公开(公告)号：CN104425569B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410459581.5

申请日：2014-09-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.埃斯特夫 ,  J.康拉特 ,  D.屈克 ,  D.拉福雷 ,  C.乌夫拉尔德 ,  R.鲁普 ,  A.弗克尔 ,  W.维尔纳

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/47 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管。根据实施例的半导体器件至少部分地被布置在衬底中或衬底上并且包含形成台面的凹槽，其中该台面沿着到衬底中的方向延伸到凹槽的底平面并且包含第一导电类型的半导体材料，台面的半导体材料至少局部地包含第一掺杂浓度，该第一掺杂浓度不会比底平面更远地延伸到衬底中。该半导体器件进一步包含沿着台面的侧墙至少部分地被布置的导电结构，该导电结构与台面的半导体材料形成肖特基或类肖特基的电接触，其中衬底包括第一导电类型的半导体材料，该第一导电类型的半导体材料至少局部地包括沿着到衬底中的台面的投影的不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。

公开(公告)号：CN102456688A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110327171.1

申请日：2011-10-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.卡多 ,  T.迈尔 ,  W.维尔纳

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及具有不同器件外延层的集成电路技术。一种半导体模具包括衬底、第一器件区段和第二器件区段。第一器件区段包括衬底上的外延层以及形成在第一器件区段的外延层中的第一类型的一个或更多半导体器件。第二器件区段与第一器件区段分隔开，并且包括衬底上的外延层以及形成在第二器件区段的外延层中的第二类型的一个或更多半导体器件。第一器件区段的外延层与第二器件区段的外延层不同，从而第一类型的一个或更多半导体器件与第二类型的一个或更多半导体器件形成在不同的外延层中。

公开(公告)号：CN104671186B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410694629.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.科尔布 ,  A.迈泽 ,  T.施勒泽 ,  W.维尔纳

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  G01H1/00 ,  G01H11/06 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/12 ,  G01N27/223 ,  G01P15/125

Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。

公开(公告)号：CN104671186A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410694629.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.科尔布 ,  A.迈泽 ,  T.施勒泽 ,  W.维尔纳

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  G01H1/00 ,  G01H11/06 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/12 ,  G01N27/223 ,  G01P15/125

Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。

公开(公告)号：CN104425569A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410459581.5

申请日：2014-09-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.埃斯特夫 ,  J.康拉特 ,  D.屈克 ,  D.拉福雷 ,  C.乌夫拉尔德 ,  R.鲁普 ,  A.弗克尔 ,  W.维尔纳

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/47 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管。根据实施例的半导体器件至少部分地被布置在衬底中或衬底上并且包含形成台面的凹槽，其中该台面沿着到衬底中的方向延伸到凹槽的底平面并且包含第一导电类型的半导体材料，台面的半导体材料至少局部地包含第一掺杂浓度，该第一掺杂浓度不会比底平面更远地延伸到衬底中。该半导体器件进一步包含沿着台面的侧墙至少部分地被布置的导电结构，该导电结构与台面的半导体材料形成肖特基或类肖特基的电接触，其中衬底包括第一导电类型的半导体材料，该第一导电类型的半导体材料至少局部地包括沿着到衬底中的台面的投影的不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。

公开(公告)号：CN102456688B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110327171.1

申请日：2011-10-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.卡多 ,  T.迈尔 ,  W.维尔纳

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及具有不同器件外延层的集成电路技术。一种半导体模具包括衬底、第一器件区段和第二器件区段。第一器件区段包括衬底上的外延层以及形成在第一器件区段的外延层中的第一类型的一个或更多半导体器件。第二器件区段与第一器件区段分隔开，并且包括衬底上的外延层以及形成在第二器件区段的外延层中的第二类型的一个或更多半导体器件。第一器件区段的外延层与第二器件区段的外延层不同，从而第一类型的一个或更多半导体器件与第二类型的一个或更多半导体器件形成在不同的外延层中。

公开(公告)号：CN106409674A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610609447.8

申请日：2016-07-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P.伊西格勒 ,  A.迈泽 ,  W.维尔纳

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。