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公开(公告)号：CN107226453B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201610172705.0
申请日：2016-03-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有接合环；在所述接合环的两侧形成阻挡侧墙，所述阻挡侧墙与所述接合环之间具有间隔，并且所述阻挡侧墙的高度小于所述接合环的高度；提供覆盖晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；其中，所述覆盖晶圆上形成有与所述接合环相对应的接合材料层，将所述接合材料层与所述接合环相接合并停止于所述阻挡侧墙，以使所述接合材料层的边缘与所述阻挡侧墙至少部分的接触重叠。本发明中在底部晶圆与覆盖晶圆接合的过程中所述阻挡侧墙不仅能够阻挡接合材料(例如合金)挤出，并能挡住覆盖晶圆中接合材料层的下压距离。
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公开(公告)号：CN104340951A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310326677.X
申请日：2013-07-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种运动传感器的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有传感器底部电极层；在所述传感器底部电极层上形成具有沟槽的介电层，以露出所述传感器底部电极层；沉积牺牲材料层，以填充所述沟槽；沉积MEMS衬底，以覆盖所述牺牲材料层；图案化所述MEMS衬底，以形成开口，露出部分所述牺牲材料层；在所述开口的侧壁上形成低温导电层，以减小所述开口的宽高比；去除所述牺牲材料层，以在所述传感器底部电极层上方形成空腔。通过所述方法可以更加容易控制所述开口的关键尺寸，不再受所述工艺过程宽高比的限制，所述方法还可以降低所述开口在X和Y轴上的尺寸，降低开口的宽高比，提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102820385A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110152390.0
申请日：2011-06-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/265 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供均匀地掺杂有第一掺杂剂的半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成MEMS器件的第一区域和用于形成二极管的第二区域；在所述第二区域的部分中掺杂与第一掺杂剂具有相反导电类型的第二掺杂剂，以形成所述二极管；对所述半导体衬底进行减薄；以及在所述第一区域中形成所述MEMS器件。根据本发明的方法可以解决制作MEMS器件带来的K+污染问题，有效地避免热处理工艺对二极管的性能产生影响，并且还可以充分利用现有的CMOS工艺的生产设备，缩短MEMS器件的上市周期。
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公开(公告)号：CN102044428B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910197079.0
申请日：2009-10-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供了一种晶圆的减薄方法，包括下列步骤：提供待减薄的半导体晶圆；对所述晶圆表面进行研磨减薄，直至停止厚度；对所述晶圆表面进行喷雾腐蚀减薄，直至预定减薄厚度。本发明采取分步减薄的方式，先使用机械研磨进行初步减薄至停止厚度；再采用喷雾腐蚀进一步减薄至预定减薄厚度，使得晶圆在减薄过程中，避免因机械研磨所产生的应力损坏晶圆，减少晶圆边缘的断裂现象，并改善晶圆表面平整度。
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公开(公告)号：CN105185738B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410279762.X
申请日：2014-06-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 谢红梅
IPC: H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及制备方法、电子装置，所述方法包括提供基底，在所述基底上形成有CMOS器件和位于所述CMOS器件上的互连层；在所述基底上形成具有空腔的介电层，所述空腔位于所述互连层的上方，以定义通孔的形状；在所述介电层上形成MEMS层，以覆盖所述介电层；图案化所述MEMS层，以在所述空腔上方形成通孔开口，露出所述空腔和所述互连层；在所述空腔和所述通孔开口中填充导电材料，以形成通孔，来连接所述CMOS器件和所述MEMS层。本发明在形成MEMS层之前，在所述CMOS金属互连层上方形成空腔或者牺牲材料层，来代替要去除的介电层，从而避免了在图案化MEMS层之后在10um的深度下蚀刻所述介电层，相对于现有方法不仅简单易行，而且提高了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104743501B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310743292.3
申请日：2013-12-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种运动传感器的制备方法，提供基底，所述基底上形成有CMOS器件；在所述基底上形成底部电极以及位于所述底部电极上方的MEMS衬底，并在所述底部电极和所述MEMS衬底间形成空腔；蚀刻所述MEMS衬底至所述底部电极，以形成深通孔，进而露出所述底部电极；蚀刻所述深通孔的顶部，以扩大所述深通孔顶部开口的关键尺寸；在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层；在所述深通孔内沉积金属材料，然后蚀刻去除所述深通孔顶部沉积的所述金属材料，以保持所述开口具有大的关键尺寸。在本发明所述方法在填充过程中不会形成孔洞，提高了器件的良率。
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公开(公告)号：CN104249991B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
Abstract: 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN104249991A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
Abstract: 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN104051229A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310077668.1
申请日：2013-03-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/538
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L23/5222 , H01L23/53209 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明提供一种铜制程整合无源器件制造工艺及其制成的无源器件，该工艺包括：在Si晶圆衬底上生长一层绝缘基底，再由下至上依次制备第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层；第三绝缘层、第三金属层、绝缘介质层、钝化保护层；在第二绝缘层上制作穿透第二绝缘层且延伸至第二金属层的第一栓塞导通孔和穿透第二绝缘层且延伸至第一金属层的第二栓塞导通孔；将铜填入第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔中；在第三绝缘层中正对第一栓塞导通孔和第二栓塞导通孔的位置处制作穿透第三绝缘层的延长通孔，并在延长通孔中填入金属铜。本发明将Cu作为连接金属栓塞导通第一金属层和位于延长通孔中的金属铜，增加了金属层的厚度，提高了Q值，节省了成本。
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公开(公告)号：CN102815663A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110152388.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有CMOS器件，在所述半导体衬底的上表面形成有氟硅玻璃层；在所述氟硅玻璃层上形成富硅材料层；以及在所述富硅材料层上形成MEMS器件。本发明通过在CMOS器件制作完成后，MEMS器件制作之前形成富硅材料层可以有效地解决在工艺温度超过400℃，并且保温时间较长的热处理过程中，氟聚集形成气泡而导致结构空洞和表面粗糙不平的问题，进而有效地避免了给后续工艺以及器件的性能带来的影响。
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