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公开(公告)号：CN106467287B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510755259.1
申请日：2015-11-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0077 , B81B2203/04 , B81B2207/07
摘要： 本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包括未设置在第一表面上方的第二表面。本发明还提供一种制造微机电系统(MEMS)的方法。
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公开(公告)号：CN109311656A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037218.6
申请日：2017-05-17
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： J·赖因穆特
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0043 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0154 , B81B2203/04 , G01L9/0072
摘要： 本发明涉及一种用于压力传感器设备的微机械构件，具有在衬底(10)撑开并且能够借助于在所述衬底(10)的第一衬底侧和所述衬底(10)的第二衬底侧之间的压力差拱曲的膜片(12)，和摆杆结构(14)，该摆杆结构与所述膜片(12)如此连接，使得所述摆杆结构(14)能够借助于所述膜片(12)的拱曲围绕第一旋转轴线(16)移位，其中，摆杆结构(14)通过杠杆结构(18)与所述膜片(12)如此连接，使得所述膜片(12)的拱曲触发所述杠杆结构(18)围绕平行于所述第一旋转轴线(16)定向并且与该第一旋转轴线间隔开的第二旋转轴线(20)的旋转运动，并且所述杠杆结构(18)围绕所述第二旋转轴线(20)的旋转运动触发所述摆杆结构(18)围绕所述第一旋转轴线(16)的另外的旋转运动。此外，本发明涉及一种压力传感器设备和一种用于压力传感器设备的微机械构件的制造方法。
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公开(公告)号：CN105728304B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610088359.8
申请日：2012-04-06
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H04R1/00 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81C1/00626 , H04R2201/003
摘要： 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。
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公开(公告)号：CN106163979B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480072490.4
申请日：2014-11-06
申请人： 数字光学MEMS公司
发明人： R·C·古蒂瑞兹
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/04
摘要： 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)器件，所述器件可设置有一个或多个烧结电触点。所述MEMS器件可为MEMS致动器或MEMS传感器。所述烧结电触点可为银糊剂金属化电触点。所述烧结电触点可通过以下步骤形成：在被释放的MEMS器件的晶片上沉积烧结材料诸如金属糊剂、金属预成型件、金属油墨或金属粉末，并加热所述晶片使得所述被沉积的烧结材料扩散至所述器件的衬底中，从而与所述器件形成电接触。所述被沉积的烧结材料在所述烧结过程中可冲破所述衬底上的绝缘层。所述MEMS器件可为具有第一MEMS致动器和第二MEMS致动器的多自由度致动器，所述第一MEMS致动器和第二MEMS致动器促进摄像机的自动对焦、变焦和光学图像稳定。
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公开(公告)号：CN108352276A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066443.8
申请日：2016-11-14
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 理查德·L·奈普
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B7/0006 , B81B2201/01 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/00166 , H01G5/16 , H01G5/38 , H01H2001/0084 , H01H2203/026
摘要： 本发明总体上涉及一种用于使MEMS开关的锚更加稳健以用于电流处理的机构。
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公开(公告)号：CN107434239A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710613928.0
申请日：2017-07-25
申请人： 清华大学
CPC分类号： B81B7/02 , A61N1/0541 , B81B7/04 , B81B2201/06 , B81B2203/04 , B81C1/00214 , B81C1/00349 , B81C1/00531 , B81C2201/0107 , B81C2201/0132 , B81C2201/0147 , B81C2201/0174
摘要： 本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括：所述薄膜电极阵列采用直线型结构，薄膜平面内电极形状为圆形，垂直于平面方向电极具有凸起形状；薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计，其中，电极中心间距≥150μm，每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术，提升了电极阵列的电极密度，降低了手工加工的加工成本。
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公开(公告)号：CN105593964B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201480054306.3
申请日：2014-09-24
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 托马斯·L·麦圭尔 , 理查德·L·奈普
CPC分类号： H01G5/16 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C2201/0104 , B81C2201/0109 , H01G5/011 , H01H59/0009
摘要： 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。
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公开(公告)号：CN107036591A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610987197.1
申请日：2016-11-09
申请人： 飞思卡尔半导体公司
发明人： 邵鹏
IPC分类号： G01C19/5712
CPC分类号： G01C19/5712 , B81B3/0078 , B81B5/00 , B81B2201/0228 , B81B2201/025 , B81B2203/04 , B81B2203/055 , B81B2207/03 , G01C19/5733
摘要： 一种MEMS装置包括能够沿着驱动轴进行振荡驱动运动并沿着垂直于所述驱动轴的感测轴进行振荡感测运动的质量系统。正交校正单元包括固定电极和耦合到所述可移动质量系统的可移动电极，它们各自沿着所述驱动轴纵向朝向。所述可移动电极通过具有初始宽度的间隙与所述固定电极间隔开。所述固定和可移动电极中的至少一个电极包括向所述固定和可移动电极中的另一个电极延伸的挤压区。所述可移动电极与所述质量系统一起进行振荡运动，以使得所述挤压区通过展现小于第一宽度的第二宽度的间隙与所述固定和可移动电极中的另一个电极周期性地间隔开，由此实现所述电极之间的电容增强。
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公开(公告)号：CN106995204A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610970705.5
申请日：2016-11-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00984 , B81C2201/0132 , B81C2203/037 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81C2203/01 , B81C2203/0172 , B81C2203/0707
摘要： 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。
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公开(公告)号：CN106946210A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611022323.6
申请日：2016-11-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H04R19/04 , B81B3/0008 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/04 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H04R3/00 , H04R7/122 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2207/00 , B81B3/0027 , B81C1/00182 , B81C1/0038
摘要： 本发明涉及用于垂直电极换能器的系统和方法。根据实施例，一种操作具有薄膜的微机电系统(MEMS)换能器的方法包括：使用第一对静电驱动电极在薄膜的平面外偏转和第一对静电驱动电极上的电压之间转化。第一对静电驱动电极被形成在薄膜上，沿平面外方向延伸并且在第一对静电驱动电极之间形成可变电容。
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