公开(公告)号：CN102442634B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110295461.2

申请日：2011-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B.宾得 ,  B.菲斯特 ,  T.考奇 ,  S.科尔布 ,  M.米勒

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0045 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。

公开(公告)号：CN102442634A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110295461.2

申请日：2011-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B.宾得 ,  B.菲斯特 ,  T.考奇 ,  S.科尔布 ,  M.米勒

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0045 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。

公开(公告)号：CN104008968A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410058874.2

申请日：2014-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.法伊斯 ,  M.弗兰克 ,  M.克鲁格 ,  T.孔斯特曼 ,  M.米勒 ,  W.罗布尔 ,  J.施特拉塞尔

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L23/14 ,  B05D7/52 ,  B32B3/26 ,  C23C18/1644 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/32 ,  C23C18/50 ,  C25D7/12 ,  C25D7/123 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249956 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/24997 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及多孔金属涂敷。各种方法、装置和设备涉及被三维地涂敷的衬底上的多孔金属层。在一个实施例中，在衬底上沉积多孔金属层。能够用涂敷材料来三维地涂敷该多孔金属层。