处的相对较大量向朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)的相对较小量变化，并且第二材料的浓度从朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)设置的位置处的相对较大量向朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的相对较小量变化。通过将具有第一接合部件(30、230、330、430)的第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)与具有第二接合部件(40、240、340、440)的第二衬底(14、114、214、314、414)对准来形成微电子组件(10、110、210、310、410)，使得第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件彼此接触，第一接合部件(30、230、330、430、1030)包括邻近第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的第一材料层(36、536、636、736、836、936)以及上覆第一材料层(36、536、636、736、836、936)的第一保护层(38、538、638、738、838、938)，第二接合部件(40、240、340、440)包括邻近第二导电元件(26)的第二材料层(46)以及上覆第二材料层(46)的第二保护层(48)，并且加热第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件使得第一(36、536、636、736、836、936)和第二(46)材料层的至少部分一起扩散以形成使第一(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)和第二(14、114、214、314、414)衬底彼此接合的合金块(16、116)。可以在第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)上形成多个第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)以及在第二衬底(14、114、214、314、414)上形成多个第二导电元件(26、126、226、326、426)，由多个导电合金块(16、116)接合。导电合金块(116)还可以包围并密封内部容积。

公开(公告)号：CN104952735A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410114630.1

申请日：2014-03-25

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 章国伟

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/114

摘要： 一种具有金属柱的芯片封装结构及其形成方法。本发明通过在金属柱的底部形成连接于本体的外延部，加大了金属柱的底面积，该底面积为金属柱分别与介电层、以及该介电层暴露的电连接结构的接触面积，从而降低了金属柱底壁单位面积所分担的应力，避免了半导体衬底上的介电层断裂，提高了芯片封装结构的成品率。

公开(公告)号：CN104733428A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410266102.8

申请日：2014-06-13

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 郑来亨 ,  柳炫圭

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13673 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/03612

摘要： 一种半导体器件包括：穿通电极，穿通衬底使得穿通电极的第一端部从衬底的第一表面突出；钝化层，覆盖衬底的第一表面和穿通电极的第一端部的侧壁；凸块，具有穿通钝化层并且与穿通电极的第一端部耦接的下部；以及下金属层，被设置在凸块和穿通电极的第一端部之间。下金属层延伸至凸块的侧壁上并且具有凹面形状。

公开(公告)号：CN104241229A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN103579099A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310328965.9

申请日：2013-07-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 卢宝仁 ,  朴善姬 ,  权容焕

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有多凸点式电气互连件的半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法可以包括：提供具有芯片焊盘的衬底；在所述衬底上形成焊料叠层，所述焊料叠层包括堆叠的至少两个焊料层和插入在所述至少两个焊料层之间的至少一个中间层。可以对所述焊料叠层进行回流焊，从而形成与所述芯片焊盘电连接的凸点叠层。所述凸点叠层可以包括堆叠的至少两个焊料凸点和插入在所述至少两个焊料凸点之间的至少一个中间层。本发明还公开了相关的结构。

公开(公告)号：CN103575589A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310322275.2

申请日：2013-07-29

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： V·W·瑞安 ,  H·盖斯勒 ,  D·布罗伊尔

IPC分类号： G01N3/00 ,  H01L21/48

CPC分类号： G01N3/00 ,  G01N2203/0286 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明揭露一种侦测金属化系统中的异常弱BEOL部位，其中，揭示于本文的一示范方法，除了别的以外，包括在形成于一半导体芯片的一金属化系统上方的柱状凸块上进行一横向力测试，该横向力测试包括：使该柱状凸块与一测试探针接触同时使该测试探针沿着与该金属化系统的一平面有一实质非零角度的一路径以小于约1微米/秒的实质恒定速度移动。此外，该实质非零角度经建立成使该测试探针移动实质离开该金属化系统，以及在该横向力测试期间由该测试探针施加于该柱状凸块上的一力有在该金属化系统上诱发一拉伸负荷的一向上分量。此外，该方法也包括测定该柱状凸块与该金属化系统间在该横向力测试期间的一行为相互作用。

公开(公告)号：CN102569239A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110463174.8

申请日：2011-12-01

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 金圣哲

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13393 ,  H01L2224/134 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体封装体的接合结构、其制造方法及半导体封装体。该半导体封装体的接合结构包括：配置为传输电信号的第一导电构件；以及配置为电连接至第一导电构件的表面并包括多个子接合垫的接合垫。