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公开(公告)号：CN103081325B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180034408.5
申请日：2011-05-24
Applicant: 沃特拉半导体公司
Inventor： 亚历山德·伊克拉纳科夫
CPC classification number: H01F17/06 , H01F27/2847 , H01F27/292 , H01F27/306 , H02M3/1584 , H02M7/003
Abstract: 一种两相耦合电感器，包括磁芯，至少第一绕组和至少三个焊片。一种电源，其包括印刷电路板，附接至印刷电路板的两相耦合电感器以及附接至印刷电路板的第一和第二切换电路。第一和第二切换电路中的每个电耦合至附接至印刷电路板的两相耦合电感器的相应焊片。
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公开(公告)号：CN103168409A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180049983.2
申请日：2011-08-18
Applicant: 沃特拉半导体公司
Inventor： 安东尼·J·斯特拉塔科夫 , 迈克尔·D·麦克吉姆赛 , 艾丽嘉·杰尔戈维克 , 亚历山德·伊克阿尼科夫 , 阿尔丁·德尔米纳赛恩斯 , 姚凯卫 , 大卫·B·利克斯基 , 马尔科·A·祖尼佳 , 安娜·鲍里萨瓦列维齐
IPC: H02J7/34 , H02M3/28 , H01L31/042
CPC classification number: H02J1/102 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H02J3/383 , H02J2001/106 , H02M3/158 , H03K17/102 , H03K17/122 , H03K17/145 , H03K17/693 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054 , Y02E10/563 , Y10T307/685 , Y10T307/696 , Y10T307/707 , H01L2924/00014
Abstract: 一种电力系统包括N个电力源和N个切换电路，其中N是大于1的整数。每个切换电路包括电耦接到所述N个电力源中的相应一个电力源的输入端口、输出端口和适于在其导电和非导电状态之间切换来把电力从所述输入端口转移到所述输出端口的第一切换装置。所述N个切换电路的输出端口串联电耦接且电耦接到负载来建立输出电路。所述N个切换电路中的每一个使用所述输出电路的互连电感作为所述切换电路的初级储能电感。
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公开(公告)号：CN101911268A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123326.6
申请日：2008-12-29
Applicant: 沃特拉半导体公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/041 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/0922 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/7836
Abstract: 一种晶体管包括源极、漏极与栅极。源极包括一p型掺杂的p型基体、与p型基体重迭的一p+区域、在p+区域附近而与p型基体重迭的一n+区域、以及仅位于晶体管的源极区域中的一n型掺杂的源极、重度双重扩散(SHDD)区域，该SHDD区域具有的深度约等于第一n+区域的深度，并且该SHDD区域与该第一n+区域重迭；漏极包括一第二n+区域以及与该第二n+区域重迭的一n型掺杂的浅漏极；栅极包括一栅极氧化物与位于该栅极氧化物上的一传导材料。SHDD区域进一步侧向延伸超过栅极氧化物下方的第一n+区域；SHDD区域的注入所使用的一掺质浓度高于该n型掺杂的浅漏极的掺质中所使用的浓度，但低于该第一n型掺杂的n+区域的掺质中所使用的浓度。
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公开(公告)号：CN103782390B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201280043021.0
申请日：2012-08-09
Applicant: 沃特拉半导体公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66704 , H01L21/265 , H01L21/28105 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0626 , H01L29/063 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/66696 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7825 , H01L29/7827 , H01L29/7835
Abstract: 本申请案描述一种晶体管，所述晶体管包括植入至基板的表面中的n型阱区及n型阱区中的沟槽。沟槽具有第一侧及相对的第二侧，且沟槽自表面延伸至第一深度。沟槽包括在沟槽中的导电材料栅极及电介质材料，所述电介质材料填充未被导电材料填充的沟槽的体积。晶体管也包括第一区中的p型材料，所述第一区在n型阱区中自第二深度延伸至第三深度，其中第二深度及第三深度中的每一深度大于第一深度。晶体管进一步包括源极区及漏极区。源极区处于沟槽的第一侧上，且所述源极区包括p型主体区、n+区及p+区，所述p型主体区自表面延伸至第一区，所述n+区及所述p+区植入于p型主体区中。漏极区处于沟槽的第二侧上，且所述漏极区包括n+区。
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公开(公告)号：CN102576593B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080045400.4
申请日：2010-08-10
Applicant: 沃特拉半导体公司
Inventor： 亚历山德·伊克拉纳科夫
CPC classification number: H01F3/10 , H01F3/14 , H01F27/2847 , H01F30/06 , H01F2038/006 , H02M3/1584
Abstract: 一种M绕组耦合电感器(800)包括第一端部磁元件(802)、第二端部磁元件(804)、M个连接磁元件(902)以及M个绕组。M是大于1的整数。每个连接磁元件(902)均设在第一端部磁元件(802)和第二端部磁元件(804)之间并且连接第一和第二端部磁元件。每个绕组(904)至少部分地绕M个连接磁元件(902)中的相应的一个连接磁元件缠绕。耦合电感器还包括至少一个顶部磁元件(806)，其与M个连接磁元件中的至少两个相邻，并且至少部分在M个连接磁元件中的至少两个上延伸，以提供第一和第二端部磁元件之间的磁通量通路。电感器可以包含在M相电源中，并且电源可以至少部分地对计算机处理器供电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103155349A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049996.X
申请日：2011-08-18
Applicant: 沃特拉半导体公司
Inventor： 安东尼·J·斯特拉塔科夫 , 迈克尔·D·麦克吉姆赛 , 艾丽嘉·杰尔戈维克 , 亚历山德·伊克阿尼科夫 , 阿尔丁·德尔米纳赛恩斯 , 姚凯卫 , 大卫·B·利克斯基 , 马尔科·A·祖尼佳 , 安娜·鲍里萨瓦列维齐
IPC: H02J7/34 , H02M3/28 , H01L31/042
CPC classification number: H02J1/102 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H02J3/383 , H02J2001/106 , H02M3/158 , H03K17/102 , H03K17/122 , H03K17/145 , H03K17/693 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054 , Y02E10/563 , Y10T307/685 , Y10T307/696 , Y10T307/707 , H01L2924/00014
Abstract: 一种用于从电力源提取电力的切换电路包括：(1)用于电耦接到电力源的输入端口；(2)用于电耦接到负载的输出端口；(3)被配置来在其导电状态和非导电状态之间切换来把电力从输入端口转移到输出端口的第一切换装置；(4)至少部分由于第一切换装置在其导电和非导电状态之间切换而在至少两个不同电压级之间过渡的中间切换节点；和(5)用于控制第一切换装置来最大化中间切换节点处的电压的平均值的控制器。
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公开(公告)号：CN101933147A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103689.8
申请日：2009-01-14
Applicant: 沃特拉半导体公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/265 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/42368 , H01L29/7816
Abstract: 晶体管包括衬底、形成于衬底的阱、漏极，包括注入阱中的第一杂质区、源极，包括注入阱中的第二杂质区且与第一杂质区相隔、供电流从漏极流向源极的沟道、和栅极，用以控制介于源极与漏极间的耗尽区。沟道具有本征击穿电压，阱、漏极和源极配置成提供比本征击穿电压小的非本征击穿电压，使击穿得以发生在位于沟道外且邻接漏极或源极的阱内的击穿区。
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公开(公告)号：CN101034671B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710080049.2
申请日：2007-03-02
Applicant: 沃特拉半导体公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/823892 , H01L27/088 , H01L27/0922 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/6625 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/7835
Abstract: 本发明公开了一种用于在衬底上使用兼容于所述CMOS工艺流程的工艺流程而单片地制造具有源极、漏极和栅极的横向双扩散MOSFET(LDMOS)晶体管的方法和系统。
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公开(公告)号：CN102859700B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180020578.8
申请日：2011-03-25
Applicant: 沃特拉半导体公司
Inventor： 马可·A·苏尼加
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L21/26586 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/66681
Abstract: 一种晶体管，所述晶体管包含：包括植入基板之第一杂质区的源极区、包括植入基板之第二杂质区的漏极区，以及包括形成于基板上之氧化层和形成于氧化层上之导电材料的栅极，氧化层包含第一侧和第二侧，第一侧形成在第一杂质区的一部分上，第二侧形成在第二杂质区的一部分上，第一侧的厚度小于约100埃，第二侧的厚度等于或大于125埃。
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公开(公告)号：CN102859668B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180020699.2
申请日：2011-03-24
Applicant: 沃特拉半导体公司
Inventor： 马可·A·苏尼加
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823418 , H01L21/26586 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7816
Abstract: 一种制造晶体管的方法，所述方法包括蚀刻栅极的第一侧，所述栅极包含形成在基板上的氧化物层及形成于所述氧化物层上的导电材料，所述蚀刻步骤移除所述导电材料的第一部分；布植掺质区至所述基板内，使得所述掺质区自我对准；以及蚀刻所述栅极的第二侧以移除所述导电材料的第二部分。
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