公开(公告)号：CN106409674A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610609447.8

申请日：2016-07-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P.伊西格勒 ,  A.迈泽 ,  W.维尔纳

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。