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公开(公告)号：CN111200022B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201911119708.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司(DE)
Abstract: 本发明公开了具有集成的肖特基结的SiC功率半导体器件。提供了SiC器件和对应的制造方法的实施例。在一些实施例中，SiC器件具有在一些栅极沟槽的底部处的屏蔽区以及与在其他栅极沟槽的底部处的SiC材料一起形成的非线性结。在其他实施例中，SiC器件具有在栅极沟槽的底部处并且被布置成行的屏蔽区，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。在又其他实施例中，SiC器件具有屏蔽区和非线性结，并且其中屏蔽区被布置成行，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN108470763B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201810155053.9
申请日：2018-02-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 公开了包括掩埋层的半导体器件。一种半导体器件包括第一导电类型的半导体衬底。第二导电类型的第一半导体层在半导体衬底上。第二导电类型的掩埋半导体层在第一半导体层上。第二导电类型的第二半导体层在掩埋半导体层上。沟槽延伸通过第二半导体层、掩埋半导体层以及第一半导体层的每个进入到半导体衬底中。绝缘结构衬垫沟槽的壁。进一步地，导电填充物在沟槽中，并且在沟槽的底部处电耦合到半导体衬底。
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公开(公告)号：CN111200022A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911119708.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了具有集成的肖特基结的SiC功率半导体器件。提供了SiC器件和对应的制造方法的实施例。在一些实施例中，SiC器件具有在一些栅极沟槽的底部处的屏蔽区以及与在其他栅极沟槽的底部处的SiC材料一起形成的非线性结。在其他实施例中，SiC器件具有在栅极沟槽的底部处并且被布置成行的屏蔽区，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。在又其他实施例中，SiC器件具有屏蔽区和非线性结，并且其中屏蔽区被布置成行，所述行在与沟槽的纵向延伸横切的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110176497A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910129728.7
申请日：2019-02-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其具有用碳化硅形成的半导体本体（100），所述半导体本体具有源区（110）、电流分布区（137）和体区（120）。所述体区（120）沿着水平的第一方向（191）布置在所述源区（110）和所述电流分布区（137）之间并且与所述电流分布区（137）构成第一pn结（pn1）并且与所述源区（110）构成第二pn结（pn2）。栅极结构（150）从半导体本体（100）的第一表面（101）延伸到所述体区（120）中。在所述体区（120）和半导体本体（100）的与第一表面（101）相对的第二表面（102）之间构造有电荷补偿结构（180）。
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公开(公告)号：CN108630758A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810245047.2
申请日：2018-03-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/02529 , H01L29/0649 , H01L29/66068 , H01L29/7813
Abstract: 本发明公开了碳化硅半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括从第一表面延伸到碳化硅半导体主体中的沟槽结构。所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的底部处的辅助电极和布置在所述辅助电极和第一表面之间的栅极电极。屏蔽区邻接所述沟槽结构的底部处的辅助电极并且与漂移结构形成第一pn结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409674A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610609447.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/407 , H01L21/308 , H01L21/3083 , H01L21/76224 , H01L21/765 , H01L29/0696 , H01L29/0804 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66234 , H01L29/66666 , H01L29/66696 , H01L29/66704 , H01L29/73 , H01L29/7825 , H01L29/7827 , H01L29/66325 , H01L29/66795 , H01L29/7393 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。
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公开(公告)号：CN103165603B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210540932.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L27/06 , H01L27/0814 , H01L29/407 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L29/8725
Abstract: 集成电路的一个实施例包括半导体本体。在所述半导体本体内，第一沟槽区从第一表面延伸进入半导体本体。所述集成电路进一步包括二极管，所述二极管包括阳极区和阴极区。阳极区和阴极区中的一个至少部分地设置在第一沟槽区中。阳极区和阴极区中的另一个包括从第一沟槽区外部邻接所述阳极区和阴极区中的一个的第一半导体区。
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公开(公告)号：CN105384141A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510553886.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81C2201/019
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。
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公开(公告)号：CN104979401A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510150408.1
申请日：2015-04-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A.迈泽
CPC classification number: H01L29/735 , H01L29/0657 , H01L29/1066 , H01L29/407 , H01L29/41708 , H01L29/41766 , H01L29/42304 , H01L29/4236 , H01L29/7816 , H01L29/7825 , H01L29/785 , H01L29/808 , H01L29/1033
Abstract: 本发明涉及半导体器件和集成电路。一种半导体器件在包括主表面的半导体衬底中包括晶体管。该晶体管包括源极区、漏极区、主体区和相邻于主体区的栅电极结构。源极区和漏极区沿着第一方向布置，第一方向平行于主表面。主体区被布置在源极区和漏极区之间。主体区包括在主表面处的上主体区和远离主表面的下主体区，下主体区的第一宽度小于上主体区的第二宽度。在与第一方向正交的方向上测量第一宽度和第二宽度。
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公开(公告)号：CN103165603A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210540932.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L27/06 , H01L27/0814 , H01L29/407 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L29/8725
Abstract: 集成电路的一个实施例包括半导体本体。在所述半导体本体内，第一沟槽区从第一表面延伸进入半导体本体。所述集成电路进一步包括二极管，所述二极管包括阳极区和阴极区。阳极区和阴极区中的一个至少部分地设置在第一沟槽区中。阳极区和阴极区中的另一个包括从第一沟槽区外部邻接所述阳极区和阴极区中的一个的第一半导体区。
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