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公开(公告)号：CN105571749B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410545227.4
申请日：2014-10-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种压力传感器形成方法，包括：提供第一半导体衬底；形成覆盖所述第一半导体衬底表面的绝缘层和覆盖所述绝缘层表面的衬底层；形成覆盖所述衬底层表面的器件层，所述器件层内形成有压阻结构；形成覆盖所述器件层的介质层；形成覆盖所述介质层表面的保护层，所述保护层内形成有连接区；形成贯穿所述保护层和介质层的第一沟槽，所述第一沟槽暴露出压阻结构部分表面；提供具有连接表面的第二半导体衬底，所述连接表面形成有第二沟槽；键合连接所述连接区和连接表面，形成空腔；去除第一半导体衬底，暴露出绝缘层。所述方法能够降低压力传感器的生产成本。
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公开(公告)号：CN105845589A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510019320.6
申请日：2015-01-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48 , H01L23/525 , B81C3/00 , B81B7/02
CPC classification number: H01L21/187 , B81C1/00 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：通过第一键合环和第二键合环将第一衬底和第三衬底共晶键合；对第三衬底进行减薄处理，在第三衬底的远离第一衬底的表面上形成重布线层以及位于重布线层上的凸点。本发明的方法由于包括将第一衬底与第三衬底共晶键合，对第三衬底进行减薄处理以及形成重布线层和凸点的步骤，因而可以在为芯片提供电通路的同时减小芯片尺寸，降低成本。本发明的半导体器件采用上述方法制造，同样具有上述优点。本发明的电子装置，由于包括上述的半导体器件，因而同样具有上述优点。
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公开(公告)号：CN102856247B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110180998.4
申请日：2011-06-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种背面硅通孔制作方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，所述半导体器件层中包括半导体器件，与半导体器件电接触的钨栓塞，及位于所述钨栓塞上方且与之相连的铝连线，该方法包括：从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底和半导体器件层，以所述铝连线作为刻蚀停止层，形成与所述铝连线相通的硅通孔后，在硅通孔中填充金属形成导电通孔。本发明提出的背面硅通孔制作方法以半导体器件层中的铝连线作为硅通孔的刻蚀停止层和硅通孔中形成导电通孔的电连接点，避免了以金属互连层中的金属衬垫或者延伸金属衬垫作为导电通孔的电连接点时无法准确定位硅通孔位置以及刻蚀穿通问题。
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公开(公告)号：CN104671190A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310616516.4
申请日：2013-11-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种器件表面的保护方法，包括：提供基底，所述基底具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对，所述第一表面形成有器件层；在所述器件层上形成保护层以保护所述器件层，所述保护层为聚合物；在所述基底的第二表面进行工艺；以及去除所述聚合物层。本发明提供的器件表面的保护方法能有效地保护器件表面，同时避免了对金属电极的腐蚀。
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公开(公告)号：CN102556944A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010620560.9
申请日：2010-12-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供MEMS装置的制作方法，包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体衬底上形成有第一凹槽，所述第二半导体衬底上形成有第二凹槽，所述第二凹槽的位置与所述第一凹槽的位置对应；进行键合工艺，使得所述第一半导体衬底和第二半导体衬底结合，且所述第一凹槽与第二凹槽相连通，形成MEMS空腔；在所述MEMS空腔内填充导热气体；对所述填充有导热气体的MEMS空腔上方的第一半导体衬底进行等离子体刻蚀，形成MEMS活动器件，所述MEMS活动器件与所述第一半导体衬底之间形成有通孔，所述通孔与所述MEMS空腔相连通。本发明形成的通孔的宽度均匀，改善了形成的通孔和MEMS活动器件的形貌，提高了MEMS装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104678125B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201310637615.0
申请日：2013-11-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 一种MEMS传感器的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成第一介质层，在第一介质层上形成下极板；在第一介质层上形成第二介质层；在第二介质层上形成导电材料层；对导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极，惯性电极具有多个第一梳状件，固定电极具有多个第二梳状件，部分或全部数量的第一梳状件与下极板在垂直于基底上表面方向上相对，相邻两第一梳状件之间为一个第二梳状件，且相邻两第二梳状件之间为一个第一梳状件；在多个第一、第二梳状件下的部分厚度的第二介质层中形成空腔，在形成空腔过程中，使用气态刻蚀剂和挥发性载体，在形成空腔过程中产生的气态聚合物被挥发性载体携带排出。本技术方案提升MEMS加速度传感器性能。
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公开(公告)号：CN104614119B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201310542786.5
申请日：2013-11-05
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种压力传感器及其形成方法，其中压力传感器包括：基底，在基底中形成有晶体管；位于基底上的层间介质层，所述层间介质层覆盖基底和晶体管，在层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与晶体管电连接；位于所述层间介质层上的压力感应膜，所述压力感应膜覆盖层间介质层且与晶体管电连接，所述下极板与压力感应膜之间具有空腔；位于压力感应膜上的多个相互隔开的块状件，所述块状件位于空腔上方，所述压力感应膜上表面露出。本技术方案中，多个块状件的重力使压力感应膜本身的应力得到释放，压力传感器的灵敏性增强，性能较佳。
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公开(公告)号：CN105293424B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410226204.7
申请日：2014-05-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件以及制备方法、电子装置，所述方法包括：提供基底，在所述基底中形成有集成电路；在所述基底上沿垂直方向依次形成加速度传感器、压力传感器和湿度传感器，以实现在垂直方向上的集成。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的制备方法，所述方法中利用低温SiGe作为结构层，利用无定形碳作为牺牲材料层，形成CMOS‑MEMS电路垂直整合的湿度传感器和电容式压力传感器以及2轴加速度计，使总体的芯片面积有效减小，可以有效的提高晶圆芯片生产效率并提升单颗芯片的功能。
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公开(公告)号：CN105984837A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510086444.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种堆叠结构的晶圆及其减薄方法。其中，该堆叠结构的晶圆的减薄方法包括：在第一晶圆和第二晶圆键合后，在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，其中，第二晶圆的直径小于第一晶圆和第三晶圆的直径；加热键合材料以使第二晶圆和第三晶圆键合，得到键合后的晶圆；对第一晶圆和第三晶圆的边缘处的空腔灌注胶水；以及在胶水固化后，对键合后的晶圆进行减薄处理。通过本申请，解决了现有技术中晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，达到了避免晶圆的边缘破碎的效果。
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公开(公告)号：CN105731360A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410752823.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开的一种MEMS传感器及其制备方法，通过采用深反应离子刻蚀工艺部分刻蚀键合在氧化物层上表面的硅片至顶部金属层的上表面，形成一闭合的隔离沟槽，并于该隔离沟槽中填充氧化物后，继续在被该隔离沟槽所包围的区域中刻蚀部分剩余的硅片至上述金属层的上表面，形成接触孔，由于已充满氧化物的隔离沟槽取代了直接于接触孔中填充的氧化物层，从而避免了沉积氧化物形成隔离层时造成的接触孔顶部开口变小的情况，使得MEMS传感器的接触孔连接侧壁绝缘工艺更加简单，实践更加容易，进而有效改善了钨填充时会出现空隙以及硅片和接触孔之间发生的漏电现象。
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