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公开(公告)号：CN105242159B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510400320.0
申请日：2015-07-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R31/01
CPC classification number: G01R1/0416 , G01R31/31905
Abstract: 测试器件和电路布置。根据各种实施例的测试器件可包括：多个第一端子，被配置成连接到多个被测试器件，其中，多个第一端子中的每个第一端子可被配置成连接到多个被测试器件中的相应的被测试器件；信号接口，被配置成连接到测试器；以及电路，被配置成通过多个第一端子中的相应的第一端子与多个被测试器件中的每个被测试器件交换相同的第一信号，并通过信号接口与测试器交换至少一个接口信号。
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公开(公告)号：CN103095263B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110453448.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/081
Abstract: 本发明涉及包括共源极感测FET的电路布置。公开了一种电流感测电路布置。该电路布置包括负载晶体管，其用于控制去往耦接到负载晶体管的漏极电极的负载的负载电流。感测晶体管耦接到负载晶体管。感测晶体管具有提供表示负载电流的测量电流的漏极电极。负载晶体管和感测晶体管是具有共源极电极的场效应晶体管。测量电路被配置为从感测晶体管接收测量电流并且根据其生成输出信号，该输出信号表示负载电流。
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公开(公告)号：CN105242159A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510400320.0
申请日：2015-07-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R31/01
CPC classification number: G01R1/0416 , G01R31/31905
Abstract: 测试器件和电路布置。根据各种实施例的测试器件可包括：多个第一端子，被配置成连接到多个被测试器件，其中，多个第一端子中的每个第一端子可被配置成连接到多个被测试器件中的相应的被测试器件；信号接口，被配置成连接到测试器；以及电路，被配置成通过多个第一端子中的相应的第一端子与多个被测试器件中的每个被测试器件交换相同的第一信号，并通过信号接口与测试器交换至少一个接口信号。
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公开(公告)号：CN103095263A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110453448.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/081
CPC classification number: G01R19/0092 , H03F2200/261 , H03F2200/462 , H03K2217/0027
Abstract: 本发明涉及包括共源极感测FET的电路布置。公开了一种电流感测电路布置。该电路布置包括负载晶体管，其用于控制去往耦接到负载晶体管的漏极电极的负载的负载电流。感测晶体管耦接到负载晶体管。感测晶体管具有提供表示负载电流的测量电流的漏极电极。负载晶体管和感测晶体管是具有共源极电极的场效应晶体管。测量电路被配置为从感测晶体管接收测量电流并且根据其生成输出信号，该输出信号表示负载电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157644B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410199328.0
申请日：2014-05-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种功率晶体管、功率晶体管电路以及其操作方法。功率晶体管具有半导体本体，其具有底面以及在垂直方向上与该底面远离隔开的顶面。该半导体本体包括多个晶体管单元、第一导电类型的源极区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的漂移区、漏极区和具有在n掺杂的阴极区和p掺杂的阳极区之间的pn结的温度传感器二极管。该功率晶体管还具有顶面上的漏极接触端子、底面上的源极接触端子、栅极接触端子、和顶面上的温度感测接触端子。根据第一和第二导电类型，阳极或阴极区电连接到源极接触端子并且另一二极管区被电连接到温度感测接触端子。
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公开(公告)号：CN105703754A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510902142.1
申请日：2015-12-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/081 , G01R19/00
CPC classification number: G01R19/16519 , G01R19/16538 , H02H3/087 , H03K19/018507 , H03K17/567 , G01R19/0092 , H03K17/08104 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及电路和用于测量电流的方法。在本文中描述了电路、具有过电流保护的开关以及用于测量电流的方法。被配置为从供应电压提供电流到负载的电路包含第一晶体管、第二晶体管以及探测电路。第一晶体管比第二晶体管具有更大的有源区域。探测电路被配置为探测通过第二晶体管的电流。相同的电压被施加在第一晶体管的控制端子与第一晶体管的第一受控端子之间并且被施加在第二晶体管的控制端子与第二晶体管的第一受控端子之间。探测电路被耦合到第二晶体管的第二受控端子并且被耦合到供应电压。
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公开(公告)号：CN103972234B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410043900.4
申请日：2014-01-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件，所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽，绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN104157644A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410199328.0
申请日：2014-05-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种功率晶体管、功率晶体管电路以及其操作方法。功率晶体管具有半导体本体，其具有底面以及在垂直方向上与该底面远离隔开的顶面。该半导体本体包括多个晶体管单元、第一导电类型的源极区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的漂移区、漏极区和具有在n掺杂的阴极区和p掺杂的阳极区之间的pn结的温度传感器二极管。该功率晶体管还具有顶面上的漏极接触端子、底面上的源极接触端子、栅极接触端子、和顶面上的温度感测接触端子。根据第一和第二导电类型，阳极或阴极区电连接到源极接触端子并且另一二极管区被电连接到温度感测接触端子。
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公开(公告)号：CN103972234A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043900.4
申请日：2014-01-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件，所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽，绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。
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