公开(公告)号：CN103514819A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310055234.1

申请日：2013-02-21

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金庸辉 ,  金元辰 ,  李相勋 ,  崔盛植 ,  崔在昌

IPC分类号： G09F9/35 ,  H05K7/20

CPC分类号： G09F13/04 ,  B82B1/005 ,  F21V29/70 ,  F21V29/71 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133608 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133628

摘要： 提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板；下容纳构件，容纳所述显示面板；辅助构件，包括底部和从所述底部的边缘延伸的侧部，并与所述下容纳构件结合；光源单元，与所述辅助构件的所述侧部结合；以及第一散热构件，位于所述辅助构件和所述光源单元之间。所述第一散热构件包括相变材料。

公开(公告)号：CN102290381A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110165683.2

申请日：2011-06-09

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 黄子欣 ,  杨郁廷 ,  刘宏信 ,  刘安鸿 ,  沈更新 ,  王伟 ,  李世富

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/29

CPC分类号： H05K7/205 ,  B82B1/005 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K5/0213 ,  Y10S977/932 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

摘要： 一种散热增益型电子封装体包含一驱动芯片、一密封胶、一弹性载体及纳米碳球。该弹性载体包含一弹性基板、一形成于该基板上的导线层及一覆盖在该导线层的阻焊层。该驱动芯片与导线层连接，该密封胶填满该驱动芯片及该弹性载体之间的该空间。该纳米碳球被设置于在该驱动芯片上、该阻焊层上、该弹性载体上或密封胶内，并适用于加强电子封装体的散热。

公开(公告)号：CN106573770A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480079265.3

申请日：2014-06-27

申请人： 英特尔公司

发明人： J·A·穆诺茨 ,  D·E·尼科诺夫 ,  K·J·库恩 ,  P·泰奥法尼斯 ,  C·帕瓦申 ,  K·林 ,  S·金

IPC分类号： B81B7/02

CPC分类号： B82B1/005 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/54 ,  H01H59/0009 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

摘要： 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。

公开(公告)号：CN103189306A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180052679.3

申请日：2011-10-28

申请人： 浦项工科大学校产学协力团

发明人： 金圣智 ,  朴埈赫 ,  南周泽 ,  陈昊

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC分类号： C07C323/41 ,  B82B1/005 ,  C07C319/06

摘要： 本发明涉及一种可提高纳米粒子分散性的表面改性方法及利用该方法制备的分散性得到提高的纳米粒子，更具体地，涉及纳米粒子表面结合两性化合物，从而提高表面分散性的方法及利用该方法的纳米粒子。依据本发明的纳米粒子，在纳米粒子表面同时形成阴离子与阳离子，具有电稳定性，因此可在宽pH范围内保持稳定，在盐浓度较高时也可稳定分散，且减少非特异性吸附。利用本发明的纳米粒子可制备将非特异性吸附降至最小化的新型特异性物质或传感器。

公开(公告)号：CN108793063A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298639.6

申请日：2017-04-27

申请人： 邵诗婷

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： B81C1/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： B81C1/00015 ,  B82B1/001 ,  B82B1/005 ,  B82B3/0061 ,  B82B3/008

摘要： 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度导线、制备方法和应用领域。该原子尺度导线是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族、四族、或五族元素，形成宽度为原子量级的导线，可用于连接原子尺度的电子器件，作为原子量级线程的大规模集成电路的互连，制备相应的集成电路。

公开(公告)号：CN108793062A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298595.7

申请日：2017-04-27

申请人： 邵诗婷

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： B81C1/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： B81C1/00015 ,  B82B1/001 ,  B82B1/005 ,  B82B3/0061 ,  B82B3/008

摘要： 本发明公开了一种收窄的替位式掺杂原子尺度导线、制备方法和应用领域。该原子尺度导线是在金属性质的碳基材料(金属性质的碳纳米管或金属性质的石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂金属原子，形成宽度为原子量级的导线，可用于连接原子尺度的电子器件，作为原子量级线程的大规模集成电路的互连，制备相应的集成电路。

公开(公告)号：CN107068639A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611251353.4

申请日：2016-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈欣苹 ,  杨岱宜 ,  后藤贤一 ,  眭晓林 ,  卡罗斯·H·戴尔兹

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： B82B1/005 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0771 ,  B82B3/008 ,  H01L23/481

摘要： 本发明的实施例提供一种纳米机电装置结构，包括：基板，内连线结构形成于基板之上。纳米机电装置结构还包括：介电层形成于内连线结构之上，梁结构形成于介电层之中与之上，其中梁结构包括固定部分与可移动部分，固定部分沿着垂直方向延伸，且可移动部分沿着水平方向延伸。纳米机电装置结构尚包括：盖结构形成于介电层与梁结构之上；以及凹洞形成于梁结构与盖结构之间。

公开(公告)号：CN103189306B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201180052679.3

申请日：2011-10-28

申请人： 浦项工科大学校产学协力团

发明人： 金圣智 ,  朴埈赫 ,  南周泽 ,  陈昊

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC分类号： C07C323/41 ,  B82B1/005 ,  C07C319/06

摘要： 本发明涉及一种可提高纳米粒子分散性的表面改性方法及利用该方法制备的分散性得到提高的纳米粒子，更具体地，涉及纳米粒子表面结合两性化合物，从而提高表面分散性的方法及利用该方法的纳米粒子。依据本发明的纳米粒子，在纳米粒子表面同时形成阴离子与阳离子，具有电稳定性，因此可在宽pH范围内保持稳定，在盐浓度较高时也可稳定分散，且减少非特异性吸附。利用本发明的纳米粒子可制备将非特异性吸附降至最小化的新型特异性物质或传感器。

公开(公告)号：CN106573770B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201480079265.3

申请日：2014-06-27

申请人： 英特尔公司

发明人： J·A·穆诺茨 ,  D·E·尼科诺夫 ,  K·J·库恩 ,  P·泰奥法尼斯 ,  C·帕瓦申 ,  K·林 ,  S·金

IPC分类号： B81B7/02

CPC分类号： B82B1/005 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/54 ,  H01H59/0009 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

摘要： 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。

公开(公告)号：CN106865491A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510924577.6

申请日：2015-12-14

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 李璐 ,  陈硕 ,  何秀丽 ,  高晓光 ,  贾建 ,  尉志勇 ,  郑天祥

IPC分类号： B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B82B1/001 ,  B82B1/005 ,  B82B3/0014 ,  B82B3/0019 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种纳米电极阵列，该纳米电极阵列包括其上均匀垂直设置等高硅尖阵列2的硅片衬底1，设置硅尖阵列2一侧的硅片衬底1的表面和硅尖阵列2表面包覆金属薄膜层3，位于硅尖阵列2峰顶的金属薄膜层3设有纳米颗粒4。该本发明中的纳米电极阵列，体积小、密度大、尖端曲率半径小，可用于电离型气体传感器低成本、大批量制备。