公开(公告)号：CN104576711B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201410526538.6

申请日：2014-10-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.巴赫尔 ,  J.霍尔茨米勒 ,  H-J.舒尔策 ,  T.施魏因伯克 ,  J.维特博恩 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底。半导体衬底包括布置在半导体衬底的主表面的第一掺杂结构的多个第一掺杂区和布置在半导体衬底的主表面的第一掺杂结构的多个第二掺杂区。第一掺杂结构的多个第一掺杂区中的第一掺杂区包括具有不同掺杂浓度的第一导电类型的掺杂剂。另外，第一掺杂结构的多个第二掺杂区中的第二掺杂区包括具有不同掺杂浓度的第二导电类型的掺杂剂。第一掺杂结构的多个第一掺杂区中的至少一个第一掺杂区部分重叠第一掺杂结构的多个第二掺杂区中的至少一个第二掺杂区，使得重叠区布置在主表面。

公开(公告)号：CN103972234B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201410043900.4

申请日：2014-01-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.迈泽尔 ,  S.蒂勒 ,  M.聪德尔

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件，所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽，绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN104078342A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410112989.5

申请日：2014-03-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.迈泽 ,  T.施勒泽 ,  M.聪德尔

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/76898 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种沟槽电极布置。一种方法包括：形成从半导体本体的第一表面延伸到半导体本体中的沟槽，以使得具有第一沟槽区段和邻接于第一沟槽区段的至少一个第二沟槽区段，其中第一沟槽区段比第二沟槽区段更宽。在至少一个第二沟槽区段中形成第一电极，并且由第一电介质层将第一电极与半导体本体的半导体区域介电绝缘。在该至少一个第二沟槽区段中，在第一电极上形成电极间电介质层。在电极间电介质层上的至少一个第二沟槽区段中以及在第一沟槽区段中形成第二电极，以使得由第二电介质层将至少在第一沟槽区段中的第二电极与半导体本体介电绝缘。

公开(公告)号：CN103972234A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043900.4

申请日：2014-01-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.迈泽尔 ,  S.蒂勒 ,  M.聪德尔

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件，所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽，绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN103426887A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181422.9

申请日：2013-05-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.浦洛斯 ,  H-J.舒尔策 ,  A.苏西蒂 ,  M.聪德尔

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括硅酸盐玻璃结构的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括包含第一表面的半导体本体。所述半导体器件进一步包括在所述第一表面上的连续硅酸盐玻璃结构。在半导体本体的有源区域上的连续玻璃结构的第一部分包括第一组分的掺杂剂，所述第一组分的掺杂剂不同于在有源区域外部的半导体本体的区域上的连续玻璃结构的第二部分中的第二组分的掺杂剂。

公开(公告)号：CN106098766B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610680376.0

申请日：2013-05-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D.阿勒斯 ,  D.博纳特 ,  L.博鲁基 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H02M7/00

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02J7/14 ,  H02J7/242 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。

公开(公告)号：CN106024891A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610194228.8

申请日：2016-03-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.聪德尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L27/06 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78 ,  H01L23/585 ,  H01L27/06 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明涉及包括辅助沟槽结构的半导体器件和集成电路。半导体器件（100）的实施例包括在半导体本体（102）中的沟槽晶体管单元阵列（101）。半导体器件（100）进一步包括沟槽晶体管单元阵列（101）的边缘终端区域（103）。至少两个第一辅助沟槽结构(1051,1052)从第一侧（107）延伸到半导体本体（102）中并且沿横向方向x连续布置。所述边缘终端区域（103）沿所述横向方向（x）布置在所述沟槽晶体管单元阵列（101）和所述至少两个第一辅助沟槽结构（1051,1052）之间。在所述至少两个第一辅助沟槽结构(1051, 1052)中的第一辅助电极（117）电连接在一起并与沟槽晶体管单元阵列（101）的沟槽（110）中的电极(1091, 1092)电解耦。

公开(公告)号：CN105070747A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510414967.9

申请日：2012-12-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.希尔勒 ,  W.里格 ,  U.施马尔茨鲍尔 ,  E.J.福格尔 ,  R.策尔萨歇尔 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及锚固结构和啮合结构。一种用于半导体器件的金属结构的锚固结构包括具有至少一个悬伸侧壁的锚固凹陷结构，该金属结构至少部分地设置在锚固凹陷结构内。

公开(公告)号：CN104576738A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410551101.8

申请日：2014-10-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： L.博鲁基 ,  F.希尔勒 ,  P.内勒 ,  E.J.福格尔 ,  M.温克勒 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/78 ,  H01L22/30 ,  H01L29/7393

Abstract: 半导体器件和处理方法。根据各种实施例的用于处理半导体器件的方法可包括：提供具有第一焊盘和与第一焊盘电分离的第二焊盘的半导体器件；向第一焊盘和第二焊盘中的至少一个施加至少一个电测试电位；以及在施加所述至少一个电测试电位之后将第一焊盘和第二焊盘相互电连接。

公开(公告)号：CN103633063A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310363695.5

申请日：2013-08-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P.伊尔西格勒 ,  H-P.朗 ,  A.迈泽尔 ,  T.迈耶 ,  M.聪德尔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0694 ,  H01L21/02 ,  H01L21/743 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/48 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。半导体器件的一个实施例包括：具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。