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公开(公告)号：CN106995204A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610970705.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00984 , B81C2201/0132 , B81C2203/037 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81C2203/01 , B81C2203/0172 , B81C2203/0707
Abstract: 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。
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公开(公告)号：CN106241726A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510852244.7
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/12 , B81B2203/0127 , B81C1/00238 , H01L27/14692 , H01L27/20 , B81B7/0032 , B81B3/00 , B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2207/09 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C3/00 , B81C2201/01 , B81C2203/01
Abstract: 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。
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公开(公告)号：CN105565256A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510617061.7
申请日：2015-09-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·皮科
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00325 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2207/015 , B81C1/00261 , B81C1/00285 , B81C2203/01
Abstract: 微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。
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公开(公告)号：CN108529551A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710120393.3
申请日：2017-03-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81C1/00261 , B81C2203/01 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明揭露了一种气压传感器，包括：外壳、电路板、MEMS传感器芯片、ASIC芯片和薄膜；其中，所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片设置在所述电路板上；以及，所述外壳包括至少一个开口端；所述外壳与所述电路板形成容纳所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片的封装结构；所述封装结构包括空腔体以及设置在所述封装结构上的导通孔，所述导通孔连通所述空腔体和外界环境；所述薄膜设置于所述封装结构的表面上，覆盖所述导通孔。本发明还揭露了一种气压传感器的封装方法。根据本发明的气压传感器，避免了灰尘、水滴等杂质进入导通孔后可能发生的堵塞，或者进入到空腔体内影响各种电子元器件正常工作。
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公开(公告)号：CN107416760A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710702619.0
申请日：2017-08-16
Applicant: 北方电子研究院安徽有限公司
Inventor： 凤瑞
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0221 , B81C3/001 , B81C2203/01 , B81C2203/03 , G01D5/24
Abstract: 本发明公开了一种倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法，在晶圆片A的硅衬底上加工出导电通孔，然后对晶圆片A进行氧化形成二氧化硅保护层；去除硅电极层表面的二氧化硅保护层，在硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体；在敏感结构腔体内加工出电极结构；采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A的硅电极层上；去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；将硅帽键合到晶圆片B的硅电极层上；采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽；芯片倒置，将硅帽表面粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体底面，使导电通孔通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势，易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104944360B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410113760.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0038 , B81C2203/01 , G01L9/0042 , G01P15/0802 , G01P15/125
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，所述加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于第二介质层上的压力传感器，所述压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。
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公开(公告)号：CN104944360A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113760.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0038 , B81C2203/01 , G01L9/0042 , G01P15/0802 , G01P15/125
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，所述加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于第二介质层上的压力传感器，所述压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。
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公开(公告)号：CN107043086A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611261004.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C3/00 , H01L21/762
CPC classification number: B81C1/00357 , B81C1/00269 , B81C2203/036 , B81C2203/037 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , B81C3/001 , B81C2203/01 , H01L21/76251
Abstract: 提供一种用硅烷预处理将一对衬底熔融粘合在一起的方法。用硅烷预处理第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。将第一氧化物层和第二氧化物层分别布置于第一半导体衬底和第二半导体衬底上。将水施用到第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。使第一氧化物层的表面和第二氧化物层的表面直接接触。使第一氧化物层和第二氧化物层退火。还提供一种用于使用熔融粘合制造微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)封装的方法。
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公开(公告)号：CN106960827A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710196174.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 袁鹰
CPC classification number: H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/10158 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L23/3121 , B81C1/00261 , B81C2203/01 , H01L21/561 , H01L25/071 , H01L25/072
Abstract: 本发明公开了一种三维封装结构与封装方法，包括下封装体、金属层框架、以及芯片（集成电路芯片和/或微机电芯片），金属层框架与芯片均设置于下封装体上方，金属层框架通过导电连接材料与下封装体形成电连接，芯片放置于金属层框架上表面或者下封装体的上表面，芯片通过电连接机构与金属层框架形成电连接。下封装体中包含有一个或多个集成电路芯片和/或微机电芯片和/或其他元器件。本方案封装结构简单，尤其适用于将各类微机电芯片与其他芯片形成集成模块，具有普适性，工艺容易实现，产品质量有充分保证且封装按工艺能力测算应具有极高良品率。
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公开(公告)号：CN106115615A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610682523.8
申请日：2016-08-17
Applicant: 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
Inventor： 华亚平
CPC classification number: B81C1/00 , B81B7/0032 , B81B7/02 , B81C1/00261 , B81C2203/01
Abstract: 本发明公开了具有吸气剂的MEMS芯片及其圆片级封装方法，由盖板、MEMS结构层和底板组成，盖板下表面具有盖板凹腔，底板上表面具有底板凹腔，盖板凹腔和底板凹腔共同形成密封腔，MEMS结构位于密封腔中，盖板与MEMS结构层间有盖板绝缘层，底板通过底板键合层与MEMS结构层键合，盖板凹腔或底板凹腔中制作有棱锥或棱台，棱锥和棱台上都覆盖有吸气剂。本发明是在蚀刻底板凹腔或盖板凹腔的同时形成棱锥或棱台，在不增加工艺步骤、不增加MEMS芯片面积的情况下，在MEMS芯片密封腔内制作若干个棱锥或棱台，棱锥或棱台表面溅射或蒸发吸气剂，以增加吸气剂的表面积，用于吸附密封腔内的气体分子，保证密封腔的真空度，为MEMS结构提供高真空度的工作环境。
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