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公开(公告)号：CN107660304B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201580080352.5
申请日：2015-06-24
申请人： 英特尔公司
摘要： 描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。
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公开(公告)号：CN107004759B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201480083511.2
申请日：2014-12-18
申请人： 英特尔公司
摘要： 描述了一种互连件，其包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层的第二端部，其中所述铁磁层从所述第一端部延伸到所述第二端部。描述了一种多数逻辑门器件，其包括：铁磁层；以及耦合到所述铁磁层的第一、第二、第三和第四磁电材料层。描述了一种设备，其包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到铁磁层的隧道结器件的第二端部。描述了一种设备，其包括：耦合到隧道结器件的第一端子；耦合到将隧道结器件和磁电器件耦合的层的第二端子；以及耦合到所述磁电器件的第三端子。
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公开(公告)号：CN104638104B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510056047.4
申请日：2010-11-15
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , G01R33/09 , G01R33/12 , H01F10/32 , G11C11/16 , H01F41/30 , B82Y25/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11C11/161 , H01F10/133 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01F41/307 , H01L27/22 , H01L27/228 , H01L43/12
摘要： 本发明描述了自旋转矩磁性集成电路及其器件。自旋转矩磁性集成电路包括设置在基底上方的第一自由铁磁层。非磁性层设置在所述第一自由铁磁层上方。包括多个写入柱和多个读取柱，每个柱设置在所述非磁性层上方并且包括固定铁磁层。
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公开(公告)号：CN106573770A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480079265.3
申请日：2014-06-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B82B1/005 , B81B3/0016 , B81B7/02 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B82B1/002 , B82B3/0023 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01H1/0094 , H01H1/54 , H01H59/0009 , H01L29/66227 , H01L29/82 , H01L29/84 , Y10S977/732 , Y10S977/838 , Y10S977/888 , Y10S977/938
摘要： 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
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公开(公告)号：CN104638104A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510056047.4
申请日：2010-11-15
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , G01R33/09 , G01R33/12 , H01F10/32 , G11C11/16 , H01F41/30 , B82Y25/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11C11/161 , H01F10/133 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01F41/307 , H01L27/22 , H01L27/228 , H01L43/12
摘要： 本发明描述了自旋转矩磁性集成电路及其器件。自旋转矩磁性集成电路包括设置在基底上方的第一自由铁磁层。非磁性层设置在所述第一自由铁磁层上方。包括多个写入柱和多个读取柱，每个柱设置在所述非磁性层上方并且包括固定铁磁层。
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公开(公告)号：CN104519652A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410504291.8
申请日：2014-09-26
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H05G2/00
摘要： 本发明涉及一种基于微磁的极紫外辐射源。实施例包含一种磁摇摆器，所述磁摇摆器包括：第一磁体和第二磁体，所述第一磁体和所述第二磁体在至少50个磁体的线路中彼此相邻；通路，所述通路与所述线路相邻，电子束可以沿着所述通路行进，所述通路耦合至粒子加速器；以及多个通孔，所述多个通孔在所述第一磁体和所述第二磁体中的每一个磁体的多个侧面上，以便分别向所述第一磁体和所述第二磁体提供具有相反方向的多个电流，以便定向具有相反的非易失性取向的所述第一磁体和所述第二磁体。本文提供了其它实施例。
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公开(公告)号：CN102696071A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080057629.X
申请日：2010-11-15
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11C11/161 , H01F10/133 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01F41/307 , H01L27/22 , H01L27/228 , H01L43/12
摘要： 本发明描述了自旋转矩磁性集成电路及其器件。自旋转矩磁性集成电路包括设置在基底上方的第一自由铁磁层。非磁性层设置在所述第一自由铁磁层上方。包括多个写入柱和多个读取柱，每个柱设置在所述非磁性层上方并且包括固定铁磁层。
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公开(公告)号：CN107430886B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680012419.6
申请日：2016-02-16
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C11/413 , G11C11/416 , G11C11/419 , G11C14/00 , G11C11/411 , G11C11/412 , G11C13/00
摘要： 描述了一种装置，其包括：具有集成在SRAM单元内的至少两个非易失性(NV)电阻式存储器元件的静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及将存储在SRAM单元中的数据自存储到至少两个NV电阻式存储器元件的第一逻辑。提供了一种方法，其包括：当施加到SRAM单元的电压降低到阈值电压时执行自存储操作以将SRAM单元的电压状态存储到至少两个非NV电阻式存储器元件，其中至少两个NV电阻式存储器元件与SRAM单元集成在一起；以及当施加到SRAM单元的电压增加到阈值电压时通过将数据从至少两个NV电阻式存储器元件复制到SRAM单元的存储节点来执行自恢复操作。
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公开(公告)号：CN107004760B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201480083526.9
申请日：2014-12-18
申请人： 英特尔公司
摘要： 描述了一种方法，包括：在衬底或模板上形成磁体，所述磁体具有界面；在所述磁体的界面上形成非磁体导电材料的第一层，使得原位形成所述磁体和非磁体导电材料的层。描述了一种装置，包括：形成在衬底或模板上的磁体，所述磁体在结晶、电磁或热力条件下形成，所述磁体具有界面；以及形成在磁体的界面上的非磁体导电材料的第一层，使得原位形成所述磁体和所述非磁体导电材料的层。
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公开(公告)号：CN107112413B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201480083692.9
申请日：2014-12-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L43/02
摘要： 一种装置包括：自旋到充电转变节点；以及充电到自旋转变节点，其中自旋到充电转变节点的输入在充电到自旋转变节点处产生输出。一种装置包括磁体，磁体包括输入节点和输出节点，输入节点包括能够操作用于在磁体中产生磁性响应的电容器，而输出节点包括至少一种自旋到充电转变材料。一种方法包括：从第一磁体注入自旋电流；将自旋电流转变成能够操作用于产生与第二磁体的磁电交互作用的充电电流；以及响应于磁电交互作用而改变第二磁体的磁化方向。一种方法包括：从磁体的输入节点注入自旋电流；以及在磁体的输出节点处将自旋电流转变成充电电流。
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