公开(公告)号：CN108793063A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298639.6

申请日：2017-04-27

申请人： 邵诗婷

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： B81C1/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： B81C1/00015 ,  B82B1/001 ,  B82B1/005 ,  B82B3/0061 ,  B82B3/008

摘要： 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度导线、制备方法和应用领域。该原子尺度导线是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族、四族、或五族元素，形成宽度为原子量级的导线，可用于连接原子尺度的电子器件，作为原子量级线程的大规模集成电路的互连，制备相应的集成电路。

公开(公告)号：CN108793062A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298595.7

申请日：2017-04-27

申请人： 邵诗婷

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： B81C1/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： B81C1/00015 ,  B82B1/001 ,  B82B1/005 ,  B82B3/0061 ,  B82B3/008

摘要： 本发明公开了一种收窄的替位式掺杂原子尺度导线、制备方法和应用领域。该原子尺度导线是在金属性质的碳基材料(金属性质的碳纳米管或金属性质的石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂金属原子，形成宽度为原子量级的导线，可用于连接原子尺度的电子器件，作为原子量级线程的大规模集成电路的互连，制备相应的集成电路。

公开(公告)号：CN108807552A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298636.2

申请日：2017-04-27

申请人： 邵诗婷

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/041 ,  H01L29/6603

摘要： 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度二极管、制备方法和应用领域。该原子尺度二极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素，形成大小为原子尺度的二极管，可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。

公开(公告)号：CN108807520A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298592.3

申请日：2017-04-27

申请人： 邵诗婷

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/0415 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66037

摘要： 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度三极管、制备方法和应用领域。该原子尺度三极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素，形成大小为原子尺度的三极管，可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。