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公开(公告)号：CN102701136A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210048824.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00579 , B81B2207/015 , B81C2203/0771 , Y10T29/49126
Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。
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公开(公告)号：CN105140222A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410784271.0
申请日：2014-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L28/20 , H01L21/02595 , H01L21/762 , H01L21/76877 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0649
Abstract: 本发明提供了集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，集成电路包括衬底和多晶硅电阻器。多晶硅电阻器设置在衬底上。多晶硅电阻具有至少一个正TCR部分和至少一个负TCR部分。正TCR部分邻近负TCR部分，并且正TCR部分与负TCR部分直接接触。
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公开(公告)号：CN101859599A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010142475.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1657 , G11C11/1659
Abstract: 一种使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流的方法，包括：设置MRAM单元，其包括磁性隧道结(MTJ)器件；以及选择器，包括串联至MTJ器件的源极-漏极路径。该方法还包括向选择器的栅极施加过度驱动电压以导通选择器。
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公开(公告)号：CN102701136B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210048824.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00579 , B81B2207/015 , B81C2203/0771 , Y10T29/49126
Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。
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公开(公告)号：CN103253625A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310001220.1
申请日：2013-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81C1/00261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种器件，所述器件包括与衬底结构接合的盖式衬底。所述衬底结构包括集成电路结构。所述集成电路结构包括设置在气体外泄阻止结构上的顶部金属层。至少一个MEMS器件设置在所述顶部金属层和所述气体外泄阻止结构的上方。本发明还公开了一种微电子机械系统(MEMS)结构以及形成MEMS结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859599B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201010142475.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1657 , G11C11/1659
Abstract: 一种使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流的方法，包括：设置MRAM单元，其包括磁性隧道结(MTJ)器件；以及选择器，包括串联至MTJ器件的源极‑漏极路径。该方法还包括向选择器的栅极施加过度驱动电压以导通选择器。
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公开(公告)号：CN103253625B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310001220.1
申请日：2013-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81C1/00261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种器件，所述器件包括与衬底结构接合的盖式衬底。所述衬底结构包括集成电路结构。所述集成电路结构包括设置在气体外泄阻止结构上的顶部金属层。至少一个MEMS器件设置在所述顶部金属层和所述气体外泄阻止结构的上方。本发明还公开了一种微电子机械系统(MEMS)结构以及形成MEMS结构的方法。
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公开(公告)号：CN101814314A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010110918.3
申请日：2010-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/409
CPC classification number: G11C11/1677 , G11C11/1675
Abstract: 一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。
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公开(公告)号：CN112885903A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011353442.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 本发明实施例涉及高压装置。根据本发明的一些实施例，一种高压装置包含：衬底；至少一第一隔离件，其在所述衬底中；第一阱区；框架状栅极结构，其在所述第一阱区上方且覆盖所述第一隔离件的一部分；漏极区，其在所述第一阱区中且通过所述第一隔离件而与所述框架状栅极结构分离；及源极区，其通过所述第一隔离件及所述框架状栅极结构而与所述漏极区分离。所述第一阱区、所述漏极区及所述源极区包含第一导电类型，且所述衬底包含第二导电类型。所述第一导电类型及所述第二导电类型彼此互补。
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公开(公告)号：CN105140222B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410784271.0
申请日：2014-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L28/20 , H01L21/02595 , H01L21/762 , H01L21/76877 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0649
Abstract: 本发明提供了集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，集成电路包括衬底和多晶硅电阻器。多晶硅电阻器设置在衬底上。多晶硅电阻具有至少一个正TCR部分和至少一个负TCR部分。正TCR部分邻近负TCR部分，并且正TCR部分与负TCR部分直接接触。
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