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公开(公告)号:CN106132868A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201480065272.8
申请日:2014-11-21
Applicant: 追踪有限公司
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B7/0038 , B81C1/00333 , B81C2203/0172
Abstract: 本发明提供用于围封微机电系统MEMS结构(620)阵列的层压膜的系统、方法和设备。在一个方面中,一种MEMS装置包括:衬底(610),其具有装置区(610a)和环绕所述装置区的边缘区(610b);以及MEMS结构阵列,其在所述衬底上所述装置区处。保护层安置于MEMS结构的所述阵列上方。层压膜(600)安置于所述保护层上方且与所述衬底接触以在所述边缘区处形成密封,其中所述层压膜在所述装置区处形成所述衬底与所述层压膜之间的空腔。所述层压膜包括背对MEMS结构的所述阵列的湿气阻挡层(650),和面向MEMS结构的所述阵列的干燥剂层(640)。
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公开(公告)号:CN102906010B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201180025550.3
申请日:2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统(MEMS)腔体(60b)的方法包括:在布线层(14)和衬底(10)上方形成第一牺牲腔体层(18)。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层(40)。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体(60b)的平面表面。
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公开(公告)号:CN102906008B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180025545.2
申请日:2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统(MEMS)的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极,上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。
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公开(公告)号:CN102906010A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180025550.3
申请日:2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统(MEMS)腔体(60b)的方法包括:在布线层(14)和衬底(10)上方形成第一牺牲腔体层(18)。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层(40)。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体(60b)的平面表面。
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公开(公告)号:CN102295265A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110174587.4
申请日:2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板,以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。
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公开(公告)号:CN104843635B
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201510086498.2
申请日:2015-02-17
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor: D·哈贝雷尔
CPC classification number: B81B1/004 , B81B7/02 , B81B2201/04 , B81B2201/047 , B81B2203/0353 , B81C1/00087 , B81C1/00103 , B81C2201/0194 , B81C2203/0172
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械部件的方法以及一种微机械部件。方法包括以下步骤:提供具有第一外表面和第二外表面的衬底,第二外表面背离第一外表面;构造穿过衬底从衬底的第一外表面直到衬底的第二外表面的通孔;在衬底的第二外表面上安装光学功能层,其中,光学功能层遮盖通孔;在衬底的第一外表面处如此移除衬底的第一区段,使得形成相对于衬底的第二外表面倾斜的第三外表面,第三外表面背离衬底的第二外表面,其中,倾斜的第三外表面包围通孔;通过分离衬底的具有通孔的第一部分和光学功能层的安装在第一部分处的第二部分与衬底的剩余部和光学功能层的剩余部来分离微机械部件。
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公开(公告)号:CN106995204A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201610970705.5
申请日:2016-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00984 , B81C2201/0132 , B81C2203/037 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81C2203/01 , B81C2203/0172 , B81C2203/0707
Abstract: 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中,所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层,其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。
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公开(公告)号:CN102906009B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201180025546.7
申请日:2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统(MEMS)结构、制造和设计结构的方法。该方法包括:采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统(MEMS)腔体(60a,60b),该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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公开(公告)号:CN104944355A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510094985.3
申请日:2015-03-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 吉泽隆彦
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0078 , B81B2201/0271 , B81C1/00293 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , B81C2203/0172
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统设备及其制造方法,该微机电系统设备具有:基板;功能元件,其直接或经由绝缘膜而被设置于基板的表面上;构造体,其被设置于基板或者绝缘膜的表面上,并在功能元件的周围形成空腔;第1层,其在规定的位置处形成有开口,并以与功能元件之间留有间隙的方式而覆盖空腔的一部分;第2层,其被设置于第1层的表面上,并在与规定的位置对应的位置处形成有开口;封闭部,其在第2层的表面上被设置于与第1层的开口以及第2层的开口相比而更广的范围内,且至少封闭第2层的开口。
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公开(公告)号:CN102906009A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201180025546.7
申请日:2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: D.丹格 , T.多安 , G.A.邓巴 , 何忠祥 , R.T.赫林 , C.V.扬斯 , J.C.马林 , W.J.墨菲 , A.K.斯坦珀 , J.G.通布利 , E.J.怀特
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统(MEMS)结构、制造和设计结构的方法。该方法包括:采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统(MEMS)腔体(60a,60b),该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。
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