公开(公告)号：CN1979835A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610160694.0

申请日：2006-12-06

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金承九 ,  柳济光 ,  李容彬 ,  魏由锦 ,  许硕桓 ,  柳彰燮

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于倒装芯片连接的焊剂接合结构，其中改变了其上施加焊剂的连接焊盘的形状，以便增加通过使用回流工艺形成的焊剂接合部的尺寸，因而实现了高可靠性的焊剂接合。焊剂接合结构包括：连接焊盘(焊桥型图案)，由以预定间距彼此隔开的至少两个图案区域组成；焊剂接合部，形成于具有这种形状的连接焊盘上；以及金属凸块，与焊剂接合部相接触。在这种焊剂接合结构中，焊剂接合部在具有较小宽度的小型图案上形成有足够的尺寸，因此实现了具有金属凸块的半导体芯片以及具有连接焊盘的印刷电路板之间的可靠的焊剂接合。另外，由于连接焊盘可通过其典型形成工艺实现，无需附加工艺，所以可充分确保焊剂接合的可靠性，而无需增加工作工时或工序数量。

公开(公告)号：CN1489209A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03142473.2

申请日：2003-06-10

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 柴田润

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/50 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明目的在于，防止在用选项设定焊盘的电压来设定功能与状态(以下称为选项)的半导体装置的选项设定时，层间膜的裂纹或焊盘剥离。本发明的半导体装置的半导体基片的主面上设有选项设定部分10，其中，用以设定半导体装置的选项的、其外周边缘部分被表面保护膜11a覆盖的选项设定焊盘5C和用以供给固定电位的、其外周边缘部分被保护绝缘膜11a覆盖的固定电位焊盘5D，隔着表面保护膜11b相邻接。半导体装置的选项设定，通过是否设置覆盖选项设定焊盘5C、固定电位焊盘5D以及表面保护膜11a、11b而形成的柱形凸起15加以实现。

公开(公告)号：CN102782842A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012655.5

申请日：2011-02-08

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 顾时群 ,  马修·迈克尔·诺瓦克 ,  杜罗达米·J·里斯克 ,  托马斯·R·汤姆斯 ,  乌尔米·雷 ,  徐钟元 ,  阿尔温德·钱德拉舍卡朗

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种半导体芯片(402)包括电触点(412、413)阵列及多个通孔(416、417)，所述多个通孔将所述半导体芯片中的至少一个电路耦合到所述电触点阵列。所述电触点阵列中的所述电触点中的第一者(412)耦合到N个通孔(416)，且所述电触点阵列中的所述电触点中的第二者(413)耦合到M个通孔(417a、417b)。M及N为具有不同值的正整数。

公开(公告)号：CN1292153A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN99803384.7

申请日：1999-02-25

申请人： ABB(瑞士)股份有限公司

发明人： F·保尔 ,  H·R·策勒尔

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L29/423 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及隔离栅双极型晶体管,它生产方法简单,但仍可以均一地开启。为此目的,本发明的晶体管没有任何栅指,并在IGBT芯片内的栅电流从栅接线端出发,直接经栅极多晶硅层传输到IGBT单元。

公开(公告)号：CN105047643A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510204708.3

申请日：2015-04-27

申请人： 联咏科技股份有限公司

发明人： 吕国源 ,  周文彬 ,  陈永胜

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751

摘要： 本发明提供一种集成电路，该集成电路包括芯片(chip)、保护层(passivation layer)、第一金属内连线、路由线(routing wire)以及压合区。保护层配置于芯片上，其中该保护层具有第一开孔。第一金属内连线配置于保护层下以及配置于该芯片中。路由线配置于保护层上，其中该路由线的第一端通过保护层的第一开孔电性连接第一金属内连线的第一端。压合区配置于保护层上，其中该压合区电性连接路由线的第二端。本发明提供的集成电路可以降低电性路径的内部阻抗。

公开(公告)号：CN101202266B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200710140543.3

申请日：2007-08-09

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 蒋航

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L27/0207 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种芯片级封装及其制造方法和大功率集成电路器件，所述芯片级封装包括半导体裸片，具有电连接到所述大功率集成电路的电源总线阵列，以及多条多层凸点下金属化电源总线，互相平行设置并且穿越所述半导体裸片的整个长度，所述多条多层凸点下金属化电源总线电连接到所述电源总线阵列，并且还包括具有使互连球设置其上的几何形状的厚金属层。

公开(公告)号：CN1183603C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN99803384.7

申请日：1999-02-25

申请人： ABB瑞士控股有限公司

发明人： F·保尔 ,  H·-R·策勒尔

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L29/423 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及隔离栅双极型晶体管，它生产方法简单，但仍可以均一地开启。为此目的，本发明的晶体管没有任何栅指，并在IGBT芯片内的栅电流从栅接线端出发，直接经栅极多晶硅层传输到IGBT单元。

公开(公告)号：CN104795108A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410717739.4

申请日：2014-12-01

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 朴日光

IPC分类号： G11C29/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  G01R31/31715 ,  H01L22/34 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种半导体器件，包括：半导体芯片；穿通电极，其被形成为穿通半导体芯片；两个或更多个金属，其被形成在穿通电极的上部中；凸块，其被形成为接触金属的上部，并且将从外部输入的数据信号供应至金属；检测块，其适于通过将金属的电压电平相互进行比较并且产生判定信号来检测凸块是否与金属耦接；以及信号输出块，其适于向外部输出判定信号。

公开(公告)号：CN103779301A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310466705.8

申请日：2013-10-09

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E.J.福格尔 ,  M.温克勒 ,  M.聪德尔

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49 ,  H01L22/32 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013

摘要： 本发明涉及电接触垫，其中该电接触垫被划分为至少两个相互电分离的区域。这些区域能够首先处于不同的电势。通过施加接合线或夹子，两个电势又被短路。

公开(公告)号：CN101202266A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710140543.3

申请日：2007-08-09

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 蒋航

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L27/0207 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种芯片级封装及其制造方法和大功率集成电路器件，所述芯片级封装包括半导体裸片，具有电连接到所述大功率集成电路的电源总线阵列，以及多条多层凸点下金属化电源总线，互相平行设置并且穿越所述半导体裸片的整个长度，所述多条多层凸点下金属化电源总线电连接到所述电源总线阵列，并且还包括具有使互连球设置其上的几何形状的厚金属层。