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公开(公告)号：CN106698330A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611139921.1
申请日：2013-03-11
申请人： 矽立科技有限公司
发明人： 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希 , 提-希斯·特伦斯·李 , 阿里·J·拉斯特加尔 , 姆谷拉尔·斯唐库 , 肖·查理斯·杨
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B3/0013 , B81B3/0086 , B81B7/0022 , B81B7/0064 , B81B2203/0163 , B81B2207/094 , B81C1/00238 , B81C2201/0132 , B81C2201/05 , B81C2203/0735 , H01L27/0688
摘要： 一种用于制造集成MEMS‑CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻(DRIE)的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构(MEMS)。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏(PID)。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。
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公开(公告)号：CN104716050B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
摘要： 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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公开(公告)号：CN105206537A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510523929.7
申请日：2006-03-09
申请人： 因文森斯公司
发明人： 史蒂文·S·纳西里 , 安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/603 , B81C1/00 , H01L23/52
CPC分类号： B81C1/00238 , B23K20/023 , B81B3/0018 , B81B7/007 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/094 , B81C1/00269 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/038 , B81C2203/0792 , H01L21/187 , H01L21/50 , B81C1/00 , H01L23/52 , H01L24/03 , H01L24/82 , H01L2224/02 , H01L2224/828
摘要： 本申请涉及晶片封装环境中制作AI/GE键合的方法及由其生产的产品。一种通过铝锗键合(110)进行第一MEMS衬底(102)与第二CMOS衬底(104)之间的键合以形成坚固的电及机械触点的方法，所述第一MEMS衬底(102)包括至少一个经图案化的大致锗层，所述第二CMOS衬底(104)包括至少一个经图案化的大致铝层。
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公开(公告)号：CN103303859A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310076476.9
申请日：2013-03-11
申请人： 马库伯公司
发明人： 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希 , 提-希斯·特伦斯·李 , 阿里·J·拉斯特加尔 , 姆谷拉尔·斯唐库 , 肖·查理斯·杨
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B3/0013 , B81B3/0086 , B81B7/0022 , B81B7/0064 , B81B2203/0163 , B81B2207/094 , B81C1/00238 , B81C2201/0132 , B81C2201/05 , B81C2203/0735 , H01L27/0688
摘要： 一种用于制造集成MEMS-CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻（DRIE）的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构（MEMS）。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏（PID）。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。
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公开(公告)号：CN103238075B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180054796.3
申请日：2011-09-18
申请人： 快捷半导体公司
发明人： C·阿卡
IPC分类号： G01C19/5755 , G01P15/125 , G01P15/18
CPC分类号： H01L29/84 , B81B7/04 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , B81B2203/055 , B81B2203/056 , B81B2203/058 , B81B2207/094 , G01C19/5755 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0848
摘要： 除其它情况之外，本申请讨论了一种惯性测量系统，包括器件层、帽晶片和孔晶片，其中，所述器件层包括单质量块三轴加速计，所述帽晶片粘合到所述器件层的第一表面，所述孔晶片粘合到所述器件层的第二表面，其中，所述帽晶片和所述孔晶片被配置为封装所述单质量块三轴加速计。所述单质量块三轴加速计可围绕单个中心锚悬吊，且包括单独的x轴挠曲支承部、y轴挠曲支承部和z轴挠曲支承部，其中，所述x轴挠曲支承部和所述y轴挠曲支承部关于所述单个中心锚对称，且所述z轴挠曲支承部关于所述单个中心锚不对称。
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公开(公告)号：CN103238075A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180054796.3
申请日：2011-09-18
申请人： 快捷半导体公司
发明人： C·阿卡
IPC分类号： G01P15/18 , G01P15/14 , G01C19/5755
CPC分类号： H01L29/84 , B81B7/04 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , B81B2203/055 , B81B2203/056 , B81B2203/058 , B81B2207/094 , G01C19/5755 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0848
摘要： 除其它情况之外，本申请讨论了一种惯性测量系统，包括器件层、帽晶片和孔晶片，其中，所述器件层包括单质量块三轴加速计，所述帽晶片粘合到所述器件层的第一表面，所述孔晶片粘合到所述器件层的第二表面，其中，所述帽晶片和所述孔晶片被配置为封装所述单质量块三轴加速计。所述单质量块三轴加速计可围绕单个中心锚悬吊，且包括单独的x轴挠曲支承部、y轴挠曲支承部和z轴挠曲支承部，其中，所述x轴挠曲支承部和所述y轴挠曲支承部关于所述单个中心锚对称，且所述z轴挠曲支承部关于所述单个中心锚不对称。
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公开(公告)号：CN104249991B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
摘要： 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN103221778B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180055845.5
申请日：2011-09-18
申请人： 快捷半导体公司
发明人： C·阿卡
IPC分类号： G01C19/5642 , B81B3/00
CPC分类号： H01L29/84 , B81B7/04 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , B81B2203/055 , B81B2203/056 , B81B2203/058 , B81B2207/094 , G01C19/5755 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0848
摘要： 除其它情况之外，本申请讨论了帽晶片和通孔晶片，所述帽晶片和所述通孔晶片被配置为封装在装置层的x-y面上形成的单质量块三轴陀螺仪。所述单质量块三轴陀螺仪可包括：主质量块部件、中心悬置系统以及驱动电极，其中，所述主质量块部件悬置于单中心支架上，且所述主质量块部件包括向外朝所述三轴陀螺仪传感器的边缘延伸的放射状部分；所述中心悬置系统被配置为将所述三轴陀螺仪悬置于所述单中心支架上；且所述驱动电极包括移动部分和固定部分，所述移动部分连接到所述放射状部分上，其中，所述驱动电极和所述中心悬置系统被配置为使所述三轴陀螺仪关于垂直于所述x-y面的z轴以驱动频率振动。
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公开(公告)号：CN104716050A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
摘要： 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104249991A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
摘要： 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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