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公开(公告)号：CN104037181B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201310619425.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035272 , G01S7/4914 , H01L27/14806
Abstract: 本发明涉及光生电荷载流子的控制。描述并描绘了与光生电荷载流子的控制有关的实施例。一种制造设备的方法，所述方法包括：提供非均匀掺杂轮廓，以使得在光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的电场；在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构用于引导光生电荷载流子。
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公开(公告)号：CN102751298B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210115711.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/1443 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/02327
Abstract: 提供了一种集成电路装置，其包括：晶体管，包括栅极区域；以及波长转换元件，其中波长转换元件可以包括与晶体管的栅极区域相同的一种或多种材料。
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公开(公告)号：CN102408092B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110275216.5
申请日：2011-09-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B3/0021 , B81B2203/0109 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C2201/0116
Abstract: 描述并描绘了涉及半导体制造和具有半导体结构的半导体器件的实施例。本发明涉及一种方法，其包括：去除半导体衬底的至少第一部和第二部中的半导体材料，从而使得在所述半导体衬底中在所去除的第一部和第二部之间形成半导体结构；对所述半导体衬底应用迁移过程，从而使得所述半导体结构的第一部分在迁移过程之后保留而所述半导体结构的第二部分的半导体材料迁移到其他位置，其中通过所述半导体结构的第二部分的材料迁移，形成在该结构的保留下来的第一部分上方延伸且没有半导体材料的连续空间、以及在所述连续空间上方从第一部延伸到第二部的连续半导体材料层。
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公开(公告)号：CN102442634A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110295461.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0045 , B81B2201/0264 , B81C1/00158
Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。
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公开(公告)号：CN103378107B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201310150052.2
申请日：2013-04-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.考奇
IPC: H01L27/144 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/103
Abstract: 本发明涉及用于光谱测定应用的光电池器件和方法。实施例涉及光电池器件。在实施例中，光电池器件包括具有不同光学厚度且其下方有光电二极管的透射层的阵列。透射层可以包括两种不同材料，例如氮化物和氧化物，这两种不同材料以类似镶嵌的方式、利用不同的成比例的区域密度来覆盖每个二极管。实施例提供了相比于传统器件的优势，这些优势包括：它们可以被集成至标准CMOS工艺中，并因此在生产上更简单且更便宜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102442634B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110295461.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0045 , B81B2201/0264 , B81C1/00158
Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。
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公开(公告)号：CN103378107A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310150052.2
申请日：2013-04-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.考奇
IPC: H01L27/144 , H01L31/0216 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L31/02162 , H01L31/02327 , H01L31/103
Abstract: 本发明涉及用于光谱测定应用的光电池器件和方法。实施例涉及光电池器件。在实施例中，光电池器件包括具有不同光学厚度且其下方有光电二极管的透射层的阵列。透射层可以包括两种不同材料，例如氮化物和氧化物，这两种不同材料以类似镶嵌的方式、利用不同的成比例的区域密度来覆盖每个二极管。实施例提供了相比于传统器件的优势，这些优势包括：它们可以被集成至标准CMOS工艺中，并因此在生产上更简单且更便宜。
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公开(公告)号：CN105405855B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510571876.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.考奇
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及成像电路和用于操作成像电路的方法。成像电路包括第一垂直沟槽栅极和相邻的第二垂直沟槽栅极。成像电路包括栅极控制电路。栅极控制电路以第一操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第一空间电荷区域并且以第二操作模式操作以生成将第一电荷载流子类型的光生电荷载流子加速至第一集电接触的第二空间电荷区域。成像电路还包括图像处理电路，其基于在第一操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的距离信息，并且基于在第二操作模式下第一集电接触处收集的第一电荷载流子类型的光生电荷载流子来确定对象的颜色信息。
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公开(公告)号：CN104037181A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310619425.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035272 , G01S7/4914 , H01L27/14806
Abstract: 本发明涉及光生电荷载流子的控制。描述并描绘了与光生电荷载流子的控制有关的实施例。一种制造设备的方法，所述方法包括：提供非均匀掺杂轮廓，以使得在光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的电场；在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构用于引导光生电荷载流子。
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公开(公告)号：CN103000645A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210339889.7
申请日：2012-09-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： T.考奇
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L31/03529 , G01J3/50 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明涉及具有可控制的光谱响应的光电探测器。光电探测器包括具有辐射区的半导体衬底，所述辐射区被配置为：响应于所述半导体衬底的辐射，生成具有相反电荷载流子类型的电荷载流子。所述光电探测器还包括反型区生成器，所述反型区生成器被配置为：在至少两个操作状态中操作以在衬底内生成不同反型区，其中在第一操作状态中生成的第一反型区与在第二操作状态中生成的第二反型区不同，以及其中所述第一反型区和所述第二反型区具有所述半导体衬底中的不同延伸。还描述了用于制造光电探测器的对应方法和用于确定辐射的光谱特性的方法。
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