一种三轴MEMS电容式加速度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN113176423B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202110578087.0

    申请日:2021-05-26

    摘要: 本发明公开了一种三轴MEMS电容式加速度传感器及其制作方法,属于微机电系统技术领域。其包括用于检测x方向上加速度的上层结构、用于检测z方向上加速度的中层结构和用于检测y方向上加速度的下层结构;上层结构和下层结构均构成梳齿型倍增电容加速度传感器,分别由动电极及定电极组成;中层结构构成三明治式差分电容加速度传感器,包括上、下级板和质量块。本发明具有电容正对面积大、量程大、灵敏度高、可靠性高、集成度高、成本低、噪声低、性能稳定等优点。

    一种“全解耦嵌套式”双轴MEMS加速度计结构

    公开(公告)号:CN118858694A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202411155772.2

    申请日:2024-08-22

    摘要: 本发明公开了一种“全解耦嵌套式”双轴MEMS加速度计结构,该结构由带有差分检测梳齿的内外两层结构组成,分别实现X/Y轴向的加速度检测。本发明公开了一种全解耦嵌套式双轴MEMS加速度计结构,可以实现X/Y轴的全差分检测,解决了现有双轴加速度计交叉耦合大的问题。本发明的全解耦嵌套式双轴MEMS加速度计结构呈内外两层式,差分滑膜检测梳齿分布其间,整体包含结构层,金属电极层及玻璃基板层,呈中心对称式分布,检测形式为开环检测,内外两层结构并无直接连接,其敏感轴向结构不受其正交轴向的质量影响,实现内外层结构的解耦,减小轴间耦合。本发明的全解耦嵌套式双轴MEMS加速度计结构可以实现正交轴向的加速度检测,适用于军事导航及汽车工业等领域。

    具有竖直止动件的MEMS加速计
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118777638A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410403280.4

    申请日:2024-04-03

    IPC分类号: G01P15/08 G01P15/125

    摘要: 一种MEMS装置包括衬底、一组弹簧和悬置在所述衬底上方且通过所述弹簧联接到所述衬底的质量块。每一弹簧包括所述衬底上的对应的锚定件和远离所述锚定件延伸的横杆。每一横杆具有:固定端,其通过第一连杆在所述横杆的靠近所述锚定件的一端处联接到所述锚定件;及自由端,其通过第二连杆在所述横杆的远离所述锚定件的一端处联接到所述质量块。所述锚定件围绕所述质量块的中心对称地布置。所述质量块相对于所述衬底竖直地平移,且当所述质量块朝向所述衬底的竖直位移达到预定义值时,每一弹簧的所述自由端接触所述衬底且防止所述质量块接触所述衬底。

    用于改善MEM加速度计的频率响应的方法和装置

    公开(公告)号:CN113156163B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202110079142.1

    申请日:2021-01-21

    IPC分类号: G01P15/08 G01P15/125

    摘要: 本公开涉及用于改善MEM加速度计的频率响应的方法和装置。公开一种用于测量加速度的传感器装置及其操作方法。在一些实施方案中,传感器内部的电路将来自加速度计的测得的加速度信号数字化为数字化的加速度信号,并由传感器内的数字均衡滤波器进行处理以提供均衡的加速度信号。均衡的加速度信号可以具有在延伸超出传感器的加速度计内的MEMS传感器的谐振频率的频率范围内基本平坦的频率响应。

    一种三轴电容式加速度计
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118566536A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202411017275.6

    申请日:2024-07-29

    IPC分类号: G01P15/125 G01P1/00

    摘要: 本发明涉及加速度计技术领域,公开一种三轴电容式加速度计,包括锚点,还包括由外至内依次设置的:第一加速度检测组件,包括第一质量块和第一检测电极,第一质量块与锚点沿第一方向弹性连接;第二加速度检测组件,包括第二质量块和第二检测电极,第二质量块与第一质量块沿第二方向弹性连接;第三加速度检测组件,包括第三质量块和第三检测电极,第三质量块与第二质量块沿第三方向弹性连接,第三检测电极为第三方向差分电容。本发明公开的三轴电容式加速度计,结构简单、锚点少,适用于长时间稳定工作的应用场景,延长了加速度计的使用寿命,提高了加速度计的可靠性。

    用于电容式加速度计的静电调制方法

    公开(公告)号:CN118566535A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202311797092.6

    申请日:2023-12-25

    IPC分类号: G01P15/125 G01P15/08

    摘要: 本发明涉及加速度计技术领域,公开了一种用于电容式加速度计的静电调制方法。其中,该方法包括:在电容式加速度计中设置与质量块M相对的调制电极T;在调制电极T上施加交流调制电压VT,产生静电弹簧效应;产生静电弹簧效应后,电容式加速度计的输出作为位移检测电路的输入,输出得到检测位移VM;将检测位移VM与给定位移Vd作为力反馈控制器GC的输入,输出得到力反馈信号,并将力反馈信号反馈至电容式加速度计作为输入;通过解调模块对力反馈信号进行实时监测并解调;在解调结果中存在弹性力时,通过PI调节模块自动调节给定位移Vd,得到调节后的位移,并将调节后的位移与检测位移VM作为力反馈控制器GC的输入,直至解调结果中不存在弹性力。

    加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器

    公开(公告)号:CN118425559A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410888184.3

    申请日:2024-07-04

    IPC分类号: G01P15/125 G01P1/00

    摘要: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器,其中加速度传感器结构包括:衬底层;结构层,其设置在衬底层的一侧,结构层包括支撑框架部和活动质量块,所示支撑框架部与活动质量块相分离;支撑结构,其支撑连接支撑框架部和衬底层,支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部;在衬底层的厚度方向上,支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请,其在支撑结构中增加了支撑保护部,以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积,减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积,进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果,提高产品的稳定性。

    一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构

    公开(公告)号:CN115078767B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202210554601.1

    申请日:2022-05-19

    IPC分类号: G01P15/125 B81B7/02

    摘要: 本发明公开了一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构,采用四周支撑结构支撑整个可动结构,并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度,传感器所处温度变化时,由于材料热膨胀系数失配产生的热应力可通过应力释放梁释放,可显著降低中心敏感结构上所受的热应力,提高传感器输出特性的温度稳定性。

    一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法

    公开(公告)号:CN114291785B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202111497956.3

    申请日:2021-12-09

    IPC分类号: B81C1/00 B81B7/00 G01P15/125

    摘要: 本发明提供一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法,包括上盖板、下盖板和中间层敏感结构,上盖板包括硅‑玻璃,下盖板包括硅‑玻璃,该方法包括以下步骤:在上下盖板硅晶片上光刻腐蚀出多个单元图形,与玻璃片进行键合,通过回流、研磨、抛光等工序实现GIS结构;结构硅晶片双面光刻湿法腐蚀出结构图形;将结构硅晶片中的结构图形、上下盖板硅晶片中与结构硅中结构图形对应的单元图形在设定气压、设定温度的键合设备内进行键合。本发明继承经典硅‑玻璃‑硅‑玻璃‑硅五层结构低寄生电容优势,同时实现了表面电极制备,使用基于与硅热膨胀系数更为接近的SD‑2玻璃和Ti金属电极,制造出寄生电容小、低应力的敏感芯片,同时实现晶圆级批量化性能测试。

    一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构

    公开(公告)号:CN115201515B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202210743282.9

    申请日:2022-06-27

    IPC分类号: G01P15/125

    摘要: 本发明提出一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构,实现三个轴向加速度的检测。通过结构对称性设计、检测差分设计、“工”字型弹性梁设计、交叉轴解耦设计显著降低交叉轴耦合。将检测梳齿锚区位置设计在结构轴线两侧附近,降低了温度变化过程中检测锚区在垂直于结构轴线方向上的位移,降低了环境温度变化时热应力对检测电容间隙变化的影响,提高加速度计输出特性的温度稳定性。