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公开(公告)号：CN104716050B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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公开(公告)号：CN107068639A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611251353.4
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: B82B1/005 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2207/015 , B81B2207/09 , B81C1/00246 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771 , B82B3/008 , H01L23/481
Abstract: 本发明的实施例提供一种纳米机电装置结构，包括：基板，内连线结构形成于基板之上。纳米机电装置结构还包括：介电层形成于内连线结构之上，梁结构形成于介电层之中与之上，其中梁结构包括固定部分与可移动部分，固定部分沿着垂直方向延伸，且可移动部分沿着水平方向延伸。纳米机电装置结构尚包括：盖结构形成于介电层与梁结构之上；以及凹洞形成于梁结构与盖结构之间。
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公开(公告)号：CN103508408B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310235022.1
申请日：2013-06-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： H·韦伯
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2203/0109 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L2224/11 , H04R2201/003
Abstract: 提出一种混合集成部件（100），其包括具有集成电路元件（12）和后端叠堆（13）的至少一个ASIC构件（10）、具有在MEMS衬底的整个厚度上延伸的微机械结构的MEMS构件（20）和罩晶片（30）并且配备有附加的微机械功能。在此MEMS构件20）如此装配在ASIC构件（10）上，使得在微机械结构和ASIC构件（10）的后端叠堆（13）之间存在间隙（21）。罩晶片（30）装配在MEMS构件（20）的微机械结构上方。根据本发明，在ASIC构件（10）的后端叠堆（13）中构造具有电容器装置的至少一个可偏转的电极的压敏的膜片结构（16）。膜片结构（16）覆盖ASIC构件（10）的背侧中的压力连接端（17）。
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公开(公告)号：CN102701136B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210048824.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00579 , B81B2207/015 , B81C2203/0771 , Y10T29/49126
Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。
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公开(公告)号：CN101669192B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880012714.7
申请日：2008-05-12
Applicant: 石井房雄
Inventor： 石井房雄
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料中的一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101669192A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880012714.7
申请日：2008-05-12
Applicant: 石井房雄
Inventor： 石井房雄
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料。
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公开(公告)号：CN103420332B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201310294306.8
申请日：2013-04-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/008 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C3/001 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0785 , H01L2924/1433
Abstract: 本发明提出了用于混合集成的构件的制造方法。混合集成的构件应当包括至少两个MEMS结构元件(120、220)，至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件(110、210)。根据本发明，彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；在两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底(120、220)；然后在两个半导体基底(120、220)中的每个上产生一微机械结构。然后，两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式相叠地装配。然后才分离出多个构件。
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公开(公告)号：CN103733304B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280037056.3
申请日：2012-06-29
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01L5/0028 , G01L9/0072 , G01L15/00 , G01L19/0092 , G01L19/0636 , G01L19/148 , G01L27/007
Abstract: 在此披露了一种用于为MEMS设备提供集成电子器件的系统和方法。该MEMS设备包括一个集成电路衬底和一个耦联到该集成电路衬底上的MEMS子组件。该集成电路衬底包括耦联到至少一个固定电极上的至少一个电路。该MEMS子组件包括通过平版印刷工艺形成的至少一个压铆螺母柱、一个带有顶面和底面的柔性板、以及一个耦联到该柔性板上并且电耦联到该至少一个压铆螺母柱上的MEMS电极。作用在该柔性板上的一个力引起该MEMS电极与该至少一个固定电极之间的一个间隙的变化。
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公开(公告)号：CN104249991B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
Abstract: 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN104716050A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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