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公开(公告)号：CN105384141A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510553886.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81C2201/019
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。
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公开(公告)号：CN106153548B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201610174975.5
申请日：2016-03-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明示出了一种气体传感器5，其具有传感器元件10、测量室15和发射体元件20。传感器元件10具有MEMS隔膜25，所述MEMS隔膜25布置在第一衬底区域40中。测量室15还被构造用于容纳测量气体50。
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公开(公告)号：CN105384141B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510553886.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。
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公开(公告)号：CN110927067A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911295917.8
申请日：2016-03-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明示出了一种气体传感器5，其具有传感器元件10、测量室15和发射体元件20。传感器元件10具有MEMS隔膜25，所述MEMS隔膜25布置在第一衬底区域40中。测量室15还被构造用于容纳测量气体50。
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公开(公告)号：CN110927067B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201911295917.8
申请日：2016-03-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明示出了一种气体传感器5，其具有传感器元件10、测量室15和发射体元件20。传感器元件10具有MEMS隔膜25，所述MEMS隔膜25布置在第一衬底区域40中。测量室15还被构造用于容纳测量气体50。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106153548A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610174975.5
申请日：2016-03-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明示出了一种气体传感器5，其具有传感器元件10、测量室15和发射体元件20。传感器元件10具有MEMS隔膜25，所述MEMS隔膜25布置在第一衬底区域40中。测量室15还被构造用于容纳测量气体50。
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公开(公告)号：CN102442634A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110295461.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0045 , B81B2201/0264 , B81C1/00158
Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。
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公开(公告)号：CN104671186B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410694629.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , G01H1/00 , G01H11/06 , G01L9/0072 , G01L9/12 , G01N27/223 , G01P15/125
Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。
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公开(公告)号：CN102442634B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110295461.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0045 , B81B2201/0264 , B81C1/00158
Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。
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公开(公告)号：CN104671186A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410694629.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , G01H1/00 , G01H11/06 , G01L9/0072 , G01L9/12 , G01N27/223 , G01P15/125
Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。
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