公开(公告)号：CN105206537A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510523929.7

申请日：2006-03-09

申请人： 因文森斯公司

发明人： 史蒂文·S·纳西里 ,  安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  B81C1/00 ,  H01L23/52

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B23K20/023 ,  B81B3/0018 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00269 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/0792 ,  H01L21/187 ,  H01L21/50 ,  B81C1/00 ,  H01L23/52 ,  H01L24/03 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/828

摘要： 本申请涉及晶片封装环境中制作AI/GE键合的方法及由其生产的产品。一种通过铝锗键合(110)进行第一MEMS衬底(102)与第二CMOS衬底(104)之间的键合以形成坚固的电及机械触点的方法，所述第一MEMS衬底(102)包括至少一个经图案化的大致锗层，所述第二CMOS衬底(104)包括至少一个经图案化的大致铝层。

公开(公告)号：CN105314592A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510523999.2

申请日：2006-03-09

申请人： 因文森斯公司

发明人： 史蒂文·S·纳西里 ,  安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

摘要： 本申请涉及晶片封装环境中制作AI/GE键合的方法及由其生产的产品。一种通过铝锗键合(110)进行第一MEMS衬底(102)与第二CMOS衬底(104)之间的键合以形成坚固的电及机械触点的方法，所述第一MEMS衬底(102)包括至少一个经图案化的大致锗层，所述第二CMOS衬底(104)包括至少一个经图案化的大致铝层。

公开(公告)号：CN101663586A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200680048919.1

申请日：2006-11-17

申请人： 因文森斯公司

发明人： 史蒂文·S·纳西里 ,  约瑟夫·西格 ,  马丁·利姆 ,  安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里 ,  亚历山大·卡斯特罗

IPC分类号： G01P3/00

CPC分类号： G01C19/56 ,  G01C19/5712 ,  G01C19/5719 ,  G01C19/574

摘要： 本发明提供一种用于测量X-Y传感器平面中角速度的X及Y分量的双轴传感器。所述双轴传感器包含用于测量角速度的所述X分量的第一子传感器及用于测量角速度的所述Y分量的第二子传感器。所述第一子传感器及所述第二子传感器含纳于所述双轴传感器内的单个气密密封内。

公开(公告)号：CN101663586B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200680048919.1

申请日：2006-11-17

申请人： 因文森斯公司

发明人： 史蒂文·S·纳西里 ,  约瑟夫·西格 ,  马丁·利姆 ,  安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里 ,  亚历山大·卡斯特罗

IPC分类号： G01P3/00

CPC分类号： G01C19/56 ,  G01C19/5712 ,  G01C19/5719 ,  G01C19/574

摘要： 本发明提供一种用于测量X-Y传感器平面中角速度的X及Y分量的双轴传感器。所述双轴传感器包含用于测量角速度的所述X分量的第一子传感器及用于测量角速度的所述Y分量的第二子传感器。所述第一子传感器及所述第二子传感器含纳于所述双轴传感器内的单个气密密封内。

公开(公告)号：CN101171665A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200680015534.5

申请日：2006-03-09

申请人： 因文森斯公司

发明人： 史蒂文·S·纳西里 ,  安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L27/14 ,  H01L29/82 ,  H01L23/48

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B23K20/023 ,  B81B3/0018 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00269 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/0792 ,  H01L21/187

摘要： 一种通过铝锗键合(110)进行第一MEMS衬底(102)与第二CMOS衬底(104)之间的键合以形成坚固的电及机械触点的方法，所述第一MEMS衬底(102)包括至少一个经图案化的大致锗层，所述第二CMOS衬底(104)包括至少一个经图案化的大致铝层。