公开(公告)号：CN101911268B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880123326.6

申请日：2008-12-29

Applicant: 沃特拉半导体公司

Inventor： 马可·A·苏尼加 ,  尤普东

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/041 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7836

Abstract: 一种晶体管包括源极、漏极与栅极。源极包括一p型掺杂的p型基体、与p型基体重迭的一p+区域、在p+区域附近而与p型基体重迭的一n+区域、以及仅位于晶体管的源极区域中的一n型掺杂的源极、重度双重扩散(SHDD)区域，该SHDD区域具有的深度约等于第一n+区域的深度，并且该SHDD区域与该第一n+区域重迭；漏极包括一第二n+区域以及与该第二n+区域重迭的一n型掺杂的浅漏极；栅极包括一栅极氧化物与位于该栅极氧化物上的一传导材料。SHDD区域进一步侧向延伸超过栅极氧化物下方的第一n+区域；SHDD区域的注入所使用的一掺质浓度高于该n型掺杂的浅漏极的掺质中所使用的浓度，但低于该第一n型掺杂的n+区域的掺质中所使用的浓度。

公开(公告)号：CN104851920A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510071076.8

申请日：2015-02-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木真理子 ,  酒井忠司

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/872 ,  H01L21/041 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体装置以及其制造方法，实施方式的半导体装置具备：p型的第一金刚石半导体层；表面被氧终端后的p型的第二金刚石半导体层，配置于第一金刚石半导体层上，且p型杂质浓度比第一金刚石半导体层的p型杂质浓度低；表面被氧终端后的多个n型的第三金刚石半导体层，配置于第二金刚石半导体层上；以及第一电极，配置于第二金刚石半导体层上以及第三金刚石半导体层上，且与第二金刚石半导体层形成第一接合，与第三金刚石半导体层形成第二接合，第一接合与第二接合为肖特基结。

公开(公告)号：CN1662681A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814068.3

申请日：2003-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 难波晓彦 ,  今井贵浩 ,  西林良树

IPC: C30B29/04 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/041 ,  H01L29/66022 ,  H01L29/66037

Abstract: 加工金刚石{100}单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。

公开(公告)号：CN108807552A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298636.2

申请日：2017-04-27

Applicant: 邵诗婷

Inventor： 不公告发明人

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/041 ,  H01L29/6603

Abstract: 本发明公开了一种替位式掺杂原子尺度二极管、制备方法和应用领域。该原子尺度二极管是在半导体性质的碳基材料(半导体碳纳米管或半导体石墨烯纳米带)上，采用SPM和单离子注入技术替位式掺杂三族和五族元素，形成大小为原子尺度的二极管，可用于在原子尺度上制备大规模集成电路。

公开(公告)号：CN105304495A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510604545.8

申请日：2015-09-21

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 张大成 ,  侯典杰 ,  董文储

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/041 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78684 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/401 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，属于薄膜晶体管技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管性能不佳的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法包括：形成由石墨烯构成的栅极的步骤，形成由氧化石墨烯构成的栅绝缘层的步骤，形成由掺杂的氧化石墨烯或掺杂的石墨烯构成的有源区的步骤，形成由石墨烯构成的源极、漏极的步骤；其中，构成所述源极、漏极、栅极的石墨烯由氧化石墨烯还原形成；构成所述有源区的掺杂的氧化石墨烯或掺杂的石墨烯由氧化石墨烯处理形成。

公开(公告)号：CN105264667A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032021.X

申请日：2014-05-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  铃木巨裕 ,  森本淳 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/041 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅半导体装置具备纵型MOSFET，该纵型MOSFET具有包括高浓度杂质层(1)和漂移层(2)的半导体基板、基极区(3)、源极区(4)、沟槽栅构造、源极电极(9)和漏极电极(10)。所述基极区为：高浓度基极区(3a)以及与所述高浓度基极区相比第二导电型杂质浓度更低的低浓度基极区(3b)层叠。所述高浓度基极区以及所述低浓度基极区与所述沟槽的侧面相接。

公开(公告)号：CN108431962A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201580085524.8

申请日：2015-12-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村胜光 ,  原田辰雄 ,  野村典嗣

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/083 ,  H01L21/041 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 具备：有源单元区域；边缘端接区域，其将该有源单元区域包围；以及中间区域，其处于这些区域的中间，该有源单元区域在上表面侧具有沟槽栅型的MOS构造，作为下表面侧的纵向构造，具有p集电极层、该p集电极层之上的n缓冲层、以及该n缓冲层之上的n漂移层，该n缓冲层具有：第1缓冲部分，其设置在该p集电极层侧；以及第2缓冲部分，其设置在该n漂移层侧，该第1缓冲部分的峰值杂质浓度比该第2缓冲部分的峰值杂质浓度高，该第2缓冲部分的该n漂移层侧的杂质浓度梯度比该第1缓冲部分的该n漂移层侧的杂质浓度梯度平缓。

公开(公告)号：CN101911268A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123326.6

申请日：2008-12-29

Applicant: 沃特拉半导体公司

Inventor： 马可·A·苏尼加 ,  尤普东

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/041 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7836

Abstract: 一种晶体管包括源极、漏极与栅极。源极包括一p型掺杂的p型基体、与p型基体重迭的一p+区域、在p+区域附近而与p型基体重迭的一n+区域、以及仅位于晶体管的源极区域中的一n型掺杂的源极、重度双重扩散(SHDD)区域，该SHDD区域具有的深度约等于第一n+区域的深度，并且该SHDD区域与该第一n+区域重迭；漏极包括一第二n+区域以及与该第二n+区域重迭的一n型掺杂的浅漏极；栅极包括一栅极氧化物与位于该栅极氧化物上的一传导材料。SHDD区域进一步侧向延伸超过栅极氧化物下方的第一n+区域；SHDD区域的注入所使用的一掺质浓度高于该n型掺杂的浅漏极的掺质中所使用的浓度，但低于该第一n型掺杂的n+区域的掺质中所使用的浓度。

公开(公告)号：CN101160642A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680009050.X

申请日：2006-01-26

Applicant: 阿波罗钻石公司

Inventor： R·里纳雷斯

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/872 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/041 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/872

Abstract: 第一和第二人造金刚石区域是掺硼的。第二人造金刚石区域比第一人造金刚石区域的掺有更多的硼，并且与第一人造金刚石区域物理接触。在另一示例性实施方案中，该第一和第二人造金刚石区域形成金刚石半导体，例如当连接到至少一个金属引线时的肖特基二极管。在其它实施方案中该金刚石是C12高增浓的金刚石，以增加该人造金刚石的导电性。在示例性实施方案中的制造工艺包括沿着氢注入层分离该多个金刚石层中的一层。

公开(公告)号：CN1331235C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN03814068.3

申请日：2003-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 难波晓彦 ,  今井贵浩 ,  西林良树

IPC: H01L27/12 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/041 ,  H01L29/66022 ,  H01L29/66037

Abstract: 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。